硅材料在MEMS器件当中是很重要的一种材料。在硅材料刻蚀当中，应用于医美方向的硅针刻蚀需要用到各向同性刻蚀，纵向和横向同时刻蚀，硅柱的刻蚀需要用到各项异性刻蚀，主要是在垂直方向刻蚀，而横向尽量少刻蚀。氮化镓基超表面结构当中，氮化镓材料的刻蚀需要使用氧化硅作为掩膜来刻蚀，而氧化硅的刻蚀需要使用Cr充当硬掩模。所以工艺当中，需要先在氮化镓表面使用PECVD沉积一层氧化硅，采用剥离的方法在氧化硅表面生长一层Cr，使用ICP设备依次刻蚀氧化硅和氮化镓。ICP刻蚀可以调节的刻蚀参数有：ICP 功率，功率值越大，等离子体密度越大，射频功率，功率值越大，等离子体能量越大，物理溅射加强。GaN的刻蚀一般是采用氯气和三氯化硼，气体比例的变化可以调节物理轰击和化学反应的平衡。氮化镓材料的刻蚀需要使用氧化硅作为掩膜来刻蚀，而氧化硅的刻蚀需要使用Cr充当硬掩模。佛山GaN材料刻蚀服务
湿刻蚀：较普遍、也是设备成本较低的刻蚀方法。其影响被刻蚀物之刻蚀速率(etchingrate)的因素有三：刻蚀液浓度、刻蚀液温度、及搅拌(stirring)之有无。定性而言，增加刻蚀温度与加入搅拌，均能有效提高刻蚀速率；但浓度之影响则较不明确。举例来说，以49%的HF刻蚀SiO2，当然比BOE(Buffered-Oxide-Etch；HF：NH4F=1：6)快的多；但40%的KOH刻蚀付淋凶和Si的速率却比20%KOH慢！湿刻蚀的配方选用是一项化学的专业，对于一般不是这方面的研究人员，必须向该化学专业的同侪请教。一个选用湿刻蚀配方的重要观念是（选择性）(selectivity)，意指进行刻蚀时，对被蚀物去除速度与连带对其他材质(如刻蚀掩膜；etchingmask，或承载被加工薄膜之基板；substrate)的腐蚀速度之比值。一个具有高选择性的刻蚀系统，应该只对被加工薄膜有腐蚀作用，而不伤及一旁之刻蚀掩膜或其下的基板材料浙江氮化硅材料刻蚀服务价格当需要处理多层薄膜时，以及刻蚀中必须精确停在某个特定薄膜层而不对其造成损伤时。
光刻胶是另一个剥离的例子。总的来说，有图形刻蚀和无图形刻蚀工艺条件能够采用干法刻蚀或湿法腐蚀技术来实现。为了复制硅片表面材料上的掩膜图形，刻蚀必须满足一些特殊的要求。包括几方面刻蚀参数：刻蚀速率、刻蚀剖面、刻蚀偏差、选择比、均匀性、残留物、聚合物、等离子体诱导损伤、颗粒玷污和缺陷等。刻蚀是用化学或物理方法有选择的从硅片表面去除不需要的材料的过程。刻蚀的基本目标是在涂胶的硅片上正确的复制掩模图形。有图形的光刻胶层在刻蚀中不受腐蚀源明显的侵蚀。
“刻蚀”指用化学和物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料，是晶圆制造中不可或缺的关键步骤。刻蚀技术按工艺可以分为湿法刻蚀与干法刻蚀，其中干法刻蚀是目前8英寸、12英寸先进制程中的主要刻蚀手段，干法刻蚀又多以“等离子体刻蚀”为主导。在刻蚀环节中，硅电极产生高电压，令刻蚀气体形成电离状态，其与芯片同时处于刻蚀设备的同一腔体中，并随着刻蚀进程而逐步被消耗，因此刻蚀电极也需要达到与晶圆一样的半导体级的纯度（11个9）。干法刻蚀优点是：细线条操作安全，易实现自动化，无化学废液，处理过程未引入污染，洁净度高。
刻蚀也可以分成有图形刻蚀和无图形刻蚀。有图形刻蚀采用掩蔽层（有图形的光刻胶）来定义要刻蚀掉的表面材料区域，只有硅片上被选择的这一部分在刻蚀过程中刻掉。有图形刻蚀可用来在硅片上制作多种不同的特征图形，包括栅、金属互连线、通孔、接触孔和沟槽。无图形刻蚀、反刻或剥离是在整个硅片没有掩模的情况下进行的，这种刻蚀工艺用于剥离掩模层（如STI氮化硅剥离和用于制备晶体管注入侧墙的硅化物工艺后钛的剥离）。反刻是在想要把某一层膜的总的厚度减小时采用的（如当平坦化硅片表面时需要减小形貌特征）。二氧化硅的刻蚀，可以采用湿法腐蚀的方法来腐蚀，也可以采用ICP干法来刻蚀。佛山GaN材料刻蚀服务
同样的刻蚀条件，针对不同的刻蚀暴露面积，刻蚀的速率会有所不一样。佛山GaN材料刻蚀服务
反应离子刻蚀：这种刻蚀过程同时兼有物理和化学两种作用。辉光放电在零点几到几十帕的低真空下进行。硅片处于阴极电位，放电时的电位大部分降落在阴极附近。大量带电粒子受垂直于硅片表面的电场加速，垂直入射到硅片表面上,以较大的动量进行物理刻蚀,同时它们还与薄膜表面发生强烈的化学反应，产生化学刻蚀作用。选择合适的气体组分，不仅可以获得理想的刻蚀选择性和速度，还可以使活性基团的寿命短，这就有效地阻止了因这些基团在薄膜表面附近的扩散所能造成的侧向反应，较大提高了刻蚀的各向异性特性。反应离子刻蚀是超大规模集成电路工艺中比较有发展前景的一种刻蚀方法。佛山GaN材料刻蚀服务
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