VMOS场效应管,VMOS场效应管(VMOSFET)简称VMOS管或功率场效应管,其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不只继承了MOS场效应管输入阻抗高(≥108W)、驱动电流小(左右0.1μA左右),还具有耐压高(较高可耐压1200V)、工作电流大(1.5A~100A)、输出功率高(1~...
查看详细 >>什么是三极管,三极管,不管是在模电还是数电中都是常见的电子器件,利用它的特性,在模电中通常作放大作用,而在数电中则作开关或者逻辑转换。三极管的主要结构是PN结,可以是NPN组合,也可以是PNP组合。三极管较基本的作用是放大,把微弱的电信号放大成一定强度的信号,实际是将电源能量转换成信号的能量。三极管是电流控制器件,但是本身不能把小电流变成...
查看详细 >>场效应管的用途:一、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。二、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。三、场效应管可以用作可变电阻。四、场效应管可以方便地用作恒流源。五、场效应管可以用作电子开关。场效应管在电子应用中非常普遍,了解基础知识...
查看详细 >>功能,二极管具有阳极和阴极两个端子,电流只能往单一方向流动。也就是说,电流可以从阳极流向阴极,而不能从阴极流向阳极。对二极管所具备的这种单向特性的应用,通常称之为“整流”功能。在真空管内,借由电极之间加上的电压能够让热电子从阴极到达阳极,因而有整流的作用。将交流电转变为脉动直流电,包括无线电接收器对无线电信号的调制,都是通过整流来完成的。...
查看详细 >>如果我们在图1中,将电阻Rc换成一个灯泡,那么当基极电流为0时,集电极电流为0,灯泡灭。如果基极电流比较大时(大于流过灯泡的电流除以三极管的放大倍数β),三极管就饱和,相当于开关闭合,灯泡就亮了。由于控制电流只需要比灯泡电流的β分之一大一点就行了,所以就可以用一个小电流来控制一个大电流的通断。如果基极电流从0慢慢增加,那么灯泡的亮度也会随...
查看详细 >>光电二极管,光电二极管又称光敏二极管,英文名称为Photo-Diode,光电二极管是在反向电压作用之下工作的,在一般照度的光线照射下,所产生的电流叫光电流。如果在外电路上接上负载,负载上就获得了电信号,而且这个电信号随着光的变化而相应变化。光电二极管和发光二极管外形很像,只不过前者是被动接受光源导通电路,后者是主动发出光源,因此光电二极管...
查看详细 >>二极管特性及参数:1、二极管伏安特性,导通后分电压值约为 0.7 V(硅管)或0.3V(锗管)(LED 约为 1-2 V,电流 5-20 mA)。反向不导通,但如果达到反向击穿电压,那将导通(超过反向较大电压可能烧坏)。正向电压很小时不导通(0.5 V 以上时才导通)。2、主要参数:较大整流电流 I_FIF: 表示长期运行允许的较大正向平...
查看详细 >>雪崩二极管,雪崩二极管的英文名称为Avalanche diode,它是利用半导体结构中载流子的碰撞电离和渡越时间两种物理效应而产生负阻的固体微波器件。当反向电压增大到一定数值时,PN结被反向击穿,载流子倍增就像雪崩一样,反向电流突然快速增加。雪崩二极管用于在特定反向偏置电压下经历雪崩击穿,从而阻止电流集中到某一点,通常做为安全阀使用,用于...
查看详细 >>早期的真空电子二极管;它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子,这种电子器件按照外加电压的方向,具备单向电流的传导性。一般来讲,晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层,构成自建电场。当外加电压等于零时,由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和...
查看详细 >>三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号,具有电流放大作用,也用作无触点开关,是电子电路的主要元件。三极管的作用:1、放大作用。三极管的单向导电性,使得它很容易把信号放大到很大。2、开关作用。在交流电路中,当输入的电流超过某一值后,三极管就会导通;...
查看详细 >>三极管基本概念,双极性晶体管的全称为双极性结型晶体管,也就是我们常说的三极管。三极管顾名思义具有三个电极。前面的二极管是由一个P-N结构成的,而三极管由两个PN结构成,共用的一个电极成为三极管的基极(用字母b表示)。其他的两个电极成为集电极(用字母c表示)和发射极(用字母e表示)。由于不同的组合方式,形成了一种是NPN型的三极管,另一种是...
查看详细 >>搭建如下电路,使集电结反偏,发射结正偏。反向偏置的集电结在外部电场的帮助下变宽,同时正向偏置的发射结,由于内部电场被削弱,自由电子扩散运动增强,发射区内部的大量自由电子扩散到了基区,被集电结的内部电场捕获,被电场加速送到了集电结,集电区内部的自由电子被反向偏置电压吸出,产生大量空穴,这些空穴收集发射过来的电子,从而形成集电极电流Ic。发射...
查看详细 >>