使用PECVD，高能电子可以将气体分子激发到足够活跃的状态，使得在相对低温下就能发生化学反应。这对于敏感于高温或者不能承受高温处理的材料（如塑料）来说是一个重要的优势。等离子体中的反应物质具有很高的动能，可以使得它们在各种表面，包括垂直和倾斜的表面上发生化学反应。这就使得PECVD可以在基板的全范围内，包括难以接触的区域，形成高质量的薄膜。在PECVD过程中，射频能量引发原料气体形成等离子体。这个等离子体由高能电子和离子组成，它们能够在各种表面进行化学反应。这就使得反应物质能够均匀地分布在整个基板上，从而形成均匀的薄膜。且PECVD可以在相对低温下进行，因此基板上的热效应对薄膜的形成影响较小。这进一步有助于保持薄膜的均匀性。LPCVD设备可以沉积多种类型的薄膜材料，如多晶硅、氮化硅、氧化硅、碳化硅等。山西真空镀膜平台
在真空状态下，加热蒸发容器中的靶材，使其原子或分子逸出，沉积在目标物体表面，形成固态薄膜。依蒸镀材料、基板的种类可分为：抵抗加热、电子束、高周波诱导、雷射等加热方式。蒸镀材料有铝、亚铅、金、银、白金、镍等金属材料与可产生光学特性薄膜的材料，主要有使用SiO2、TiO2、ZrO2、MgF2等氧化物与氟化物。电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子。氩离子在电场作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶原子，靶原子沉积在基片表面形成膜。二次电子受到磁场影响，被束缚在靶面的等离子体区域，二次电子在磁场作用下绕靶面做圆周运动，在运动过程中不断和氩原子发生撞击，电离出大量氩离子轰击靶材。成都真空镀膜工艺沉积工艺也可分为化学气相沉积和物理的气相沉积。CVD的优点是速率快，PVD的优点是纯度高。
LPCVD设备的设备构造可以根据不同的反应室形状和衬底放置方式进行分类。常见的分类有以下几种：（1）水平式LPCVD设备，是指反应室呈水平圆筒形，衬底水平放置在反应室内部或外部的托盘上，气体从一端进入，从另一端排出；（2）垂直式LPCVD设备，是指反应室呈垂直圆筒形，衬底垂直放置在反应室内部或外部的架子上，气体从下方进入，从上方排出；（3）旋转式LPCVD设备，是指反应室呈水平或垂直圆筒形，衬底放置在反应室内部或外部可以旋转的盘子上，气体从一端进入，从另一端排出；（4）行星式LPCVD设备，是指反应室呈水平或垂直圆筒形，衬底放置在反应室内部或外部可以旋转并围绕中心轴转动的盘子上，气体从一端进入，从另一端排出。
LPCVD设备中重要的工艺参数之一是反应温度，因为它直接影响了反应速率、反应机理、反应产物、反应选择性等方面。一般来说，反应温度越高，反应速率越快，沉积速率越高；反应温度越低，反应速率越慢，沉积速率越低。但是，并不是反应温度越高越好，因为过高的反应温度也会带来一些不利的影响。例如，过高的反应温度会导致气体前驱体过早分解或聚合，从而降低沉积效率或增加副产物；过高的反应温度会导致衬底材料发生热损伤或热扩散，从而降低衬底质量或改变衬底特性；过高的反应温度会导致薄膜材料发生结晶或相变，从而改变薄膜结构或性能。真空镀膜设备需精确控制温度和压力。
高频淀积的薄膜，其均匀性明显好于低频，这时因为当射频电源频率较低时，靠近极板边缘的电场较弱，其淀积速度会低于极板中心区域，而频率高时则边缘和中心区域的差别会变小。4.射频功率，射频的功率越大离子的轰击能量就越大，有利于淀积膜质量的改善。因为功率的增加会增强气体中自由基的浓度，使淀积速率随功率直线上升，当功率增加到一定程度，反应气体完全电离，自由基达到饱和，淀积速率则趋于稳定。5.气压，形成等离子体时，气体压力过大，单位内的反应气体增加，因此速率增大，但同时气压过高，平均自由程减少，不利于淀积膜对台阶的覆盖。气压太低会影响薄膜的淀积机理，导致薄膜的致密度下降，容易形成针状态缺陷；气压过高时，等离子体的聚合反应明显增强，导致生长网络规则度下降，缺陷也会增加；6.衬底温度，衬底温度对薄膜质量的影响主要在于局域态密度、电子迁移率以及膜的光学性能，衬底温度的提高有利于薄膜表面悬挂键的补偿，使薄膜的缺陷密度下降。衬底温度对淀积速率的影响小，但对薄膜的质量影响很大。温度越高，淀积膜的致密性越大，高温增强了表面反应，改善了膜的成分真空镀膜为产品带来持久的亮丽外观。温州来料真空镀膜
PECVD主要应用在芯片制造、太阳能电池、光伏等领域。山西真空镀膜平台
沉积工艺也可分为化学气相沉积和物理的气相沉积。CVD的优点是速率快，且由于在晶圆表面发生化学反应，拥有台阶覆盖率。但从上述化学方程式中不难看出，其缺点就是产生副产物废气。在半导体制程中，很难将这些废气完全排出，难免会参杂些不纯物质。因此，CVD多用于不需要精确把控材料特性的沉积涂层，如沉积各种消耗性的膜层（硬掩模）或各种厚绝缘薄膜等。PVD则向晶圆表面直接轰击要沉积的材料。也就是说，如果想在晶圆表面沉积A物质，则需将A物质气化后，使其沉积到晶圆表面。常用的PVD方法有溅射，这在刻蚀工艺中也曾涉及过。在这种方法中，我们先向A物质靶材轰击离子束（主要采用惰性气体），使A物质粒子溅射出来，再将脱落的粒子转移至硅片表面，并形成薄膜。PVD的优点是无副产物，沉积薄膜的纯度高，且还可以沉积钨（W）、钴（Co）等无反应能力的纯净物材料。因此，多用于纯净物的金属布线。山西真空镀膜平台
