贵州半导体芯片特种封装测试

有核和无核封装基板，有核封装基板在结构上主要分为两个部分，中间部分为芯板，上下部分为积层板。有核封装基板制作技术是基于高密度互连（HDI）印制电路板制作技术及其改良技术。无核基板，也叫无芯基板，是指去除了芯板的封装基板。新型无核封装基板制作主要通过自下而上的电沉积技术制作出层间导电结构—铜柱。它只使用绝缘层（Build-up Layer）和铜层通过半加成（SemiAdditive Process，缩写为SAP）积层工艺实现高密度布线。积层图形制作方法：HDI，常规的HDI技术线路制作是靠减成法（蚀刻法）完成，改良型HDI技术主要是采用半加成法（电沉积铜技术）同时完成线路和微孔制作。减成法，减成法（Subtractive），在敷铜板上，通过光化学法，网印图形转移或电镀图形抗蚀层，然后蚀刻掉非图形部分的铜箔或采用机械方式去除不需要部分而制成印制电路PCB。加成法，加成法（Additive），在绝缘基材表面上，有选择性地沉积导电金属而形成导电图形的方法。金属封装和陶资封裝属于气密性封装，气密性、抗潮湿性能好。贵州半导体芯片特种封装测试

SO类型封装，SO类型封装有很多种类，可以分为：SOP（小外形封装）、TOSP（薄小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、VSOP（甚小外形封装）、SOIC（小外形集成电路封装）等类似于QFP形式的封装，只有两边有管脚的芯片封装形式，该类型的封装是表面贴装型封装之一，引脚从封装两侧引出呈“L”字形。该类型封装的典型特点就是在封装芯片的周围做出很多引脚，封装操作方便、可靠性比较高、焊接也比较方便，如常见的SOP-8等封装在各种类型的芯片中被大量使用。四川PCBA板特种封装参考价常见的七种 MOS 管封装类型：DIP、TO、PGA、D-PAK、SOT、SOP 和 QFP。

无核封装基板制作技术不需要蚀刻铜箔制作电子线路，突破了HDI途径在超精细线路制作方面存在的技术瓶颈，成为档次高封装基板制造的好选择技术。另外，该技术采用电沉积铜制作电气互连结构，故互连结构的电沉积铜技术已经是无核封装基板制作的主要技术之一。封装技术的演进，即使是较古老的封装技术仍然在使用这里。但是，通过从线键到倒装芯片外部设备再到阵列封装、缩小I/O间距、更小的封装体和多组件模块，以实现更高密度封装是明显的趋势。

封装基板的主流生产技术，主要的积层精细线路制作方法，半导体封装基板层间互联、积层精细线路制作方法是从高密度互联/积层多层（High Density Interconnection/Build up Multilayer，HDI/BUM）衍生而来，HDI/BUM板制造工艺技术种类繁多，通过可生产性、可靠性和成本等各方面的优胜劣汰和市场选择，目前比较成熟的工艺集中在3-5种。早期的集成电路封装基板由于封装芯片I/O数有限，其主流制作技术是印制电路板制造通用技术—蚀刻铜箔制造电子线路技术，属于减成法。直插封装：1、晶体管外形封装（TO）；2、双列直插式封装（DIP）；3、插针网格阵列封装（PGA）。

随着芯片减薄工艺的发展，对封装提出了更高的要求。封装环节关系到IGBT是否能形成更高的功率密度，能否适用于更高的温度、拥有更高的可用性、可靠性，更好地适应恶劣环境。IGBT模块封装是将多个IGBT集成封装在一起，以提高IGBT模块的使用寿命和可靠性，体积更小、效率更高、可靠性更高是市场对IGBT模块的需求趋势。常见的模块封装技术有很多，各生产商的命名也不一样，如英飞凌的62mm封装、TP34、DP70等等。一个IGBT模块的封装需经历贴片、真空焊接、等离子清洗、X-RAY照线光检测、键合、灌胶及固化、成型、测试、打标等等的生产工序。在制作 MOS 管之后，需要给 MOS 管芯片加上一个外壳，这就是 MOS 管封装。广东PCBA板特种封装厂商

模块封装是将封装芯片、器件和电路封装在一起，形成一个新的电器模块。贵州半导体芯片特种封装测试

芯片封装类型有很多种，常见的几种包括：1. BGA封装（Ball Grid Array）：BGA封装是一种引脚以焊球形式存在于底部的封装形式。它提供更高的引脚密度和更好的热散发性能，普遍应用于高性能和大功率芯片。2. LGA封装（Land Grid Array）：LGA封装与BGA类似，但引脚为焊盘形状，而不是焊球形状。LGA封装通常在高频率和高速通信的应用中使用。此外，还有CSP封装（Chip Scale Package）、TSOP封装（Thin Small Outline Package）、PLCC封装（Plastic Leaded Chip Carrier）等多种封装类型，每种都有其适用的特定场景和优势。选择合适的封装类型取决于芯片的功能、功率需求、尺寸限制和制造工艺等因素。贵州半导体芯片特种封装测试