封闭式熔断器：封闭式熔断器分有填料熔断器和无填料熔断器两种，如图3和图4所示。有填料熔断器一般用方形瓷管，内装石英砂及熔体，分断能力强，用于电压等级500V以下、电流等级1KA以下的电路中。无填料密闭式熔断器将熔体装入密闭式圆筒中，分断能力稍小，用于500V以下，600A以下电力网或配电设备中。快速熔断器：快速熔断器主要用于半...

  熔断器的分类：瓷插式RC螺旋式RL有填料式RT无填料密封式RM快速熔断器RS自恢复熔断器它常用于380V及以下电压等级的线路末端，作为配电支线或电气设备的短路保护用。熔体上的上端盖有一熔断指示器，一旦熔体熔断，指示器马上弹出，可透过瓷帽上的玻璃孔观察到，它常用于机床电气控制设备中。螺旋式熔断器。分断电流较大，可用于电压等级50...

  检波肖特基二极管在电子电路中用来把调制在高频电磁波上的低频信号（如音频信号）检出来。一般高频检波电路选用锗点接触型检波二极管。它的结电容小，反向电流小，工作频率高。6、肖特基二极管的作用及其接法-变容变容肖特基二极管(VaractorDiodes)又称"可变电抗二极管"，是利用pN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的...

  图1所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N+区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区（包括P+和P一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannelregion）。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区（Drai...

  熔断器是一种过电流保护器。熔断器主要由熔体和熔管以及外加填料等部分组成。使用时，将熔断器串联于被保护电路中，当被保护电路的电流超过规定值，并经过一定时间后，由熔体自身产生的热量熔断熔体，使电路断开，从而起到保护的作用。以金属导体作为熔体而分断电路的电器，串联于电路中，当过载或短路电流通过熔体时，熔体自身将发热而熔断，从而对电力...

  导致VT1管进入饱和状态，VT1可能会发烧，严重时会烧坏VT1。如果VD1出现击穿故障，会导致VT1管基极直流偏置电压下降，三极管VT1直流工作电流减小，VT1管放大能力减小或进入截止状态。二极管控制电路及故障处理二极管导通之后，它的正向电阻大小随电流大小变化而有微小改变，正向电流愈大，正向电阻愈小；反之则大。利用二极管正向电...

  没有必要再引出控制极，所以，只有两个电极(阳极A和阴极K)。但其结构与普通晶闸管一样，是由4层PNP型器件构成的。光控晶闸管的外形及电路图形符号如图1所示。从外形上看，光控晶闸管有受光窗口，还有两条引脚和壳体，酷似光电二极管。[3]光控晶闸管工作原理编辑当在光控晶闸管的阳极加上正向电压、阴极加上负向电压时，如图2-(1)所示的...

  分两种情况：②若栅-射极电压UGE＜Uth，沟道不能形成，IGBT呈正向阻断状态。②若栅-射极电压UGE＞Uth，栅极沟道形成，IGBT呈导通状态（正常工作）。此时，空穴从P+区注入到N基区进行电导调制，减少N基区电阻RN的值，使IGBT通态压降降低。IGBT各世代的技术差异回顾功率器件过去几十年的发展，1950-60年代双极...

  如上所述，本实用新型的合封整流桥的封装结构及电源模组，具有以下有益效果：本实用新型的合封整流桥的封装结构及电源模组将整流桥、功率开关管、逻辑电路通过一个引线框架封装在同一个塑封体中，以此减小封装成本。附图说明图1显示为本实用新型的合封整流桥的封装结构的一种实现方式。图2显示为本实用新型的电源模组的一种实现方式。图3显示为本实用...

  2)双向晶闸管工作原理双向晶闸管可以等效为两个单向晶闸管反向并联，如图4-47所示。双向晶闸管可以控制双向导通，因此除控制极G外的另两个电极不再分阳极、阴极，而称之为主电极T1、T2。当有触发电压加至控制极G时，双向晶闸管导通，井在触发电压消失后仍维持导通状态，电流既可从T1经过VS2流向T2，又可从T2经过VS1流向Tl。当...

  所述负载连接于所述第三电容c3的两端。具体地，在本实施例中，所述负载为led灯串，所述led灯串的正极连接所述高压供电管脚hv，负极连接所述第三电容c3与所述一电感l1的连接节点。如图4所示，所述第二采样电阻rcs2的一端连接所述合封整流桥的封装结构1的采样管脚cs，另一端接地。本实施例的电源模组为非隔离场合的小功率led驱动...

  提到可控硅模块，人们都会想到它是一种类似于二极管的东西，但是详细作用往往不是特别了解，尤其是在电路中的作用更是知之甚少，下面，正高电气就在给你普及一下相关知识，详细讲解可控硅模块在电路中的作用。可控硅在电路中的作用一般有两种，主要是可控整流和无触点开关。可控整流：一般来说，普通的可控硅模块在电路中的用途就是可控整流，像大家都比...