企业商机
三极管基本参数
  • 品牌
  • 南科功率
  • 型号
  • 齐全
  • 应用范围
  • 功率,复合,差分,放大,振荡,达林顿,高反压,带阻尼,开关,微波,磁敏,光敏
  • 材料
  • 锗(Ge),硅(Si)
三极管企业商机

三极管是一种重要的电子元件,普遍应用于各种电路中。三极管的作用:开关电路,三极管还可以作为开关使用。它可以控制电流的开关,将电流从一个电路传递到另一个电路。这种开关功能在数字电子设备和计算机中被普遍应用。在数字电子设备中,三极管可以将电流的开关控制与逻辑电路相结合,实现各种复杂的计算和操作。在计算机中,三极管可以实现二进制逻辑运算,完成各种数据处理和存储。三极管的开关功能使得电子设备能够更加灵活和高效地工作,提高了计算和控制的能力。三极管分为NPN型和PNP型,分别对应不同的工作方式和极性。绍兴PNP三极管

绍兴PNP三极管,三极管

极限参数:a.集电极较大允许电流ICM集电极较大允许电流是指当集电极电流IC增加到某一数值,引起β值下降到额定值的2/3或1/2时的IC值。所以当集电极电流超过集电极较大允许电流时,虽然不致使管子损坏,但β值明显下降,影响放大质量。b.集电极—基极击穿电压U(BR)CBO集电极—基极击穿电压是指当发射极开路时,集电结的反向击穿电压。c.发射极—基极反向击穿电压U(BR)EBO发射极—基极反向击穿电压是指当集电极开路时,发射结的反向击穿电压。d.集电极—发射极击穿电压U(BR)CEO集电极—发射极击穿电压是指当基极开路时,加在集电极和发射极之间的较大允许电压,使用时如果UCE>U(BR)CEO,管子就会被击穿。e.集电极较大允许耗散功率PCM集电极较大允许耗散功率是指管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的较大集电极耗散功率。绍兴PNP三极管三极管具有电流放大、电压放大的特性。

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三极管工作原理,三极管按材料差异可以分为:锗管三极管和硅管三极管两种,每一种有NPN和PNP两种结构形式,现在市面上使用较为普遍的为:锗PNP和硅NPN两种三极管,那么什么是三极管呢?N表示在高纯度硅中加入适当磷,在电压刺激下三极管产生自由电子导电,p指的是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电。这两种三极管除电源极性存在差异外,其工作原理都是相同的,对于NPN三极管,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,集电区与基区形成的PN结称之为集电结。

三极管结构,三极管的种类很多,按功率大小可分为大功率管和小功率管;按电路中的工作频率可分为高频管和低频管;按半导体材料不同可分为硅管和锗管;按结构不同可分为NPN管和PNP管。无论是NPN型还是PNP型都分为三个区,分别称为发射区、基区和集电区,由三个区各引出一个电极,分别称为发射极(E)、基极(B)和集电极(C),发射区和基区之间的PN结称为发射结,集电区和基区之间的PN结称为集电结。其结构和符号见下图1、图2所示,其中发射极箭头所示方向表示发射极电流的流向。三极管的优势在于其体积小、重量轻,且能够方便地集成到电路中,实现电子设备的微型化。

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半导体三极管的好坏检测:a.先选量程:R﹡100或R﹡1K档位;b.测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值。红表笔接基极,黑表笔接发射极,所测得阻值为发射极正向电阻值,若将黑表笔接集电极(红表笔不动),所测得阻值便是集电极的正向电阻值,正向电阻值愈小愈好。c.测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的反向电阻值。将黑表笔接基极,红表笔分别接发射极与集电极,所测得阻值分别为发射极和集电极的反向电阻,反向电阻愈小愈好。d.测量NPN型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值的方法和测量PNP型半导体三极管的方法相反。使用三极管时需要注意输入信号的幅度和频率范围,以避免过载或失真。广州半导体三极管厂家

三极管的工作可靠性较高,寿命较长。绍兴PNP三极管

基本结构三极管的内部构造非常简单,主要由三部分构成:基区:由pn型材料组成、起导电作用的部分称为本征层;集电极和发射极:分别由n型和p型的两种半导体制成、起开关作用的部分称为功能层或栅栏层;沟道和耗尽区:两个相邻的pn结之间有一条很窄的过渡区域叫做沟道。功能特点1.工作频率高;2.体积小;3.耗能低;4.动态特性好;5.稳定性好;6.噪声小;7.温度系数大;8.寿命长;9.抗辐射能力强;10.可靠性高 结构分类 按照外形可分为三种类型 :1、平面形晶体管;2、矩形晶体管;3、场效应晶体管。绍兴PNP三极管

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