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  • 广东肖特基二极管MBRF10200CT

      肖特基二极管的特性和应用是一个非常而且复杂的话题,这里总结了一些关键的特性和应用方面。除了上述提到的优点和应用外,肖特基二极管还在一些特殊的应用领域有着独特的作用,例如:1.太阳能电池:肖特基二极管被应用于太阳能电池中,用于防止夜间或云层遮挡导致的逆向电流损耗,从而提高太阳能电池组件的效率和稳定性。2.混频器和检波器:在收音机、雷达等射频...

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    22 2024-06
  • TO263封装的快恢复二极管MUR2040CTR

      快恢复二极管-ITO-220ACUF801F~UF810FVRM;100-1000V,IF;8A快恢复二极管-ITO-220ACSF1505F~SF1560FVRM;50-600V,IF;15A快恢复二极管-ITO-220ACSF1005CT~SF1060CTVRM;50-600V,IF;10A快恢复二极管-ITO-220ACMUR...

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    22 2024-06
  • 四川快恢复二极管MURF1660

      快恢复二极管-ITO-220ACUF801F~UF810FVRM;100-1000V,IF;8A快恢复二极管-ITO-220ACSF1505F~SF1560FVRM;50-600V,IF;15A快恢复二极管-ITO-220ACSF1005CT~SF1060CTVRM;50-600V,IF;10A快恢复二极管-ITO-220ACMUR...

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    22 2024-06
  • 整流桥GBU2508

      整流桥的应用领域非常多。它被应用于交流电转换为直流电的领域,如电源适配器、电动机驱动器、电子变流器、照明系统等。这些领域中的电子设备和系统,需要稳定可靠的直流电源才能正常工作。整流桥的转换过程能够实现这一目标。随着科技的不断发展,整流桥的研发和应用也在不断进步。一方面,研究人员致力于提高整流桥的效率、稳定性和可靠性,以满足不同领域的需求。...

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    22 2024-06
  • 江西快恢复二极管MURF2040CT

      其型号为MFST),由于这种模块与使用3~5平常整流二极管相比之下具反向回复时间(trr)短,反向回复峰值电流(IRM)小和反向回复电荷(Qrr)低的FRED,因而使变频的噪声减低,从而使变频器的EMI滤波电路内的电感和电容大小减少,价位下滑,使变频器更易合乎国内外抗电磁干扰(EMI)规范。1模块的构造及特征FRED整流桥开关模块是...

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    21 2024-06
  • 安徽整流桥GBU2002

      ASEMI工程解析:整流桥的功用应用于电路中逼迫风编辑人:MM摘要:整流桥的效用应用于电路中强逼风的讲解,强逼风影响它的温度,这是一个很大的因素整流桥的功用整流桥在强逼风冷降温时壳温的确定由以上两种情形三种不同散热冷却形式的分析与计算,我们可以得出:在整流桥自然降温时,我们可以直接使用生产厂家所提供的结--环境热阻(Rja),来测算整流桥...

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    21 2024-06
  • 山东快恢复二极管MUR3040CTR

      这种铜底板尚存在一定弧度的焊成品,当模块压装在散热器上时,能保证它们之间的充分接触,有利于热传导,从而使模块的接触热阻降低,有利于模块的出力和可靠性。(3)由于FRED模块工作于高频(20kHZ以上),因此,必须在结构设计要充分考虑消除寄生电感等问题,为此,在电磁等原理基础上,充分考虑三个主电极形状、布局和走向,同时对键合铝丝长短和...

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    21 2024-06
  • 上海生产整流桥GBU1010

      p型二极管的下层为p型掺杂区,上层为n型掺杂区,下层底面镀银,上层顶面镀铝。所述整流二极管dz1的负极(金属银层)通过导电胶或锡膏粘接于高压供电基岛13上,正极(金属铝层)通过金属引线连接所述零线管脚n。所述第二整流二极管dz2的负极(金属银层)通过导电胶或锡膏粘接于所述高压供电基岛13上,正极(金属铝层)通过金属引线连接所述火线管...

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    21 2024-06
  • 湖北肖特基二极管MBRF30150CT

      肖特基二极管的基本结构是重掺杂的N型4H-SiC片、4H-SiC外延层、肖基触层和欧姆接触层。由于电子迁移率比空穴高,采用N型Si、SiC或GaAs为材料,以获得良好的频率特性,肖特基接触金属一般选用金、钼、镍、铝等。金属-半导体器件和PiN结二极管类似,由于两者费米能级不同,金属与半导体材料交界处要形成空间电荷区和自建电场。在外加...

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    21 2024-06
  • TO263封装的肖特基二极管MBR3045CT

      肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别,它的内部是由阳极金属(用钼或铝等材料制成的阻挡层)、二氧化硅(SiO2)电场消除材料、N-外延层(砷材料)、N型硅基片、N阴极层及阴极金属等构成,如图4-44所示。在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳极金属接电源正极,N型基片接电源负极)时,肖特...

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    21 2024-06
  • 山东肖特基二极管MBR60150PT

      肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它...

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    21 2024-06
  • TO263封装的肖特基二极管MBR6045PT

      一、肖特基二极管特性1、肖特基(Schottky)二极管的正向压降比快恢复二极管正向压下降很多,所以自身功耗较小,效率高。2、由于反向电荷回复时间极短,所以适合工作在高频状况下。3、能耐受高浪涌电流。4、目前市场上常见的肖特基管结温分100℃、125℃、150%、175℃几种(结温越高表示产品抗高温属性越好。即工作在此温度以下不会引...

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    21 2024-06
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