企业商机

珠海正性光刻胶价格

LCD显示 • 彩色滤光片（CF）： ◦ 黑色矩阵（BM）光刻胶：隔离像素，线宽精度...

光刻胶基本参数

品牌
吉田半导体
型号
型号齐全

光刻胶企业商机

LCD显示

• 彩色滤光片（CF）：

◦ 黑色矩阵（BM）光刻胶：隔离像素，线宽精度±2μm，透光率<0.1%。

◦ RGB色阻光刻胶：形成红/绿/蓝像素，需高色纯度（NTSC≥95%）和耐光性。

• 阵列基板（Array）：

◦ 栅极绝缘层光刻胶：用于TFT-LCD的栅极图案化，分辨率≤3μm。

OLED显示（柔性/刚性）

• 像素定义层（PDL）光刻胶：在基板上形成有机发光材料的 confinement 结构，线宽精度±1μm，需耐溶剂侵蚀（适应蒸镀工艺）。

• 触控电极（如ITO/PET）：通过光刻胶图形化实现透明导电线路，线宽≤5μm。

Mini/Micro LED

• 巨量转移前的芯片制备：使用高分辨率光刻胶（分辨率≤5μm）定义微米级LED阵列，良率要求>99.99%。

光刻胶的显示面板领域。珠海正性光刻胶价格

• 化学反应：

◦ 正性胶：曝光后光敏剂（如重氮醌DQN）分解，生成羧酸，在碱性显影液中溶解；

◦ 负性胶：曝光后光敏剂引发交联剂与树脂形成不溶性网状结构。

5. 显影（Development）

• 显影液：

◦ 正性胶：碱性水溶液（如0.26N四甲基氢氧化铵TMAH），溶解曝光区域；

◦ 负性胶：有机溶剂（如二甲苯、醋酸丁酯），溶解未曝光区域。

• 方法：喷淋显影（PCB）或沉浸式显影（半导体），时间30秒-2分钟，需控制显影液浓度和温度。

6. 后烘（Post-Bake）

• 目的：固化胶膜，提升耐蚀刻性和热稳定性。

• 条件：

◦ 温度：100-150℃（半导体用正性胶可能更高，如180℃）；

◦ 时间：15-60分钟（厚胶或高耐蚀需求时延长）。

7. 蚀刻/离子注入（后续工艺）

• 蚀刻：以胶膜为掩膜，通过湿法（酸碱溶液）或干法（等离子体）刻蚀基板材料（如硅、金属、玻璃）；

• 离子注入：胶膜保护未曝光区域，使杂质离子只能注入曝光区域（半导体掺杂工艺）。

8. 去胶（Strip）

• 方法：

◦ 湿法去胶：强氧化剂（如硫酸+双氧水）或有机溶剂（如N-甲基吡咯烷酮NMP）；

◦ 干法去胶：氧等离子体灰化（半导体领域，无残留）。

苏州高温光刻胶吉田技术研发与生产能力。

依托自主研发与国产供应链，吉田半导体 LCD 光刻胶市占率达 15%，跻身国内前段企业。吉田半导体 YK-200 LCD 正性光刻胶采用国产树脂与单体，实现 100% 国产化替代。其分辨率 0.35μm，附着力 > 3N/cm，性能优于 JSR 的 AR-P310 系列。通过与国内多家大型企业的深度合作，产品覆盖智能手机、电视等显示终端，年供货量超 200 吨。公司建立国产原材料溯源体系，确保每批次产品稳定性，推动 LCD 面板材料国产化进程。

