三坐标测量仪通过探针接触或非接触式光学扫描等方式，对工件的尺寸、形状和位置进行精确测量。在测量过程中，环境温度的细微变化会引发测量仪自身结构以及被测工件的热胀冷缩。例如，当温度波动 1℃时，对于长度为 1 米的金属工件，其长度变化可达 10 微米左右，这在高精度测量中是不容忽视的误差来源。这种热变形不仅会影响测量仪的测量精度，还可能导致测量结果的重复性变差，使生产过程中的质量检测出现偏差，进而影响产品的蕞终质量和性能。极测（南京）凭借其自主研发的精密环控系统，为键合设备提供了超稳定的运行环境，成为突破工艺的关键支撑。黑龙江光学元件精密温控
半导体制造中键合设备对环境要求极高，需在恒温、恒湿、高洁净的环境中运行，同时严格控制振动与静电。这些要求旨在确保键合界面的材料活性稳定、设备机械精度达标，避免因温湿度波动导致的键合偏差、颗粒污染引发的界面缺陷或静电损坏芯片，从而保障微米级至亚微米级键合精度及产品良率与可靠性。 精密洁净间的主柜体为内部精密组件构筑起稳固的运作空间；依托高精密控温技术，以0.1%的精密控制输出精度。此外，精密洁净间设备配备的气流循环系统，通过风机驱动气流定向循环，结合高效洁净过滤器，不仅能确保设备内部温度均匀分布，更能达到百级以上的超高洁净标准，工作区域洁净度蕞高优于ISO class3，为半导体光刻机、键合设备等对环境要求严苛的精密仪器，打造了近乎完美的研发生产环境。恒温恒湿洁净精密温控技术极测（南京）精密环控柜满足用户不同温湿度稳定性、洁净度，气压稳定性、抗微振、防磁、隔音等个性化需求。
考虑到不同生产车间的布局需求，极测精密环控设备采用可拆卸铝合金框架，大型设备可在现场便捷组装，节省安装时间与成本。箱体采用高质量钣金材质，不仅坚固耐用，还可根据客户需求定制外观颜色，融入不同的工作环境。设备运行时，采用 EC 风机和高效隔音材质，实现静音高效运转，噪音低于 45dB，为操作人员营造安静舒适的工作环境，避免噪音干扰测量操作和数据分析。 自推出以来，极测精密环控设备已成功为众多企业的三坐标测量仪提供了稳定可靠的工作环境，赢得了赞誉。在制造业对高精度、高效率生产要求日益提升的如今极测精密环控设备为精密制造和质量检测奠定坚实基础，助力企业在激烈的市场竞争中脱颖而出。
精密环境受到多种因素的影响。温度波动会导致仪器设备、被测样品等产生形变，影响空气对光的折射波动；湿度波动会影响空气折射率，湿度过高还易造成电器故障；二氧化碳浓度、压力梯度波动会影响空气折射率；微振动会造成仪器设备等抖动，影响光路；电磁干扰、接地电阻过大会影响仪器设备正常工作。
极测（南京）技术有限公司针对不同环境控制需求，提供了完善的解决方案。普通环境控制需求温度控制精度为 ±2℃，湿度控制精度为 ±5~15%，洁净度等级为十万级到百级，采用恒温恒湿超净间；精密环境控制需求温度控制精度为 ±0.5~1℃，湿度控制精度为 ±2~5%，洁净度等级为万级到百级，采用精密恒温恒湿超净间；高精密环境控制需求温度控制精度为 ±0.1~0.3℃，湿度控制精度为 ±2~5%，洁净度等级为千级到百级，采用高精密恒温恒湿超净间；超精密环境控制需求温度控制精度为 ±0.002~0.1℃，湿度控制精度为 ±1~5%，洁净度等级为百级到十级，在高精密恒温恒湿超净间中搭建精密环控系统，同时气流 / 风速 / 压差控制、CO₂浓度调节、噪音控制、环境参数闭环控制。
半导体洁净室中通常温度需要严格控制在20°C至25°C范围内，且温度波动不能超过±1°C。
高精密冷冻水机组是一种专为工业及特殊环境设计的制冷设备，通过精确的温度控制和高效制冷循环，为高精度制造、数据中心、医药生产等领域提供稳定可靠的冷却解决方案。其关键特点在于高能效、低波动性及智能化控制，满足严苛的温控需求。极测（南京）技术有限公司采⽤⾃研温控技术，高精密冷冻水机组冷冻⽔的出⽔温度蕞⾼精度可达±0.002℃。高精密冷冻水机组采用国际有名品牌压缩机，配套高质量高效能铜管制作的板式换热器及有名品牌电气元器件。使机组具有精度高、体积小、噪音低、寿命长、操作简便、高效节能等优点。高精密冷冻水机组采用自主研发高精度温度采集模块，准确测量实验舱内实时的温湿度数值并传输给控制器，冷冻水阀无级调节、无级调节电加热器、模拟量控制加湿器可根据实际实验舱需求调节输出功率。专为高精度恒温恒湿控制设计的PID算法，在运行过程中进行比例、积分、微分的计算并输出控制，使实验室内温度湿度处于稳定状态，绝dui焓湿量的控制策略，使控制实验舱内湿度控制快速准确，没有误操作误判断。晶圆需要经历一系列高精度的蚀刻、涂层、光刻等工艺，这些工艺都需要在特定的温度范围内进行。浙江微电子精密温控
系统可实现蕞高ISO Class 1级的洁净环境（每立方米≥0.1μm颗粒物≤10个）。黑龙江光学元件精密温控
光刻机是半导体制造中的关键设备，其功能是通过光学投影方式，将掩模版上的集成电路图形精确转移到涂有光刻胶的晶圆表面，实现电路图形的图形化转移工序。在芯片制造流程中，光刻环节是蕞为复杂且成本高昂的工艺步骤，其成本占晶圆制造总成本的三分之一，耗时占比达到 40%-60%，直接决定了芯片的制程精度与生产良率。其关键原理是利用高能激光作为光源，光束穿透掩模版后，经过聚光镜系统进行 1/16 比例的缩小，随后精zhun聚焦于晶圆表面，使光刻胶发生感光反应，从而完成电路图形的高精度复制。相当于在头发丝上刻出一座城市的地图，其复杂程度和技术挑战可想而知，也对运行使用环境有极高的要求。黑龙江光学元件精密温控
