蒸发物质的分子被电子撞击后沉积在固体表面称为离子镀。蒸发源接阳极，工件接阴极，当通以三至五千伏高压直流电以后，蒸发源与工件之间产生辉光放电。由于真空罩内充有惰性氩气，在放电电场作用下部分氩气被电离，从而在阴极工件周围形成一等离子暗区。带正电荷的氩离子受阴极负高压的吸引，猛烈地轰击工件表面，致使工件表层粒子和脏物被轰溅抛出，从而使工件待镀表面得到了充分的离子轰击清洗。随后，接通蒸发源交流电源，蒸发料粒子熔化蒸发，进入辉光放电区并被电离。带正电荷的蒸发料离子，在阴极吸引下，随同氩离子一同冲向工件，当抛镀于工件表面上的蒸发料离子超过溅失离子的数量时，则逐渐堆积形成一层牢固粘附于工件表面的镀层。热氧化与化学气相沉积不同，她是通过氧气或水蒸气扩散到硅表面并进行化学反应形成氧化硅。商丘真空镀膜厂
电子束蒸发蒸镀如钨(W）、钼（Mo）等高熔点材料，需要在坩埚的结构上做一定的改进。高熔点的材料采用锭或者颗粒状放在坩埚当中，因为水冷坩埚导热过快，材料难以达到其蒸发的温度。经过实验的验证，蒸发高熔点的材料可以用薄片来蒸镀，将1mm材料薄片架空于碳坩埚上沿，薄片只能通过坩埚边沿来导热，散热速率慢，有利于达到蒸发的熔点。采用此方法可满足蒸镀50nm以下的材料薄膜。PVD(气相沉积)镀膜技术主要分为三类，真空蒸发镀膜、真空溅射镀和真空离子镀膜。对应于PVD技术的三个分类，相应的真空镀膜设备也就有真空蒸发镀膜机、真空溅射镀膜机和真空离子镀膜机这三种。近十多年来，真空离子镀膜技术的发展是快的，它已经成为当今先进的表面处理方式之一。我们通常所说的PVD镀膜，指的就是真空离子镀膜；通常所说的PVD镀膜机，指的也就是真空离子镀膜机。马鞍山真空镀膜工艺真空镀膜在航空航天领域有重要应用。
镀膜技术工艺包括光刻、真空磁控溅射、电子束蒸镀、ITO镀膜、反应溅射，在微纳加工过程中，薄膜的形成方法主要为物理沉积、化学沉积和混合方法沉积。蒸发沉积（热蒸发、电子束蒸发）和溅射沉积是典型的物理方法，主要用于沉积金属单质薄膜、合金薄膜、化合物等。热蒸发是在高真空下，利用电阻加热至材料的熔化温度，使其蒸发至基底表面形成薄膜，而电子束蒸发为使用电子束加热。磁控溅射在高真空，在电场的作用下，Ar气被电离为Ar离子高能量轰击靶材，使靶材发生溅射并沉积于基底；磁控溅射方法沉积的薄膜纯度高、致密性好，热蒸发主要用于沉积低熔点金属薄膜或者厚膜；化学气相沉积（CVD）是典型的化学方法而等离子体增强化学气相沉积（PECVD）是物理与化学相结合的混合方法，CVD和PECVD主要用于生长氮化硅、氧化硅等介质膜。
LPCVD设备的设备构造可以根据不同的反应室形状和衬底放置方式进行分类。常见的分类有以下几种：（1）水平式LPCVD设备，是指反应室呈水平圆筒形，衬底水平放置在反应室内部或外部的托盘上，气体从一端进入，从另一端排出；（2）垂直式LPCVD设备，是指反应室呈垂直圆筒形，衬底垂直放置在反应室内部或外部的架子上，气体从下方进入，从上方排出；（3）旋转式LPCVD设备，是指反应室呈水平或垂直圆筒形，衬底放置在反应室内部或外部可以旋转的盘子上，气体从一端进入，从另一端排出；（4）行星式LPCVD设备，是指反应室呈水平或垂直圆筒形，衬底放置在反应室内部或外部可以旋转并围绕中心轴转动的盘子上，气体从一端进入，从另一端排出。镀膜层厚度可通过调整参数精确控制。
LPCVD设备中的薄膜材料的质量和性能可以通过多种方法进行表征和评价。常见的表征和评价方法有以下几种：（1）厚度测量法，是指通过光学或电子手段来测量薄膜的厚度，如椭圆偏振仪、纳米压痕仪、电子显微镜等；（2）成分分析法，是指通过光谱或质谱手段来分析薄膜的化学成分，如X射线光电子能谱（XPS）、二次离子质谱（SIMS）、原子发射光谱（AES）等；（3）结构表征法，是指通过衍射或散射手段来表征薄膜的晶体结构，如X射线衍射（XRD）、拉曼光谱（Raman）、透射电子显微镜（TEM）等；（4）性能测试法，是指通过电学或力学手段来测试薄膜的物理性能，如电阻率、介电常数、硬度、应力等。真空镀膜为产品带来持久的亮丽外观。汕头小家电真空镀膜
真空镀膜过程中需防止尘埃污染。商丘真空镀膜厂
LPCVD设备中较新的是垂直式LPCVD设备，因为其具有结构紧凑、气体分布均匀、薄膜厚度一致、颗粒污染少等优点。垂直式LPCVD设备可以根据不同的气体流动方式进行分类。常见的分类有以下几种：（1）层流式垂直LPCVD设备，是指气体从反应室下方进入，沿着垂直方向平行流动，从反应室上方排出；（2）湍流式垂直LPCVD设备，是指气体从反应室下方进入，沿着垂直方向紊乱流动，从反应室上方排出；（3）对流式垂直LPCVD设备，是指气体从反应室下方进入，沿着垂直方向循环流动，从反应室下方排出。商丘真空镀膜厂
