电流放大原理，下面的分析只对于NPN型硅三极管.我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流 Ic.这两个电流的方向都是流出发射极的,所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向.三极管的放大作用就是：集电极电流受基极电流的控制(假设电源 能够提供给集电极足够大的电流的话),并且基极电流很...

场效应管的作用：1、场效应管可应用于放大，由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换，常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。3、场效应管可以用作可变电阻。4、场效应管可以方便地用作恒流源。5、场效应管可以用作电子开关。场效应管的分类：场效应管分为结型场效应管（...

三极管的起源，1947年12月23日，巴丁博士、布莱顿博士和肖克莱博士发现，在他们发明的器件中通过的一部分微量电流，竟然可以控制另一部分流过的大得多的电流，因而产生了放大效应，这个器件就叫晶体管。三极管的发展沿革，在晶体管电子流出端的衬底外，沉积一层对应材料，当电子流过时，需要从衬底吸入热量，这就为晶体管主要散热提供一个很好的途径，因为带...

MOS管参数：功率MOSFET的一定较大额定值：注①：漏源较大电压VDSS，可视为反向施加在体二极管两端的电压值，故只有一个方向。注②：栅源较大电压VGSS，即施加在栅极电极与源极电极之间的电压，由于栅极与P型半导体衬底中加了SiO2绝缘层，只要电压一定值超过绝缘层耐压均会击穿，故有两个方向“±”。注③：漏级较大电流ID与体二极管流过的反...

三极管的作用：扩流。把一只小功率可控硅和一只大功率三极管组合，就可得到一只大功率可控硅，其较大输出电流由大功率三极管的特性决定，见附图9(a)。图9(b)为电容容量扩大电路。利用三极管的电流放大作用，将电容容量扩大若干倍。这种等效电容和一般电容器一样，可浮置工作，适用于在长延时电路中作定时电容。用稳压二极管构成的稳压电路虽具有简单、元件少...

场效应管由源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）三个主要部分组成。在JFET中，栅极和通道之间通过PN结隔离；而在MOSFET中，栅极和通道之间由一层绝缘材料（通常是二氧化硅）隔离。当在栅极施加适当的电压时，会在栅极下方的半导体中形成一个导电沟道，从而控制漏极和源极之间的电流流动。主要参数阈值电压（Vth）：使场效应管...

场效应晶体管：截止区：当 UGS 小于开启电压 UGSTH时，MOS 不导通。可变电阻区：UDS 很小，I_DID 随UDS 增大而增大。恒流区：UDS 变化，I_DID 变化很小。击穿区：UDS 达到一定值时，MOS 被击穿，I_DID 突然增大，如果没有限流电阻，将被烧坏。过损耗区：功率较大，需要加强散热，注意较大功率。场效应管主要参...

N沟道耗尽型MOSFET场效应管的基本结构：a.结构：N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似。b.区别：耗尽型MOS管在vGS=0时，漏——源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。c.原因：制造N沟道耗尽型MOS管时，在SiO2绝缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na+或K+(制造P沟道耗尽型MO...

二极管，二极管的主要功能就是单向导电，也就是电流只能从二极管的一个方向通过，反向电流就不让过！在我们日常生活中也有类似功能的物品，比如我们小时候经常见到的鱼篓盖子，通过这个盖子只能放鱼进去，鱼却无法再跑出来！也许您会说我从小就在城市里长大，没看到过鱼篓，不知道长啥样。没有关系，我这就把鱼篓的图片发出来，保证你能看明白。鱼篓和鱼篓盖子，这个...

三极管的作用，晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管较基本的和较重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。三极管的作用：代换。图9(d...

变容二极管：变容二极管英文名称为Varactor Diodes，又称可变电抗二极管，是利用PN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的。反偏电压增大时结电容减小、反之结电容增大，变容二极管的电容量一般较小，其较大值为几十pF到几百pF，较大电容与较小电容之比约为5:1。它主要在高频电路中用作自动调谐、调频、调相等、例如在电视接收机的...

开始形成沟道时的栅——源极电压称为开启电压，用VT表示。上面讨论的N沟道MOS管在vGS＜VT时，不能形成导电沟道，管子处于截止状态。只有当vGS≥VT时，才有沟道形成。这种必须在vGS≥VT时才能形成导电沟道的MOS管称为增强型MOS管。沟道形成以后，在漏——源极间加上正向电压vDS，就有漏极电流产生。vDS对iD的影响：当vGS>VT...