陶瓷金属化的主流工艺:厚膜与薄膜技术当前陶瓷金属化主要分为厚膜法与薄膜法两类工艺。厚膜法是将金属浆料(如银浆、铜浆)通过丝网印刷涂覆在陶瓷表面,随后在高温(通常600-1000℃)下烧结,金属浆料中的有机载体挥发,金属颗粒相互融合并与陶瓷表面反应,形成厚度在1-100μm的金属层,成本低、适合批...
低温陶瓷金属化技术:拓展应用边界传统陶瓷金属化需高温烧结,不仅能耗高,还可能导致陶瓷基材变形或与金属层热应力过大。低温陶瓷金属化技术(烧结温度低于500℃)的出现,有效解决了这些问题。该技术通过改进金属浆料成分,加入低熔点玻璃相或纳米金属颗粒,降低烧结温度,同时保证金属层与陶瓷的结合强度。低温工艺可兼容更多类型的陶瓷基材,如低温共烧陶瓷(LTCC),还能减少对陶瓷表面的损伤,拓展了陶瓷金属化在柔性电子、微型传感器等对温度敏感领域的应用,为行业发展注入新活力。陶瓷金属化使陶瓷兼具耐高温、绝缘性与金属的导电导热性,满足 5G、新能源等领域需求。阳江镀镍陶瓷金属化处理工艺

陶瓷金属化的工艺方法 陶瓷金属化工艺丰富多样,以满足不同的应用需求。常见的有化学镀金属化,它通过化学反应,利用还原剂将金属离子还原成金属,并沉积到陶瓷基底材料表面,比如化学镀铜就是把溶液中的 Cu²⁺还原成 Cu 原子并沉积在基板上 。该方法生产效率高,能实现批量化生产,不过金属层与陶瓷基板的结合力有限 。 直接覆铜金属化是在高温、弱氧环境下,利用 Cu 的含氧共晶液将 Cu 箔覆接在陶瓷表面,常用于 Al₂O₃和 AlN 陶瓷。原理是 Cu 与 O 反应生成的物质,在特定温度范围与基板中 Al 反应,促使陶瓷与 Cu 形成较高结合强度,对 AlN 陶瓷基板处理时需先氧化形成 Al₂O₃ 。这种方法在保证生产效率的同时,金属层和陶瓷基板结合强度较好,但高温烧结限制了低熔点金属的应用 。 厚膜金属化是用丝网印刷将金属浆料涂敷在陶瓷表面,经高温干燥热处理形成金属化陶瓷基板。浆料由功能相、粘结剂、有机载体组成,该方法操作简单,但对金属化厚度和线宽线距精度控制欠佳 。薄膜金属化如磁控溅射,是在高真空下用物理方法将固体材料电离为离子,在陶瓷基板表面沉积薄膜,金属层与陶瓷基板结合力强,但生产效率低且金属层薄 。阳江镀镍陶瓷金属化处理工艺陶瓷金属化对金属层均匀性要求高,直接影响产品导电与密封性能。

