韶关国产至盛ACM

至盛基于氮化镓研发的机器人关节驱动芯片实现40%能效提升及98%能量转换效率，响应延迟压缩至5ms以内。该芯片采用系统级多Level效率提升算法，在工业机械臂、AGV小车等场景中，使电机驱动能耗降低35%，定位精度提升至±0.02mm。以富士康工业园区为例，部署至盛芯片的2000台机械臂使产线能耗下降18%，年节约电费超2000万元。据Yole Development预测，2025年全球氮化镓功率器件市场规模将突破800亿元，至盛凭借技术先发优势，在工业控制领域占据15%市场份额，推动“中国制造”向“中国智造”转型。智能会议系统采用至盛芯片后，通过回声消除技术将残余回声抑制比提升至60dB以上。韶关国产至盛ACM

通过优化PWM调制波形和输出滤波电容参数，ACM8636在20W输出时省略输出电感，仍能保持THD+N低于0.1%。在Bose SoundLink Revolve+音箱中，该技术使PCB面积减少25%，重量减轻100克。实测显示，无电感模式下20Hz-20kHz频段失真度*比有电感模式高0.03%，人耳无法分辨差异。该特性在TWS耳机充电仓音响等空间受限场景中具有***优势。多频带DRC的算法创新2+1段DRC算法将音频分为低频（20Hz-200Hz）、中频（200Hz-2kHz）、高频（2kHz-20kHz）三个频段，分别采用不同的压缩比和启动时间。在播放交响乐时，低频段压缩比设为2:1以保留打击乐动态，中频段设为3:1确保人声清晰，高频段设为4:1防止镲片等乐器刺耳。实测显示，该算法使音乐动态范围从90dB扩展至110dB，同时保持平均音量不变。茂名信息化至盛ACM现货至盛12S数字功放芯片智能死区时间控制技术使开关损耗降低25%，系统效率提升至92%。

与同系列ACM8628相比，ACM8687在输出功率（41W vs 40W）、DRC算法（三段式 vs 双段式）和DRB模块数量（两组 vs 一组）上略有优势，但封装尺寸相同（TSSOP-28），便于产品升级。与竞品TAS5805相比，ACM8687的虚拟低音算法效果更***（低频提升3dB vs 1.5dB），且支持Peak DRC技术，失真控制更优。在成本方面，ACM8687的批量采购价较TAS5805低15%，具有更高性价比。至盛半导体计划在下一代芯片中集成AI音效算法，通过机器学习分析用户听音习惯，自动优化EQ和DRC参数。同时，将支持蓝牙5.3和LDAC高清音频编码，满足无线音频传输需求。此外，芯片将引入更先进的电源管理技术，如自适应电压调节（AVS），进一步降低待机功耗（目标<10mW）。在封装方面，将推出QFN48封装版本，缩小PCB面积30%，适配可穿戴设备等小型化场景。

    在功率放大方面，至盛 ACM 芯片采用了独特的功率放大技术，能够在提供足够功率驱动扬声器的同时，保持出色的音质表现。芯片内置的功率放大器具备高保真特性，在放大音频信号时，尽可能减少信号失真，确保声音的纯净度与清晰度。对于小型蓝牙音响，芯片通过准确的功率调节，在有限的功率输出下，依然能够呈现出饱满、清晰的声音，满足用户在室内近距离聆听的需求。而对于大型蓝牙音响或户外音响，芯片强大的功率放大能力能够有效驱动大尺寸扬声器，产生洪亮、震撼的声音效果，同时通过智能算法对音质进行实时监控与调整，避免因功率过大导致音质劣化，实现了功率放大与音质之间的完美平衡，为用户带来质优的听觉享受。ACM8687芯片采用新型PWM脉宽调制架构，在保证音质的同时明显降低静态功耗。

至盛半导体定期举办线上技术研讨会，分享ACM8687的应用案例和调试技巧。同时，提供详细的参考设计文档（包括原理图、PCB布局指南和BOM清单），帮助开发者快速上手。对于复杂项目，公司可提供付费定制化服务，包括算法优化和硬件设计支持。相较于ACM8625，ACM8687在以下方面实现升级：输出功率：从2×26W提升至2×41W，满足更高音量需求；DRC算法：从双段式升级为三段式，控制更精细；DRB模块：从一组增加至两组，可同时实现低音增强和尖锐音衰减；接口支持：新增TDM音频格式，适配多声道应用；能效比：Class H技术使平均功耗降低15%。ACM8687数字接口支持32kHz-192kHz全采样率，兼容I2S、TDM等主流音频格式。信息化至盛ACM8625M

至盛芯片支持Dante数字音频网络，在多房间音响系统中实现零延迟音频同步播放。韶关国产至盛ACM

ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺，在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层，通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括：MOSFET结构：采用垂直双扩散结构（VDMOS），源极和漏极分别位于芯片两侧，沟道长度*0.3μm，实现低导通电阻（11mΩ@10V栅压）。栅极氧化层：使用ALD（原子层沉积）技术生长5nm厚Al2O3栅氧层，确保栅极漏电流<1nA，提高器件可靠性。金属互连：采用铜互连技术，线宽/线距达0.8μm/0.8μm，寄生电阻<5mΩ，寄生电感<1nH，减少信号延迟。封装方面，ACM8815采用QFN-40封装（尺寸7mm×7mm×1.2mm），底部暴露散热焊盘，通过金线键合实现芯片与引脚的电气连接。封装热阻（RθJC）*2℃/W，满足无散热器设计要求。韶关国产至盛ACM