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    不失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25时反向电流为5uA，温度升高到75时，反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。测试二极管的好坏初学者在业余条件下可以使用万用表测试二极管性能的好坏。测试前先把万用表的转换开关拨到欧姆档的RX1K档位(注意不要使用RX1档，以免电流过大烧坏二极管)，再将红、黑两根表笔短路，进行欧姆调零。1、正向特性测试把万用表的黑表笔(表内正极)搭触二极管的正极，，红表笔(表内负极)搭触二极管的负极。若表针不摆到0值而是停在标度盘的中间，这时的阻值就是二极管的正向电阻，一般正向电阻越小越好。若正向电阻为0值，说明管芯短路损坏，若正向电阻接近无穷大值，说明管芯断路。短路和断路的管子都不能使用。2、反向特性测试把万且表的红表笔搭触二极管的正极，黑表笔搭触二极管的负极，若表针指在无穷大值或接近无穷大值，管子就是合格的。二极管的应用1、整流二极管利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。2、开关元件二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关;在反向电压作用下，电阻很大。 早期的真空电子二极管；它是一种能够单向传导电流的电子器件。陕西艾赛斯IXYS二极管模块工厂直销

[6]因此，在本征半导体的两个不同区域掺入三价和PN结五价杂质元素，便形成了P型区和N型区，根据N型半导体和P型半导体的特性，可知在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差异，电子和空穴都要从浓度高的区域向浓度低的区域扩散，它们的扩散使原来交界处的电中性被破坏。[6]二极管PN结单向导电性在PN结外加正向电压V，在这个外加电场的作用下，PN结的平衡状态被打破，P区中的空穴和N区的电子都要PN结移动，空穴和PN结P区的负离子中和，电子和PN结N区的正离子中和，这样就使PN结变窄。随着外加电场的增加，扩散运动进一步增强，漂移运动减弱。当外加电压超过门槛电压，PN结相当于一个阻值很小的电阻，也就是PN结导通。[6]二极管主要分类编辑二极管点接触型二极管点接触型二极管的PN结接触面积小，不能通过较大的正向电流和承受较高的反向电压，但它的高频性能好，适宜在高频检波电路和开关电路中使用[5]。二极管面接触型二极管面接触型二极管的PN结接触面积大，可以通过较大的电流，也能承受较高的反向电压，适宜在整流电路中使用[5]。河南进口艾赛斯IXYS二极管模块哪家好真空二极管和半导体二极管都可以用作散粒噪声发生器。

    [4]二极管发光二极管发光二极管是一种将电能直接转换成光能的半导体固体显示器件，简称LED(LightEmittingDiode)。和普通二发光二极管极管相似，发光二极管也是由一个PN结构成。发光二极管的PN结封装在透明塑料壳内，外形有方形、矩形和圆形等。发光二极管的驱动电压低、工作电流小，具有很强的抗振动和冲击能力、体积小、可靠性高、耗电省和寿命长等优点，广用于信号指示等电路中。[4]在电子技术中常用的数码管，发光二极管的原理与光电二极管相反。当发光二极管正向偏置通过电流时会发出光来，这是由于电子与空穴直接复合时放出能量的结果。它的光谱范围比较窄，其波长由所使用的基本材料而定。[4]二极管特性参数编辑用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。[4]二极管伏安特性二极管具有单向导电性，二极管的伏安特性曲线如图所示[5]。二极管的伏安特性曲线在二极管加有正向电压，当电压值较小时，电流极小；当电压超过，电流开始按指数规律增大，通常称此为二极管的开启电压；当电压达到约，二极管处于完全导通状态，通常称此电压为二极管的导通电压，用符号UD表示[4]。对于锗二极管，开启电压为。

    用两个半桥可组成一个桥式整流电路，一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路；在整流桥的每个工作周期内，同一时间只有两个肖特基二极管进行工作，通过肖特基二极管的单向导通功能，把交流电转换成单向的直流脉动电压。2、肖特基二极管的作用及其接法-开关肖特基二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用肖特基二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。由于肖特基二极管具有单向导电的特性，在正偏压下PN结导通，在导通状态下的电阻很小，约为几十至几百欧；在反向偏压下，则呈截止状态，其电阻很大，一般硅肖特基二极管在10ΜΩ以上，锗管也有几十千欧至几百千欧。利用这一特性，肖特基二极管将在电路中起到控制电流接通或关断的作用，成为一个理想的电子开关。基本的开关电路如图所示，在这个电路中，肖特基二极管的两端分别通过电阻连接到Vcc和GND上，肖特基二极管处于反向偏置的状态，不会导通。通过C1点施加的交流电压就无法通过肖特基二极管，在C2后无法检测到交流成分。在这张图中，肖特基二极管的接法与上图相反。 变容二极管（VaricapDiode）则用来当作电子式的可调电容器。

    外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。[5]当外加的反向电压高到一定程度时，PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。PN结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。[5]二极管PN结形成原理P型半导体是在本征半导体（一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体）掺入少量三价元素杂质，如硼等。P型和N型半导体因硼原子只有三个价电子，它与周围的硅原子形成共价键，因缺少一个电子，在晶体中便产生一个空位，当相邻共价键上的电子获得能量时就有可能填补这个空位，使硼原子成了不能移动的负离子，而原来的硅原子的共价键则因缺少一个电子，形成了空穴，但整个半导体仍呈中性。这种P型半导体中以空穴导电为主，空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子。[6]N型半导体形成的原理和P型原理相似。在本征半导体中掺入五价原子，如磷等。掺入后，它与硅原子形成共价键，产生了自由电子。在N型半导体中，电子为多数载流子。 在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。青海艾赛斯IXYS二极管模块厂家直销

甲半导体二极管，常用的类型的，是一个晶体具有连接到两个电气端子的pn结的半导体材料。陕西艾赛斯IXYS二极管模块工厂直销

    载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结长久性损坏。[5]二极管反向电流反向电流是指二极管在常温（25℃）和高反向电压作用过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250μA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500μA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25℃时反向电流为5μA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160μA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。[4]二极管动态电阻二极管特性曲线静态工作点附近电压的变化与相应电流的变化量之比。[4]二极管电压温度系数电压温度系数指温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量。[4]二极管高工作频率高工作频率是二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样，其结电容由势垒电容组成。所以高工作频率的值主要取决于PN结结电容的大小。若是超过此值。则单向导电性将受影响。 陕西艾赛斯IXYS二极管模块工厂直销