PECVD生长氧化硅薄膜是一个比较复杂的过程，薄膜的沉积速率主要受到反应气体比例、RF功率、反应室压力、基片生长温度等。在一定范围内，提高硅烷与笑气的比例，可提供氧化硅的沉积速率。在RF功率较低的时候，提升RF功率可提升薄膜的沉积速率，当RF增加到一定值后，沉积速率随RF增大而减少，然后趋于饱和。在一定的气体总量条件下，沉积速率随腔体压力增大而增大。PECVD在低温范围内（200-350℃），沉积速率会随着基片温度的升高而略微下降，但不是太明显。蒸发速率正比于材料的饱和蒸气压，温度变化10%左右，饱和蒸气压就要变化一个数量级左右。东莞金属真空镀膜实验室
真空蒸发镀膜设备主要用于在经予处理的塑料、陶瓷等制品表面蒸镀金属薄膜(镀铝、铬、锡、不锈钢等金属)、七彩薄仿金膜等，从而获得光亮、美观、;价廉的塑料，陶瓷表面金属化制品。普遍应用于汽车、摩托车灯具、工艺美术、装潢装饰、灯具、家具、玩具、酒瓶盖、化妆品、手机、闹钟、女式鞋后跟等领域。真空镀膜技术是真空应用技术的一个重要分支，它已普遍地应用于光学、电子学、能源开发，理化仪器、建筑机械、包装、民用制品、表面科学以及科学研究等领域中。真空镀膜所采用的方法主要有蒸发镀、溅射镀、离子镀、束流沉积镀以及分子束外延等。此外还有化学气相沉积法。安徽磁控溅射真空镀膜加工厂真空镀膜机真空压铸是一项可供钛铸件生产厂选用，真空镀膜机能提高铸件质量，降低成本的技术。
对于薄膜应力主要有以下原因：1.薄膜生长初始阶段，薄膜面和界面的表面张力的共同作用；2.沉积过程中膜面温度远高于衬底温度产生热应变；3.薄膜和衬底间点阵错配而产生界面应力；4.金属膜氧化后氧化物原子体积增大产生压应力；5.斜入射造成各向异性成核、生长；6.薄膜内产生相变或化学组分改变导致原子体积变化。热氧化是在一定的温度和气体条件下，使硅片表面氧化一定厚度的氧化硅的。主要有干法氧化和湿法氧化，干法氧化是在硅片表面通入氧气，硅片与氧化反应生成氧化硅，氧化速率比较慢，氧化膜厚容易控制。湿法氧化在炉管当中通入氧气和氢气，两者反应生长水蒸气，水蒸气与硅片表面反应生长氧化硅，湿法氧化，速率比较快，可以生长比较厚的薄膜。
真空镀膜技术初现于20世纪30年代，四五十年代开始出现工业应用，工业化大规模生产开始于20世纪80年代，在电子、宇航、包装、装潢、烫金印刷等工业中取得普遍的应用。真空镀膜是指在真空环境下，将某种金属或金属化合物以气相的形式沉积到材料表面(通常是非金属材料)，属于物理的气相沉积工艺。因为镀层常为金属薄膜，故也称真空金属化。广义的真空镀膜还包括在金属或非金属材料表面真空蒸镀聚合物等非金属功能性薄膜。在所有被镀材料中，以塑料较为常见，其次，为纸张镀膜。相对于金属、陶瓷、木材等材料，塑料具有来源充足、性能易于调控、加工方便等优势，因此种类繁多的塑料或其他高分子材料作为工程装饰性结构材料，大量应用于汽车、家电、日用包装、工艺装饰等工业领域。但塑料材料大多存在表面硬度不高、外观不够华丽、耐磨性低等缺陷，如在塑料表面蒸镀一层极薄的金属薄膜，即可赋予塑料程亮的金属外观，合适的金属源还可较大增加材料表面耐磨性能，较大拓宽了塑料的装饰性和应用范围。真空溅镀可根据基材和靶材的特性直接溅射不用涂底漆。
磁控溅射的优势在于可根据靶材的性质来选择使用不同的靶qiang进行溅射，靶qiang分为射频靶(RF)、直流靶(DC)、直流脉冲靶(DC Pluse)。其中射频靶主要用于导电性较差的氧化物、陶瓷等介质膜的溅射，也可以进行常规金属材料溅射。直流靶只能用于导电性较好的金属材料，而直流脉冲靶介于二者之间，可溅射硅、锗等半导体材料。利用PECVD生长的氮化硅薄膜具有以下优点：1.均匀性和重复性好，可大面积成膜2.可在低温下成膜3.台阶覆盖性比较好 4.薄膜成分和厚度容易控制 5.应用范围广，设备简单，易于产业化。PECVD主要由工艺管及加热炉、推舟系统、气路系统、电气系统、计算机系统、真空系统6大部分组成。湖南磁控溅射真空镀膜价格
LPCVD主要特征是因为在低压环境下，反应气体的平均自由程及扩散系数变大，膜厚均匀性好、台阶覆盖性好。东莞金属真空镀膜实验室
真空镀膜机EMI溅射镀膜具有以下特点：磁控溅射是一种高速率低基片温升的成膜技术。1.被溅射基材几无限制（PC、ABS、PC+ABS、陶瓷、、玻璃等）2.膜质致密均匀、膜厚容易控制。3.溅射粒子的初始动能大，溅射薄膜的结合力强（D3359-93方法测试）。4.溅射薄膜的致密度高、小孔少、品质因数高。5.在反应气氛中可以直接获得化合膜。6.溅射时基片的温升低。7.在相同的工艺条件、溅射功率下，溅射速率几乎不变，故可以用时间来估算沉积的膜厚。8.价格低。9.真空溅射加工的金属薄膜厚度只有0.5～2μm，一定不影响装配。10.真空溅射是彻底的环保制程，一定环保无污染。东莞金属真空镀膜实验室
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