沟道增强型MOSFET场效应管的工作原理:vGS对iD及沟道的控制作用① vGS=0 的情况,增强型MOS管的漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结。当栅——源电压vGS=0时,即使加上漏——源电压vDS,而且不论vDS的极性如何,总有一个PN结处于反偏状态,漏——源极间没有导电沟道,所以这时漏极电流iD≈0。② vGS>0 的情况,若v...
查看详细 >>晶体二极管分类如下:1、台面型二极管,PN结的制作方法虽然与扩散型相同,但是,只保留PN结及其必要的部分,把不必要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形,因而得名。初期生产的台面型,是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此,又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说,似乎大电流整流用的产品型号很少,而小电流开关用的产品型号却很多...
查看详细 >>稳压二极管和普通二极管应用场景区别,由于稳压二极管具有稳定的电压支撑作用,因此它主要应用于需要高精度控制电压的电路中。例如,在通信设备中,稳压二极管可以确保电路中的电压稳定,从而保证通信质量;在电源设备中,稳压二极管可以稳定输出电压,保护电子设备免受电压波动的影响;在工业自动化设备中,稳压二极管可以确保设备的稳定运行,提高生产效率。而普通...
查看详细 >>场效应管注意事项:(1)结型场效应管的栅源电压不能接反,可以在开路状态下保存,而绝缘栅型场效应管在不使用时,由于它的输入电阻非常高,须将各电极短路,以免外电场作用而使管子损坏。(2)焊接时,电烙铁外壳必须装有外接地线,以防止由于电烙铁带电而损坏管子。对于少量焊接,也可以将电烙铁烧热后拔下插头或切断电源后焊接。特别在焊接绝缘栅场效应管时,要...
查看详细 >>三极管能够放大信号的理解,三极管具有电流放大作用,它是一个电流控制器件。所谓电流控制器件是指,它用很小的基极电流来控制比较大的集电极电流和发射极电流。三极管电路中,三极管输出电流(集电极电流、发射极电流)是由直流电源提供的,基极电流则是一部分由所要放大的信号源电路提供,另一部分也是由直流电源提供。基极电流分为两部分:直流电源提供的静态偏置...
查看详细 >>20世纪初,由于无线电接收器探测器的需要,热离子二极管(真空管)和固态二极管(半导体二极管)大约在相同的时间分别研发。直到20世纪50年代之前,真空管二极管在收音机中都更为常用。这是因为早期的点接触式半导体二极管(猫须探测器)并不稳定,并且那时大多数的收音机放大器都是由真空管制成,二极管可以直接放入其中。而且那时真空管整流器和充气整流器处...
查看详细 >>什么叫二极管?二极管分为哪几种?二极管的主要参数有哪些?二极管基础概念,二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode),另外,还有早期的真空电子二极管;它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子,这种电子器件按照外加电压的方向,具备单向电流的转导性。一般来讲,晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结...
查看详细 >>光敏(光电)三极管,光敏三极管的基区面积比普通三极管大,而发射区面积较小。光敏三极管具有对光电信号的放大作用,当光电信号从基极(大多数光窗口即为基极)输入时,激发了基区半导体,产生电子和空穴的运动,从而在发射区有空穴的积累,相等于在发射极施加了正向偏压,使光敏三极管有放大作用。通过光敏三极管就得到了随入射光变化而放大的电信号。使用于光探测...
查看详细 >>1874年,德国物理学家卡尔·布劳恩在卡尔斯鲁厄理工学院发现了晶体的整流能力。因此1906年开发出的头一代二极管——“猫须二极管”是由方铅矿等矿物晶体制成的。早期的二极管还包含了真空管,真空管二极管具有两个电极 ,一个阳极和一个热式阴极。在半导体性能被发现后,二极管成为了世界上头一种半导体器件。现如今的二极管大多是使用硅来生产,锗等其它半...
查看详细 >>沟道增强型MOSFET场效应管的工作原理:vGS对iD及沟道的控制作用① vGS=0 的情况,增强型MOS管的漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结。当栅——源电压vGS=0时,即使加上漏——源电压vDS,而且不论vDS的极性如何,总有一个PN结处于反偏状态,漏——源极间没有导电沟道,所以这时漏极电流iD≈0。② vGS>0 的情况,若v...
查看详细 >>稳压二极管和普通二极管电性能区别,稳压二极管和普通二极管在电性能方面也存在明显差异。稳压二极管的电性能主要表现在稳定的工作电压、稳定的反向阻断电压和低动态电阻等方面。这使得稳压二极管在需要高精度控制电压的电路中表现出色,如通信设备、电源设备、工业自动化设备等。而普通二极管在正向导通时具有很低的电阻值,允许电流顺畅通过;在反向截止时则有较高...
查看详细 >>MOS管开关电路图:头一种应用,由PMOS来进行电压的选择,当V8V存在时,此时电压全部由V8V提供,将PMOS关闭,VBAT不提供电压给VSIN,而当V8V为低时,VSIN由8V供电。注意R120的接地,该电阻能将栅极电压稳定地拉低,确保PMOS的正常开启,这也是前文所描述的栅极高阻抗所带来的状态隐患。D9和D10的作用在于防止电压的倒...
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