《陶瓷金属化的缺陷分析:裂纹与气泡的解决办法》生产过程中,陶瓷金属化易出现裂纹、气泡等缺陷。裂纹多因热膨胀系数不匹配或烧结速度过快导致,可通过调整浆料配方、放慢升温速率解决;气泡则可能是浆料中溶剂挥发不彻底,需优化干燥工艺,确保溶剂充分排出。《陶瓷金属化在新能源领域的应用:助力电池储能》新能源电池(如锂离子电池)的电极连接需耐高温、耐腐蚀的器件,陶瓷金属化产品可满足这一需求。例如,金属化陶瓷隔板能有效隔离正负极,防止短路,同时提升电池的散热效率,保障电池的安全运行。
航空航天:用于发动机部件、热防护系统以及天线罩等关键组件,其优异的耐高温、耐腐蚀性能,确保了极端环境下设备的稳定运行。电子通讯:在集成电路中,陶瓷金属化基片能够有效提高电路集成化程度,实现电子设备小型化。在手机射频前端模块,多层陶瓷与金属化层交替堆叠,构建超小型、高性能滤波器、耦合器等元件。金属化实现层间电气连接与信号屏蔽,使各功能单元紧密集成,缩小整体体积。医疗器械:可用于制造一些精密的电子医疗器械部件,既利用了陶瓷的生物相容性和化学稳定性,又借助金属化后的导电性能满足设备的电气功能需求。还可以提升植入物的生物相容性和耐腐蚀性,通过赋予其抗钧性能,降低了感然风险。环保与能源:用于制备高效催化剂、电解槽电极等,促进了清洁能源的生产与利用。在能源领域,部分储能设备的电极材料可采用陶瓷金属化材料,陶瓷的耐高温、耐腐蚀性能有助于提高电极的稳定性和使用寿命,金属化带来的导电性则保障了电荷的顺利传输。此外,同远表面处理的陶瓷金属化在机械制造领域也有应用,如金属陶瓷刀具、轴承等5。在汽车行业的一些陶瓷部件中可能也会用到该技术来提升部件性能5。直接覆铜法在高温弱氧下,借铜的含氧共晶液将铜箔键合在陶瓷表面。

氧化铍陶瓷金属化技术在电子领域有着独特的应用价值。氧化铍陶瓷具有出色的物理特性,其导热系数高达 200 - 250W/(m・K),能够高效传导电子器件运行产生的热量,确保器件稳定运行;高抗折强度使其能承受较大外力而不易损坏;在电学性能上,低介电常数和低介质损耗角正切值使其在高频电路中信号传输稳定且损耗小,高绝缘性能可有效隔离电路,防止漏电。通过金属化加工,氧化铍陶瓷成为连接芯片与电路的关键 “桥梁”。当前主流的金属化技术包括厚膜烧结、直接键合铜(DBC)和活性金属焊接(AMB)等。厚膜烧结技术工艺成熟、成本可控,适合大批量生产,如工业化生产中丝网印刷可将金属层厚度公差控制在 ±2μm 。DBC 技术能使氧化铍陶瓷表面覆盖一层铜箔,形成分子级欧姆接触,适用于双面导通型基板,可缩小器件体积 30% 以上 。AMB 技术在陶瓷与金属间加入活性钎料,界面强度高,能承受极端场景下的热冲击,在航天器传感器等领域应用 。陶瓷金属化使绝缘陶瓷具备金属的导热导电性,广泛应用于功率半导体、航空航天器件。真空陶瓷金属化种类
薄膜与化学镀结合的金属化工艺,可增强结合力并实现不同层厚生产。阳江镀镍陶瓷金属化处理工艺
同远陶瓷金属化推动行业发展 同远表面处理在陶瓷金属化领域的技术创新与实践,有力推动了行业发展。其先进的陶瓷基板化镀镍钯金和铁氧体基板化镀镍金工艺,为电子元器件制造行业提供了高性能的基板解决方案,带动了下游电子设备制造商产品性能与稳定性的提升,促进整个电子行业向更高精尖方向迈进。同远参与《电子陶瓷元件镀金技术规范》团体标准的编制工作,凭借自身技术优势与实践经验,为行业制定统一、规范的技术标准,前头行业朝着高质量、精细化方向发展。在市场竞争中,同远的技术突破促使其他企业加大研发投入,形成良性竞争氛围,共同推动陶瓷金属化行业不断进步 。阳江镀镍陶瓷金属化处理工艺
陶瓷金属化的主流工艺:厚膜与薄膜技术当前陶瓷金属化主要分为厚膜法与薄膜法两类工艺。厚膜法是将金属浆料(如银浆、铜浆)通过丝网印刷涂覆在陶瓷表面,随后在高温(通常600-1000℃)下烧结,金属浆料中的有机载体挥发,金属颗粒相互融合并与陶瓷表面反应,形成厚度在1-100μm的金属层,成本低、适合批...
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