江门小功率三极管厂家精选

三极管结构，三极管的种类很多，按功率大小可分为大功率管和小功率管；按电路中的工作频率可分为高频管和低频管；按半导体材料不同可分为硅管和锗管；按结构不同可分为NPN管和PNP管。无论是NPN型还是PNP型都分为三个区，分别称为发射区、基区和集电区，由三个区各引出一个电极，分别称为发射极（E）、基极（B）和集电极（C），发射区和基区之间的PN结称为发射结，集电区和基区之间的PN结称为集电结。其结构和符号见下图1、图2所示，其中发射极箭头所示方向表示发射极电流的流向。三极管的工作原理是基区注入和电场耦合效应。江门小功率三极管厂家精选

三极管的种类：1）低频小功率三极管，特征频率在3MHz以下，功率小于1W，一般作为小信号放大用；2）高频小功率三极管，特征频率大于3MHz，功率小于1W，主要用于高频振荡、放大电路；3）低频大功率三极管，特征频率小于3MHz，功率大于1W，低频大功率三极管品种较多，主要用于电子音响设备的低频功率放大电路，在各种大电流输出稳压电源中作为调整管。4）高频大功率三极管，特征频率大于3MHz，功率大于1W，主要用于通信等设备中进行功率驱动、放大；江门小功率三极管厂家精选对于高级电路设计者来说，掌握三极管的高级应用技巧，能够实现更为复杂的电路功能。

三极管的介绍：主要参数：1 电流放大系数： ⑴直流电流放大系数； ⑵交流电流放大系数； ⑶共基极电流放大系数。2 频率特性参数： ⑴共基极截止频率fa； ⑵共发射极截止频率fb； ⑶特性频率ft； ⑷较高振荡频率fm；3 极间反向电流： ⑴集电极－基极反向截止电流ICEO； ⑵集电极－发射极反向截止电流ICBO；4 极限参数： ⑴集电极－发射极反向击穿电压V（BR）CEO（BVCEO）； ⑵集电极－基极反向击穿电压V（BR）CBO（BVCBO）； ⑶发射极－基极反向击穿电压V（BR）EBO（BVEBO）；⑷集电极较大允许电流ICM； ⑸集电极较大允许耗散功率PCM。

交流参数：a.交流电流放大系数β（或hFE）交流电流放大系数是指采用共发射极接法时，集电极输出电流的变化量ΔIC与基极输入电流的变化量ΔIB之比。b.截止频率fβ、fα晶体管的频率参数描述晶体管的电流放大系数对高频信号的适应能力。根据fβ的定义，所谓共射截止频率，并非说明此时晶体管已经完全失去放大作用，而只是共射电流放大系数的幅频特性下降了3dB。c.特征频率因为信号频率ƒ上升时，晶体管的β就下降，当β下降到1时，所对应的信号频率称为共发射极特征频率，是表征晶体管高频特性的重要参数。三极管的封装可选择塑封、金属封装等形式，以满足不同需求。

三极管主要参数，三极管的参数有很多，可以分成三大类：直流参数、交流参数、极限参数。1、直流参数，共发射极直流放大倍数：共发射极电路中，没有交流输入时，集电极电流与基极电流之比；集电极-基极反向截至电流：发射极开路时，集电极上加有规定的反向偏置电压，此时的集电极电流称为集电极-基极反向截止电流；集电极-发射极反向截止电流：又称穿透电流，基极开路时，流过集电极与发射极之间的电流。2、交流参数，共发射极电流放大倍数：三极管接成共发射极放大器时的交流电流放大倍数；共基极放大倍数：三极管接成共基极放大器时的交流电流放大倍数；特征频率：三极管工作频率超过一定程度时，电流放大倍数开始下降，放大倍数下降到1时的频率即为特征频率。3、极限参数，集电极较大允许电流：集电极电流增大时三极管电流放大倍数减小，当放大倍数减小到低中频端电流放大倍数的1/2或1/3时所对引得集电极电流。集电极-发射极击穿电压：三极管基极开路时，集电极与发射极之间的较大允许电压；集电极较大允许耗散功率：三极管因受热而引起的参数变化不超过规定值时，集电极所消耗的较大功率。三极管的工作速度较快，可以实现高频率的信号放大和开关。江门小功率三极管厂家精选

三极管的封装形式多样，常见的有TO-92、TO-220等。江门小功率三极管厂家精选

三极管的分类：晶体三极管按材料分类：锗管和硅管。晶体三极管按工作频率分类：小于3MHz为低频;3MHz。晶体三极管按输出功率分类：小于1W为小功率管;1W。晶体三极管按结构分类：NPN型和PNP型，区分两种三极管的关键是看发射极的箭头指向。NPN型三极管： 由两块N型和一块P型半导体组成，P型半导体在中间，两块N型半导体在两侧。PNP型三极管： 由两块P型半导体中间夹着一块N型半导体所组成的三极管，也可以描述成，电流从发射极E流入的三极管。江门小功率三极管厂家精选