将模拟结果与实际曝光图形对比，不断修正模型参数，使模拟预测的线宽与实际结果的偏差缩小到一定范围。这种理论指导实验的研究模式，提高了电子束曝光工艺优化的效率与精细度。科研人员探索了电子束曝光与原子层沉积技术的协同应用，用于制备高精度的纳米薄膜结构。原子层沉积能实现单原子层精度的薄膜生长，而电子束曝光可定义图形区域，两者结合可制备复杂的三维纳米结构。团队通过电子束曝光在衬底上定义图形，再利用原子层沉积在图形区域生长功能性薄膜，研究沉积温度与曝光图形的匹配性。在氮化物半导体表面制备的纳米尺度绝缘层，其厚度均匀性与图形一致性均达到较高水平，为纳米电子器件的制备提供了新方法。电子束曝光革新节能建筑用智能窗的纳米透明电极结构。深圳套刻电子束曝光厂商
研究所利用其覆盖半导体全链条的科研平台，研究电子束曝光技术在半导体材料表征中的应用。通过在材料表面制备特定形状的测试图形，结合原子力显微镜与霍尔效应测试系统，分析材料的微观力学性能与电学参数分布。在氮化物外延层的表征中，团队通过电子束曝光制备的微纳测试结构，实现了材料迁移率与缺陷密度的局部区域测量，为材料质量评估提供了更精细的手段。这种将加工技术与表征需求结合的创新思路，拓展了电子束曝光的应用价值。珠海生物探针电子束曝光实验室电子束曝光在超高密度存储领域实现纳米全息结构的精确编码。
量子点显示技术借力电子束曝光突破色彩转换瓶颈。在InGaN蓝光晶圆表面构建光学校准微腔，精细调控量子点受激辐射波长。多层抗蚀剂工艺形成倒金字塔反射结构，使红绿量子点光转化效率突破95%。色彩一致性控制达DeltaE<0.5，支持全色域显示无差异。在元宇宙虚拟现实装备中，该技术实现20000nit峰值亮度下的像素级控光，动态对比度突破10⁶:1，消除动态模糊伪影。电子束曝光在人工光合系统实现光能-化学能定向转化。通过多级分形流道设计优化二氧化碳传输路径，在二氧化钛光催化层表面构建纳米锥阵列陷阱结构。特殊的双曲等离激元共振结构使可见光吸收谱拓宽至800nm，太阳能转化效率达2.3%。工业级测试显示，每平方米反应器日合成甲酸量达15升，转化选择性>99%。该技术将加速碳中和技术落地，在沙漠地区建立分布式能源-化工联产系统。
研究所针对电子束曝光在高频半导体器件互联线制备中的应用开展研究。高频器件对互联线的尺寸精度与表面粗糙度要求严苛，科研团队通过优化电子束曝光的扫描方式，减少线条边缘的锯齿效应，提升互联线的平整度。利用微纳加工平台的精密测量设备，对制备的互联线进行线宽与厚度均匀性检测，结果显示优化后的工艺使线宽偏差控制在较小范围，满足高频信号传输需求。在毫米波器件的研发中，这种高精度互联线有效降低了信号传输损耗，为器件高频性能的提升提供了关键支撑，相关工艺已纳入中试技术方案。电子束刻合助力空间太阳能电站实现轻量化高功率阵列。
在量子材料如拓扑绝缘体Bi₂Te₃研究中，电子束曝光实现原子级准确电极定位。通过双层PMMA/MMA抗蚀剂堆叠工艺，结合电子束诱导沉积（EBID）技术，直接构建<100纳米间距量子点接触电极。关键技术包括采用50kV高电压减少背散射损伤和-30°C低温样品台抑制热漂移。电子束曝光保障了量子点结构的稳定性，为新型电子器件提供精确制造平台。电子束曝光在纳米光子器件（如等离子体谐振腔和光子晶体）中展现优势，实现±3纳米尺寸公差。定制化加工金纳米棒阵列（共振波长控制精度<1.5%）及硅基光子晶体微腔（Q值>10⁶）时，其非平面基底直写能力突出。针对曲面微环谐振器，电子束曝光无缝集成光栅耦合器结构。通过高精度剂量调制和抗蚀剂匹配，确保光学响应误差降低。电子束曝光在微型热电制冷器领域突破界面热阻控制瓶颈。广州纳米器件电子束曝光实验室
电子束曝光为液体活检芯片提供高精度细胞分离结构。深圳套刻电子束曝光厂商
在电子束曝光的三维结构制备研究中，科研团队探索了灰度曝光技术的应用。灰度曝光通过控制不同区域的电子束剂量，可在抗蚀剂中形成连续变化的高度分布，进而通过刻蚀得到三维微结构。团队利用该技术在氮化物半导体表面制备了具有渐变折射率的光波导结构，测试结果显示这种结构能有效降低光传输损耗。这项技术突破拓展了电子束曝光在复杂三维器件制备中的应用，为集成光学器件的研发提供了新的工艺选择。针对电子束曝光在第三代半导体中试中的成本控制问题，科研团队进行了有益探索。深圳套刻电子束曝光厂商
