对于薄膜应力主要有以下原因：1.薄膜生长初始阶段，薄膜面和界面的表面张力的共同作用；2.沉积过程中膜面温度远高于衬底温度产生热应变；3.薄膜和衬底间点阵错配而产生界面应力；4.金属膜氧化后氧化物原子体积增大产生压应力；5.斜入射造成各向异性成核、生长；6.薄膜内产生相变或化学组分改变导致原子体积变化。热氧化是在一定的温度和气体条件下，使硅片表面氧化一定厚度的氧化硅的。主要有干法氧化和湿法氧化，干法氧化是在硅片表面通入氧气，硅片与氧化反应生成氧化硅，氧化速率比较慢，氧化膜厚容易控制。湿法氧化在炉管当中通入氧气和氢气，两者反应生长水蒸气，水蒸气与硅片表面反应生长氧化硅，湿法氧化，速率比较快，可以生长比较厚的薄膜。PECVD当中沉积速率过快，会导致氧化硅薄膜速率过快，说明薄膜质量比较差。甘肃等离子体增强气相沉积真空镀膜技术
在薄膜生长过程中，各种副产物从膜的表面逐渐脱离，在真空泵的作用下从出口排出。化学气相沉积法（CVD）是一种利用化学反应的方式，将反应气体生成固态的产物，并沉积在基片表面的薄膜沉积技术。主要有常压CVD、LPCVD（低压气相沉积法）、PECVD（等离子体增强气相沉积法）等方法。PECVD反应过程中，反应气体从进气口进入炉腔，逐渐扩散至衬底表面，在射频源激发的电场作用下，反应气体分解成电子、离子和活性基团等。分解物发生化学反应，生成形成膜的初始成分和副反应物，这些生成物以化学键的形式吸附到样品表面，生成固态膜的晶核，晶核逐渐生长成岛状物，岛状物继续生长成连续的薄膜。佛山叉指电极真空镀膜加工厂影响靶中毒的因素主要是反应气体和溅射气体的比例，反应气体过量就会导致靶中毒。
蒸发物质的分子被电子碰撞电离后以离子沉积在固体表面，称为离子镀。这种技术是D.麦托克斯于1963年提出的。离子镀是真空蒸发与阴极溅射技术的结合。一种离子镀系统[离子镀系统示意图],将基片台作为阴极，外壳作阳极，充入惰性气体(如氩)以产生辉光放电。从蒸发源蒸发的分子通过等离子区时发生电离。正离子被基片台负电压加速打到基片表面。未电离的中性原子(约占蒸发料的95%)也沉积在基片或真空室壁表面。电场对离化的蒸气分子的加速作用(离子能量约几百~几千电子伏)和氩离子对基片的溅射清洗作用，使膜层附着强度较大提高。离子镀工艺综合了蒸发(高沉积速率)与溅射(良好的膜层附着力)工艺的特点，并有比较好的绕射性，可为形状复杂的工件镀膜。
使用等离子体增强气相沉积法（PECVD）可在低温（200-350℃）沉积出良好的氧化硅薄膜，已被普遍应用于半导体器件工艺当中。在LED工艺当中，因为PECVD生长出的氧化硅薄膜具有结构致密，介电强度高、硬度大等优点，而且氧化硅薄膜对可见光波段吸收系数很小，所以氧化硅被用于芯片的绝缘层和钝化层。评价氧化硅薄膜的质量，较简单的方法是采用BOE腐蚀氧化硅薄膜，腐蚀速率越慢，薄膜质量越致密，反之，腐蚀速率越快，薄膜质量越差。另外，沉积速率的快慢也会影响到薄膜的质量，沉积速率过快，会导致氧化硅薄膜速率过快，说明薄膜质量比较差。广东省科学院半导体研究所。真空镀膜机炉体与炉门为了充分利用炉体的内部空间，减轻真空系统的负载。
真空镀膜机多室连续式真空炉由进料室、预热室、高温工作室、冷却室、出料室、中间闸板阀、真空系统、工件传递系统、水冷系统、电控系统等部分组成。由于采用积木组合式设计，根据用户需要可以任意搭配组合成七室、五室、三室等不同规模的生产线，以满足大小不同的产量需要。1、炉体与炉门为了充分利用炉体的内部空间，减轻真空系统的负载，炉体采用方箱型结构，既实用又美观。预热室、高温工作室、冷却室、出料室均为水冷双层式炉壳,炉体内壁采用出气率低的奥氏体不锈钢材料制造，外壁用碳钢材料。进料室为单层式炉壳。真空镀膜机、真空镀膜设备炉门采用悬垂吊挂式平移结构，便于炉外料车与炉内辊轴的对接传递，减少占地空间。真空镀膜机类金刚石薄膜通过蒸馏或溅射等方式在塑件表面沉积各种金属和非金属薄膜。广州光电器件真空镀膜技术
真空镀膜机的优点:对印刷、复合等后加工具有良好的适应性。甘肃等离子体增强气相沉积真空镀膜技术
等离子体化学气相沉积法，利用了等离子体的活性来促进反应，使化学反应能在较低的温度下进行。优点是：反应温度降低，沉积速率较快，成膜质量好，不容易破裂。缺点是：设备投资大、对气管有特殊要求。PECVD工艺中由于等离子体中高速运动的电子撞击到中性的反应气体分子，就会使中性反应气体分子变成碎片或处于活动的状态容易发生反应，以在衬底在300-350℃就可以得到良好的氧化硅或者氮化硅薄膜，可以在器件当中作为钝化绝缘层，来提高器件的可靠性。甘肃等离子体增强气相沉积真空镀膜技术
广东省科学院半导体研究所是一家面向半导体光电子器件、功率电子器件、MEMS、生物芯片等前沿领域，致力于打造***的公益性、开放性、支撑性枢纽中心。平台拥有半导体制备工艺所需的整套仪器设备，建立了一条实验室研发线和一条中试线，加工尺寸覆盖2-6英寸（部分8英寸），同时形成了一支与硬件有机结合的专业人才队伍。平台当前紧抓技术创新和公共服务，面向国内外高校、科研院所以及企业提供开放共享，为技术咨询、创新研发、技术验证以及产品中试提供支持。的公司，是一家集研发、设计、生产和销售为一体的专业化公司。公司自创立以来，投身于微纳加工技术服务，真空镀膜技术服务，紫外光刻技术服务，材料刻蚀技术服务，是电子元器件的主力军。广东省半导体所致力于把技术上的创新展现成对用户产品上的贴心，为用户带来良好体验。广东省半导体所创始人陈志涛，始终关注客户，创新科技，竭诚为客户提供良好的服务。
