马鞍山高频三极管

高、低频小功率管，高频小功率三极管一般指特征频率大于3MHz，功率小于1W的晶体三极管。主要使用于工作频率比较高，功率不高于1W的放大电路，高频振荡电路。比如在晶体管收录机、收音机、电视机的高频电路中，可选用高频小功率管。如3CG3A—E，3DG6A－D。低频小功率三极管一般指功率小于1W，特征频率小于3MHz的三极管。主要用于电子设备的功率放大电路、低频放大电路。低功率放大电路用的小功率管一般工作在小信号状态，这样三极管的放大特性近于线性，将三极管等效为线性器件。如3AX81A, 3AX31 , 3BX31 , DX601等。三极管的放大倍数可达数百至数千倍适用于信放大。马鞍山高频三极管

晶体管的分类 晶体管的种类很多，按照不同的标准可分为多种类型：按导电方式分有npn型晶体管和 pnp型晶体管；按结构形式分有双极性管（bjt）和三极型晶体管等；按工作电流分有小功率管（小于1a）、大功率管（1~10a）等； 按照用途来分则有普通型和特种型之分：普通型的特点是价格便宜量多且工艺成熟可靠性强应用范围广但随着集成技术的发展它的价格已呈下降趋势 特种型的特点是在特定的条件下其特性曲线发生突变或受环境因素的影响使性能不稳定甚至失效因此这类器件的使用要受到严格的限制 应用于高频小信号处理中的mosfet就属于特种类型的半导体器件.深圳半导体三极管参考价三极管由发射极、基极和集电极组成，控制电流从发射极到集电极的放大。

硅三极管比锗管反向漏电流小，输出特性平直、耐压比较高，温度特性较好。常用型号有：3DG系列高频小功率硅三极管、3DX系列硅低频管、3DA系列硅高频大功率管、3CG系列硅高频管、3CK系列开关三极管、3CX系列硅低频管等。高频管和低频管（按特征频率分），特征频率fT小于3MHz的为低频管；大于3MHz的为高频管。目前多用硅材料制成三极管，特征频率一般都大于3MHz，因此高频管和低频管的界线已不那么明显。超高频低噪声管，一般用于超高频、高频放大电路，振荡和混频电路。具有正自动增益的管科用于电视机的前级中放，微波的噪声管科用于微波通信设备坐小信号放大。

三极管的工作原理。三极管的工作原理基于小电流控制大电流的原则，其工作机制像一个可控制的阀门。根据不同的工作状态和连接方式，三极管主要可以分为三种类型：共基极（CB）、共集电极（CC）和共发射极（CE）。共基极（CB）：基极端子在输入和输出端子之间是公共的。共集电极（CC）：集电极端子在输入和输出端子之间是公共的。共发射极（CE）：发射极端子在输入和输出端子之间是公共的。三极管的3种状态：三极管有三种状态：截止状态、放大状态和饱和状态。我们可以把三极管想象成一个水管。三极管使用寿命受温度、工作状态和频率等因素影响，需谨慎使用和保养。

半导体三极管的好坏检测：a.先选量程：R﹡100或R﹡1K档位；b.测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值。红表笔接基极，黑表笔接发射极，所测得阻值为发射极正向电阻值，若将黑表笔接集电极（红表笔不动），所测得阻值便是集电极的正向电阻值，正向电阻值愈小愈好。c.测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的反向电阻值。将黑表笔接基极，红表笔分别接发射极与集电极，所测得阻值分别为发射极和集电极的反向电阻，反向电阻愈小愈好。d.测量NPN型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值的方法和测量PNP型半导体三极管的方法相反。开关三极管可以用于实现数字逻辑门、计时器和脉冲发生器等电子电路。深圳半导体三极管参考价

绝缘栅场效应晶体管（IGBT）是一种高功率、高频率开关管，适用于电力电子领域。马鞍山高频三极管

基本结构三极管的内部构造非常简单，主要由三部分构成：基区：由pn型材料组成、起导电作用的部分称为本征层；集电极和发射极：分别由n型和p型的两种半导体制成、起开关作用的部分称为功能层或栅栏层；沟道和耗尽区：两个相邻的pn结之间有一条很窄的过渡区域叫做沟道。功能特点1.工作频率高；2.体积小；3.耗能低；4.动态特性好；5.稳定性好；6.噪声小；7.温度系数大；8.寿命长；9.抗辐射能力强；10.可靠性高 结构分类 按照外形可分为三种类型 ：1、平面形晶体管；2、矩形晶体管；3、场效应晶体管。马鞍山高频三极管