关键应用领域

半导体制造：

◦ 在晶圆表面涂覆光刻胶，通过掩膜曝光、显影，刻蚀出晶体管、电路等纳米级结构（如EUV光刻胶用于7nm以下制程）。

印刷电路板（PCB）：

◦ 保护电路图形或作为蚀刻抗蚀层，制作线路和焊盘。

显示面板（LCD/OLED）：

◦ 用于制备彩色滤光片、电极图案等。

微机电系统（MEMS）：

◦ 加工微结构（如传感器、执行器）。

工作原理（以正性胶为例）

1. 涂胶：在基材（如硅片）表面均匀旋涂光刻胶，烘干形成薄膜。

2. 曝光：通过掩膜版，用特定波长光线照射，曝光区域的光敏剂分解，使树脂变得易溶于显影液。

3. 显影：用显影液溶解曝光区域，留下未曝光的光刻胶图案，作为后续刻蚀或离子注入的掩蔽层。

4. 后续工艺：刻蚀基材（保留未被光刻胶保护的区域），或去除光刻胶（剥离工艺）。

吉田公司以无卤无铅配方与低 VOC 工艺打造光刻胶。

吉田半导体 JT-3001 厚板光刻胶：欧盟 RoHS 认证，PCB 电路板制造

凭借抗深蚀刻性能与环保特性，吉田 JT-3001 厚板光刻胶成为 PCB 行业材料。
吉田半导体推出的 JT-3001 厚板光刻胶，分辨率达 1.5μm，抗深蚀刻速率 > 500nm/min，适用于高密度电路板制造。产品通过欧盟 RoHS 认证，采用无卤无铅配方，符合环保要求。其优异的感光度与留膜率，确保复杂线路图形的成型，已应用于华为 5G 基站主板量产。公司提供从材料选型到工艺优化的全流程支持，助力客户提升生产效率与良率。

耐高温光刻胶 JT-2000，250℃环境稳定运行，图形保真度超 95%，用于纳米结构制造！江苏高温光刻胶国产厂商

半导体材料选吉田，欧盟认证，支持定制化解决方案!珠海正性光刻胶价格

技术挑战

光刻胶作为半导体、显示面板等高级制造的材料，其技术挑战主要集中在材料性能优化、制程精度匹配、复杂环境适应性以及产业自主化突破等方面

珠海正性光刻胶价格

• 高分辨率：随着半导体制程向3nm、2nm推进，需开发更高精度的EUV光刻胶，解决光斑扩散、线宽控制等问题。

• 灵敏度与稳定性：平衡感光速度和图案抗蚀能力，适应极紫外光（13.5nm）的低能量曝光。

• 国产化替代：目前光刻胶（如EUV、ArF浸没式）长期被日本、美国企业垄断，国内正加速研发突破。

光刻胶的性能直接影响芯片制造的良率和精度，是支撑微电子产业的“卡脖子”材料之一。

上一篇：茂名高温激光锡膏厂家

返回列表下一篇：深圳有铅锡片供应商

与光刻胶相关的文章

济南油性光刻胶工厂 2025-09-11

《电子束光刻胶：纳米科技与原型设计的利器》**内容：介绍专为电子束曝光设计的光刻胶（如PMMA、HSQ、ZEP）。扩展点：工作原理（电子直接激发/电离）、高分辨率优势（可达纳米级）、应用领域（科研、掩模版制作、小批量特殊器件）。《光刻胶材料演进史：从沥青到分子工程》**内容：简述光刻胶从早期天然材料（沥青、重铬酸盐明胶）到现代合成高分子（DNQ-酚醛、化学放大胶、EUV胶）的发展历程。扩展点：关键里程碑（各技术节点对应的胶种突破）、驱动力（摩尔定律、光源波长缩短）。光刻胶涂布工艺需控制厚度均匀性，为后续刻蚀奠定基础。济南油性光刻胶工厂金属氧化物光刻胶：EUV时代的潜力股基本原理：金属氧...

与光刻胶相关的产品

与光刻胶相关的问题

与光刻胶相关的热门

产品推荐

福建BGA无铅锡球 2025-10-17

肇庆锡球国产厂家 2025-10-14

江西锡球国产厂家 2025-10-11

湖北BGA有铅锡球价格 2025-10-09

惠州BGA锡球工厂 2025-10-07

查看更多 +