绝缘栅场效应管:1、绝缘栅场效应管(MOS管)的分类:绝缘栅场效应管也有两种结构形式,它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道,它们又分为增强型和耗尽型两种。2、它是由金属、氧化物和半导体所组成,所以又称为金属—氧化物—半导体场效应管,简称MOS场效应管。3、绝缘栅型场效应管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管为例)它是利用UGS来控...
查看详细 >>三极管放大信号,三极管在放大信号时,首先要进入导通状态,即要先建立合适的静态工作点,也叫 建立偏置 ,否则会放大失真。我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流Ic。这两个电流的方向都是流入发射极的,所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。关于三极管β值:硅三极管β值常用范围为:3...
查看详细 >>二极管伏安特性曲线说明:1.反向特性,二极管两端加上反向电压时,在开始很大范围内,二极管相当于非常大的电阻,反向电流很小,且不随反向电压而变化。此时的电流称之为反向饱和电流IR,见图中OC(OC′)段。2.温度对特性的影响,由于二极管的主要是一个PN结,它的导电性能与温度有关,温度升高时二极管正向特性曲线向左移动,正向压降减小;反向特性曲...
查看详细 >>三极管的应用:放大作用,三极管较主要的功能就是放大功能。通过控制输入信号的大小,三极管可以对电流进行放大,从而实现对信号的增强。其基于小电流控制大电流的原则,通过较小的基极电流IB来控制较大的集电极电流IC。当基极电流IB有微小的变化时,会引发集电极电流IC和发射极电流IE的大幅度变化。这种“放大”并非将基极电流IB放大,而是通过控制输入...
查看详细 >>在汞弧阀(具有冷阴极的汞蒸气离子阀)中,一种难熔的导电阳极与一池作为阴极的液态汞之间会形成电弧,电压单位可达数百千瓦,这对高压直流输电的发展起到了促进作用。一些小型的热离子整流器有时候也用汞蒸气填充,以减少他们的正向压降并增加这种热离子强真空器件的电流额定值。因此近年来,在音响发烧友和录音棚所用的音频设备中,应用真空二极管的老式音频设备有...
查看详细 >>在操作中,一个单独的电流通过由镍铬合金制成的高电阻灯丝(加热器),将阴极加热到红热状态(800-1000℃)后可导致它释放电子到真空。这一过程即热发射。阴极通常涂有碱土金属氧化物,如钡或锶的氧化物。因为它们具有较低的功函数,可使发射的电子数量增加。有些真空管则直接加热钨丝,钨丝则既作为加热器也是阴极本身。交流电会在负极及与其同心的阳极板之...
查看详细 >>三极管简介,三极管,全称为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件,其作用是把基极电流的微小变化去控制集电极电流的巨大变化, 也用作无触点开关。单片机应用电路中三极管主要的作用就是开关作用。三极管的常用型号,三极管常用的型号有MMBTxxxx(单管)、MMDTxxxx(2合1三极管)、SS/Sxxxx(S...
查看详细 >>点接触式二极管,点接触式二极管和下文所述的面接触式二极管工作原理类似,不过构造较为简单。主要结构即为一个由第三主族金属制成的导电的顶端,和一块与其相接触的N型半导体。一些金属会进入半导体,接触面的这一小片区域就成为了P型半导体。长期流行的1N34锗型二极管,目前还在无线电接收器中的检波器中使用,并有时会在一些应用模拟电子的场合使用。整流动...
查看详细 >>变容二极管:变容二极管英文名称为Varactor Diodes,又称可变电抗二极管,是利用PN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的。反偏电压增大时结电容减小、反之结电容增大,变容二极管的电容量一般较小,其较大值为几十pF到几百pF,较大电容与较小电容之比约为5:1。它主要在高频电路中用作自动调谐、调频、调相等、例如在电视接收机的...
查看详细 >>计算导通损耗。MOSFET器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算,由于导通电阻随温度变化,因此功率耗损也会随之按比例变化。对便携 式设计来说,采用较低的电压比较容易(较为普遍),而对于工业设计,可采用较高的电压。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。关于RDS(ON)电 阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到...
查看详细 >>在1882年的时候,他们突然想了一个办法,将一片铜片放在灯丝和玻璃之间,以为能阻止灯丝的老化。很遗憾,这个办法不行。他们接下来在这个铜片上施加一定的电压希望能够改善灯丝的寿命,可是这样做依然无济于事。虽然,提高灯丝寿命的实验失败了,但是在这个过程中,他们发现了匪夷所思的事情那就是灯丝和铜片之间会有电流流过,而且加反向电压的时候没有电流流过...
查看详细 >>VMOS场效应管,VMOS场效应管(VMOSFET)简称VMOS管或功率场效应管,其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不只继承了MOS场效应管输入阻抗高(≥108W)、驱动电流小(左右0.1μA左右),还具有耐压高(较高可耐压1200V)、工作电流大(1.5A~100A)、输出功率高(1~...
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