浙江SIP封装价位

3D SIP。3D封装和2.5D封装的主要区别在于：2.5D封装是在Interposer上进行布线和打孔，而3D封装是直接在芯片上打孔和布线，电气连接上下层芯片。3D集成目前在很大程度上特指通过3D TSV的集成。物理结构：所有芯片及无源器件都位于XY平面之上且芯片相互叠合，XY平面之上设有贯穿芯片的TSV，XY平面之下设有基板布线及过孔。电气连接：芯片采用TSV与RDL直接电连接。3D集成多适用于同类型芯片堆叠，将若干同类型芯片竖直叠放，并由贯穿芯片叠放的TSV相互连接而成，见下图。类似的芯片集成多用于存储器集成，如DRAM Stack和FLASH Stack。SiP 兼具低成本、低功耗、高性能、小型化和多元化的优势。浙江SIP封装价位

3D主要有三种类型：埋置型、有源基板型、叠层型。其中叠层型是 当前普遍采用的封装形式。叠层型是在2D基础上，把多个裸芯片、封装芯片、多芯片组件甚至圆片进行垂直互连，构成立体叠层封装。可以通过三种方法实现：叠层裸芯片封装、封装堆叠直连和嵌入式3D封装。业界认定3D封装是扩展SiP应用的较佳方案，其中叠层裸芯片、封装堆叠、硅通孔互连等都是当前和将来3D封装的主流技术。并排放置（平面封装）的 SiP 是一种传统的多芯片模块封装形式，其中使用了引线键合或倒装芯片键合技术。WLCSP封装行价系统级封装（SiP）技术是通过将多个裸片（Die）及无源器件整合在单个封装体内的集成电路封装技术。

硅中介层具有TSV集成方式为2.5D集成技术中较为普遍的方式，芯片一般用MicroBump与中介层连接，硅基板做中介层使用Bump与基板连接，硅基板的表面采用RDL接线，TSV是硅基板上、下表面的电连接通道，该2.5D集成方式适用于芯片尺寸相对较大的场合，当引脚密度较大时，通常采用Flip Chip方式将Die键合到硅基板中。硅中介层无TSV的2.5D集成结构一般如下图所示，有一颗面积较大的裸芯片直接安装在基板上，该芯片和基板的连接可以采用Bond Wire 或者Flip Chip两种方式。大芯片上方由于面积较大，可以安装多个较小的裸芯片，但是小芯片无法直接连接到基板，所以需要插入一块中介层，若干裸芯片安装于中介层之上，中介层具有RDL布线可以从中介层边缘引出芯片信号，再经Bond Wire 与基板相连。这种中介层一般无需TSV，只需在interposer的上层布线来实现电气互连，interposer采用Bond Wire和封装基板连接。

系统集成封装（System in Package）可将多个集成电路 (IC) 和元器件组合到单个系统或模块化系统中，以实现更高的性能，功能和处理速度，同时大幅降低电子器件内部的空间要求。SiP的基本定义，SiP封装（System In Package系统级封装）是将多种功能芯片，包括处理器、存储器等功能芯片集成在一个封装内，从而实现一个基本完整的功能，与SOC（System On Chip系统级芯片）相对应。不同的是SiP是采用不同功能的芯片在基板上进行并排或叠构后组成功能系统后进行封装。而SOC则是将所需的组件高度集成在一块芯片上进行封装。在电源、车载通讯方面也开始进行了 SiP 探索和开发实践。

SiP的未来趋势和事例。人们可以将SiP总结为由一个衬底组成，在该衬底上将多个芯片与无源元件组合以创建一个完整的功能单独封装，只需从外部连接到该封装即可创建所需的产品。由于由此产生的尺寸减小和紧密集成，SiP在MP3播放器和智能手机等空间受限的设备中非常受欢迎。另一方面，如果只要有一个组件有缺陷，整个系统就会变得无法正常工作，从而导致制造良率下降。尽管如此，推动SiP更多开发和生产的主要驱动力是早期的可穿戴设备，移动设备和物联网设备市场。在当前的SiP限制下，需求仍然是可控的，其数量低于成熟的企业和消费类SoC市场。SiP是使用成熟的组装和互连技术，把各种集成电路器件集成到一个封装体内，实现整机系统的功能。WLCSP封装行价

先进封装的制造过程中，任何一个环节的失误都可能导致整个封装的失败。浙江SIP封装价位

封装（Package），是把晶圆上切下来的裸片装配为芯片较终产品的过程，简单地说，就是把制造厂生产出来的集成电路裸片放在一块起到承载作用的基板上，把管脚引出来，然后固定包装成为一个整体。作为动词，“封装”强调的是安放、固定、密封、引线的过程和动作；作为名词，“封装”主要关注封装的形式、类别、基底、外壳、引线材料，强调其保护芯片、增强电热性能、方便整机装配的重要作用。SiP封装是将不同功能的裸芯片，包括CPU、GPU、存储器等集成在一个封装体内，从而实现一整个芯片系统。浙江SIP封装价位