肇庆高稳定场效应管供应商

场效应管由源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）三个主要部分组成。在JFET中，栅极和通道之间通过PN结隔离；而在MOSFET中，栅极和通道之间由一层绝缘材料（通常是二氧化硅）隔离。当在栅极施加适当的电压时，会在栅极下方的半导体中形成一个导电沟道，从而控制漏极和源极之间的电流流动。主要参数阈值电压（Vth）：使场效应管开始导电的较小栅极电压。阈值电压是场效应管从截止区（Cutoff Region）过渡到饱和区（Saturation Region）的临界电压。当栅极-源极电压（VGS）低于Vth时，场效应管处于关闭状态，通道不导电；当VGS超过Vth时，通道形成，电流开始流动。场效应管的主要作用是在电路中放大或开关信号，用于控制电流或电压。肇庆高稳定场效应管供应商

现在的高清、液晶、等离子电视机中开关电源部分除了采用了PFC技术外，在元器件上的开关管均采用性能优异的MOS管取代过去的大功率晶体三极管，使整机的效率、可靠较大程度上提高，故障率大幅的下降。MOS管和大功率晶体三极管在结构、特性有着本质上的区别，所以在应用上，它的驱动电路比晶体三极管复杂。所有的FET都有栅极（gate）、漏极（drain）、源极（source）三个端，分别大致对应双极性晶体管的基极（base）、集电极（collector）和发射极（emitter）。肇庆高稳定场效应管供应商场效应管具有较长的使用寿命，可靠性高，降低了设备的维护成本。

场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名，场效应管[2]是常见的电子元件，属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。场效应晶体管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分别发明，但是实用的器件一直到1952年才被制造出来（结型场效应管），1960年Dawan Kahng发明了金属氧化物半导体场效应晶体管，从而大部分代替了JFET，对电子行业的发展有着深远的意义。

场效应管注意事项：（1）为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，较大漏源电压、较大栅源电压和较大电流等参数的极限值。（2）各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接入电路中，要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结，N沟道管栅极不能加正偏压；P沟道管栅极不能加负偏压，等等。（3）MOS场效应管由于输入阻抗极高，所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意，不能将MOS场效应管放入塑料盒子内，保存时较好放在金属盒内，同时也要注意管的防潮。场效应管的工作原理基于电场对半导体材料中电荷分布的影响，从而改变其导电性能。

MOS管参数：功率MOSFET的一定较大额定值：注①：漏源较大电压VDSS，可视为反向施加在体二极管两端的电压值，故只有一个方向。注②：栅源较大电压VGSS，即施加在栅极电极与源极电极之间的电压，由于栅极与P型半导体衬底中加了SiO2绝缘层，只要电压一定值超过绝缘层耐压均会击穿，故有两个方向“±”。注③：漏级较大电流ID与体二极管流过的反向漏级较大电流IDR（或称为IS）一般规格书中数值一致，均为流过N型半导体与P型半导体衬底形成的PN结的较大电流。注④：ID（pulse）需要看施加电流的脉冲宽度，脉宽不一致的不能沿用规格书数据。注⑤：雪崩电流IAP同样需要关注脉冲宽度。场效应管有多种类型，如JFET、MOSFET等，满足不同应用需求。肇庆高稳定场效应管供应商

场效应管的优势在于低噪声、高放大倍数和低失真，适用于高要求的音频放大电路中。肇庆高稳定场效应管供应商

MOSFET选型注意事项：MOSFET的选型基础MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导 通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS(ON)。必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总 是要在栅极加上一个电压。如果栅极为悬空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电 压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即IDSS。肇庆高稳定场效应管供应商