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  • 湖南快恢复二极管MUR1060

      二极管质量的好坏取决于芯片工艺。目前,行业内使用的二极管芯片工艺主要有两种:玻璃钝化(GPP)和酸洗(OJ)。二极管的GPP工艺结构,其芯片P-N结是在钝化玻璃的保护之下。玻璃是将玻璃粉采用800度左右的烧结熔化,冷却后形成玻璃层。这玻璃层和芯片熔为一体,无法用机械的方法分开。而二极管的OJ工艺结构,其芯片P-N结是在涂胶的保护之下。采用...

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    04 2024-06
  • 安徽肖特基二极管MBRF30200CT

      肖特基(Schottky)二极管又称肖特基势垒二极管(简称SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降可以低至。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等肖特基(Schottky)二极管又称肖特基势垒二极管(简称SBD),它属一种低功耗、超高...

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    04 2024-06
  • 安徽肖特基二极管MBR2045CT

      碳化硅肖特基二极管碳化硅功率器件的发展现状碳化硅器件的出现的改善了半导体器件的性能,满足国民经济和建设的需要,目前,美国、德国、瑞典、日本等发达国家正竞相投入巨资对碳化硅材料和器件进行研究。美国部从20世纪90年代就开始支持碳化硅功率器件的研究,在1992年就成功研究出了阻断电压为400V的肖特基二极管。碳化硅肖特基势垒二极管于21世纪初...

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    04 2024-06
  • 江西肖特基二极管MBR20100CT

      肖特基(Schottky)二极管又称肖特基势垒二极管(简称SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降可以低至。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等肖特基(Schottky)二极管又称肖特基势垒二极管(简称SBD),它属一种低功耗、超高...

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    04 2024-06
  • 安徽整流桥GBU4005

      所述第三整流二极管及第四整流二极管的正极粘接于所述信号地基岛上,负极连接分别连接所述火线管脚及所述零线管脚。可选地,所述至少两个基岛包括火线基岛及零线基岛;所述整流桥包括第五整流二极管、第六整流二极管、第七整流二极管及第八整流二极管;所述第五整流二极管及所述第六整流二极管的负极分别粘接于所述火线基岛及所述零线基岛上,正极连接所述信号...

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    03 2024-06
  • 山东肖特基二极管MBR10150CT

      肖特基二极管和快恢复二极管两种二极管都是单向导电,可用于整流场合。区别是普通硅二极管的耐压可以做得较高,但是它的恢复速度低,只能用在低频的整流上,如果是高频的就会因为无法快速恢复而发生反向漏电,将导致管子严重发热烧毁;肖特基二极管的耐压能常较低,但是它的恢复速度快,可以用在高频场合,故开关电源采用此种二极管作为整流输出用,尽管如此,...

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    03 2024-06
  • 湖南快恢复二极管MUR1660CTR

      提高散热效用。在本实施例中,所述金属材质为贴片或者铜片中的一种,所述封装外壳3的表面涂覆有绝缘涂层8,所述绝缘涂层8包括电隔离层9和粘合层10,所述粘合层10涂覆在封装外壳3的外表面,所述电隔离层9涂覆在所述粘合层10的外表面,所述电隔离层9为pfa塑料制成的电隔离层,所述电隔离层9为单层膜结构、双层膜结构或多层膜结构,所述pfa塑...

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    03 2024-06
  • 四川代工整流桥GBU602

      所述逻辑电路的高压端口连接所述高压供电管脚。为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型还提供一种电源模组,所述电源模组至少包括:上述合封整流桥的封装结构,电容,负载及采样电阻;所述合封整流桥的封装结构的火线管脚连接火线,零线管脚连接零线,信号地管脚接地;所述电容的一端连接所述合封整流桥的封装结构的高压供电管脚,另一端接地;所述负载连接...

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    03 2024-06
  • 湖北肖特基二极管MBR3045CT

      另外,还有一些与肖特基二极管相关的进一步考虑因素:1.峰值逆压:肖特基二极管通常具有较低的峰值逆压能力。因此,在选择二极管时,需要确保其逆压能力足够满足实际应用的要求,避免超过二极管的峰值逆压。2.发热性能:虽然肖特基二极管的正向压降较低,但其在正向导通状态下仍然会产生一定的热量。在高功率应用中,需要考虑二极管的发热性能和散热能力,以确保...

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    03 2024-06
  • 重庆快恢复二极管MUR1060CTR

      二极管质量的好坏取决于芯片工艺。目前,行业内使用的二极管芯片工艺主要有两种:玻璃钝化(GPP)和酸洗(OJ)。二极管的GPP工艺结构,其芯片P-N结是在钝化玻璃的保护之下。玻璃是将玻璃粉采用800度左右的烧结熔化,冷却后形成玻璃层。这玻璃层和芯片熔为一体,无法用机械的方法分开。而二极管的OJ工艺结构,其芯片P-N结是在涂胶的保护之下。采用...

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    03 2024-06
  • 肖特基二极管MBRB20100CT

      一是来自肖特基势垒的注入;二是耗尽层产生电流和扩散电流。[2]二次击穿产生二次击穿的原因主要是半导体材料的晶格缺陷和管内结面不均匀等引起的。二次击穿的产生过程是:半导体结面上一些薄弱点电流密度的增加,导致这些薄弱点上的温度增加引起这些薄弱点上的电流密度越来越大,温度也越来越高,如此恶性循环引起过热点半导体材料的晶体熔化。此时在两电极之间形...

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    03 2024-06
  • 山东生产整流桥GBU604

      整流桥作为一种重要的电力电子元件,在许多领域都有广泛的应用。以下是整流桥的主要应用领域:电源供应器:电源供应器是整流桥重要的应用领域之一。在电源供应器中,整流桥将交流电转换为直流电,为电子设备提供稳定的电力供应。充电器:充电器是整流桥的另一个重要应用领域。在充电器中,整流桥用于将交流电转换为直流电,为电池充电。电子设备:许多电子设备需要使...

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    03 2024-06
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