用高能粒子轰击固体表面时能使固体表面的粒子获得能量并逸出表面，沉积在基片上。溅射现象于1870年开始用于镀膜技术，1930年以后由于提高了沉积速率而逐渐用于工业生产。常用的二极溅射设备通常将欲沉积的材料制成板材──靶,固定在阴极上。基片置于正对靶面的阳极上,距靶几厘米。系统抽至高真空后充入10~1帕的气体(通常为氩气)，在阴极和阳极间加几千伏电压，两极间即产生辉光放电。放电产生的正离子在电场作用下飞向阴极，与靶表面原子碰撞，受碰撞从靶面逸出的靶原子称为溅射原子,其能量在1至几十电子伏范围。溅射原子在基片表面沉积成膜。与蒸发镀膜不同，溅射镀膜不受膜材熔点的限制,可溅射W、Ta、C、Mo、WC、TiC等难熔物质。真空镀膜机在集成电路制造中的应用：晶体管路中的保护层、电极管线等多是采用CVD技术。广东等离子体增强气相沉积真空镀膜加工平台
多弧离子真空镀膜机镀膜膜层不易脱落。由于离子轰击基体产生的溅射作用，使基体受到清洗，启动及加热，既可以去除基体表面吸附的气体和污染层，也可以去除基体表面的氧化物。离子轰击时铲射的加热和缺陷可引起基体的增强扩散效应。多弧离子真空镀膜设备镀膜既提高了基体表面层组织结晶性能，也提供了合金相形成的条件。多弧离子真空镀膜机由于产生良好的绕射性。多弧离子真空镀膜设备镀膜在压力较高的情况下（≧1Pa）被电离的蒸汽的离子或分子在到达基体前的路程上将会遇到气体分子的多次碰撞。多弧离子真空镀膜机镀膜还会在电厂的作用下沉积在具有负电压基体表面的任意位置上。因此，这一点蒸发镀是无法达到的。低压气相沉积真空镀膜代工在真空镀膜机运转正常情况下，开动真空镀膜机时，必须先开水管，工作中应随时注意水压。
针对PVD制备薄膜应力的解决办法主要有：1.热退火处理，薄膜中存在的各种缺陷是产生本征应力的主要原因，这些缺陷一般都是非平衡缺陷，有自行消失的倾向，但需要外界给予活化能。对薄膜进行热处理，非平衡缺陷大量消失，薄膜内应力卓著降低；2.添加亚层控制多层薄膜应力，利用应变相消原理，在薄膜层之间再沉积一层薄膜，控制工艺使其呈现与结构薄膜相反的应力状态，缓解应力带来的破坏作用，整体上抵消内部应力；3.提高衬底温度，有利于薄膜和衬底间原子扩散，并加速反应过程，有利于形成扩散附着，降低内应力。
多弧离子真空镀膜机与蒸发真空镀膜机、溅射真空镀膜机相比，较大的特点是荷能离子一边轰击基体与膜层，一边进行沉积。荷能离子的轰击作用所产生一系列的效应，主要有如下几点：多弧离子真空镀膜机镀膜镀层质量高。由于离子轰击可提高膜的致密度，改善膜的组织结构，使得膜层的均匀度好，多弧离子真空镀膜设备镀膜镀层组织致密，小孔和气泡少。多弧离子真空镀膜机镀膜沉积速率高，成膜速度快，可制备30μm的厚膜。多弧离子真空镀膜设备镀膜所适用的基体材料与膜层材料均比较普遍。适用于在金属或非金属表面上镀制金属、化合物、非金属材料的膜层。如在钢铁、有色金属、石英、陶瓷、塑料等各种材料表面镀膜。热氧化氧化过程主要分两个步骤：氧气或者水蒸气等吸附到氧化硅表面：氧气或者水蒸气等扩散到硅表面。
磁控溅射方向性要优于电子束蒸发，但薄膜质量，表面粗糙度等方面不如电子束蒸发。但磁控溅射可用于多种材料，适用性普遍，电子束蒸发则只能用于金属材料蒸镀，且高熔点金属，如W，Mo等的蒸镀较为困难。所以磁控溅射常用于新型氧化物，陶瓷材料的镀膜，电子束则用于对薄膜质量较高的金属材料。LPCVD工艺在衬底表面淀积一层均匀的介质薄膜，在微纳加工当中用于结构层材料、xi牲层、绝缘层、掩模材料，LPCVD工艺淀积的材料有多晶硅、氮化硅、磷硅玻璃。不同的材料淀积采用不同的气体。真空镀膜的操作规程：镀制多层介质膜的镀膜间，应安装通风吸尘装置，及时排除有害粉尘。山东ITO镀膜真空镀膜加工平台
PECVD当中沉积速率过快，会导致氧化硅薄膜速率过快，说明薄膜质量比较差。广东等离子体增强气相沉积真空镀膜加工平台
真空蒸发镀膜是在真空室中，加热蒸发容器待形成薄膜的原材料，使其原子或者分子从表面气化逸出，形成蒸汽流，入射到衬底或者基片表面，凝结形成固态薄膜的方法。真空蒸发镀膜法，设备比较简单、容易操作、制成的薄膜纯度高、质量好、膜厚容易控制，成膜速率快，效果高。在蒸发温度以上进行蒸发试，蒸发源温度的微小变化即可引起蒸发速率发生很大变化。因此，在镀膜过程中，想要控制蒸发速率，必须精确控制蒸发源的温度，加热时应尽量避免产生过大的温度梯度。蒸发速率正比于材料的饱和蒸气压，温度变化10%左右，饱和蒸气压就要变化一个数量级左右。广东等离子体增强气相沉积真空镀膜加工平台
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