先进芯片封装技术-2.5D/3D封装：2.5D封装技术可将多种类型芯片放入单个封装，通过硅中介层实现信号横向传送，提升封装尺寸和性能，需用到硅通孔（TSV）、重布线层（RDL）、微型凸块等主要技术。3D封装则是在垂直方向叠放两个以上芯片，直接在芯片上打孔和布线连接上下层芯片堆叠，集成度更高。中清航科在2.5D/3D封装技术方面持续创新，已成功应用于高性能计算、人工智能等领域，帮助客户实现芯片性能的跨越式提升。有相关需求欢迎随时联系。中清航科深耕芯片封装，以技术创新为引擎，助力中国芯片产业突破升级。qfn20 封装
常见芯片封装类型-PGA：的PGA为插针网格式封装，芯片内外有多个方阵形插针，沿芯片四周间隔排列，可根据引脚数目围成2-5圈，安装时需插入专门的PGA插座。从486芯片开始，出现了ZIF（零插拔力）插座，方便PGA封装的CPU安装和拆卸。PGA封装插拔操作方便、可靠性高，能适应更高频率。中清航科在PGA封装方面拥有专业的技术与设备，可为计算机、服务器等领域的客户，提供适配不同频率要求的高质量PGA封装芯片。有相关需求欢迎随时联系我司。江苏通孔式封装芯片封装引脚密度攀升，中清航科微焊技术，确保细如发丝的连接可靠。
芯片封装的人才培养：芯片封装行业的发展离不开专业人才的支撑。中清航科注重人才培养，建立了完善的人才培养体系，通过内部培训、外部合作、项目实践等方式，培养了一批既懂技术又懂管理的复合型人才。公司还与高校、科研机构合作，设立奖学金、共建实验室，吸引优秀人才加入，为行业源源不断地输送新鲜血液，也为公司的持续发展提供人才保障。芯片封装的未来技术展望：未来，芯片封装技术将朝着更高度的集成化、更先进的异构集成、更智能的散热管理等方向发展。Chiplet技术有望成为主流，通过将不同功能的芯粒集成封装，实现芯片性能的跨越式提升。中清航科已提前布局这些前沿技术的研发，加大对Chiplet互连技术、先进散热材料等的研究投入，力争在未来技术竞争中占据带头地位，为客户提供更具前瞻性的封装解决方案。
随着摩尔定律逼近物理极限，先进封装成为提升芯片性能的关键路径。中清航科在Fan-Out晶圆级封装（FOWLP）领域实现突破，通过重构晶圆级互连架构，使I/O密度提升40%，助力5G射频模块厚度缩减至0.3mm。其开发的激光解键合技术将良率稳定在99.2%以上，为毫米波通信设备提供可靠封装方案。面对异构集成需求激增，中清航科推出3DSiP立体封装平台。该方案采用TSV硅通孔技术与微凸点键合工艺，实现CPU、HBM内存及AI加速器的垂直堆叠。在数据中心GPU领域，其散热增强型封装结构使热阻降低35%，功率密度提升至8W/mm²，满足超算芯片的严苛要求。芯片封装良率影响成本，中清航科工艺改进，将良率提升至行业前列。
面对卫星载荷严苛的空间环境，中清航科开发陶瓷多层共烧（LTCC）MCM封装技术。采用钨铜热沉基底与金锡共晶焊接，实现-196℃~+150℃极端温变下热失配率＜3ppm/℃。通过嵌入式微带线设计将信号串扰抑制在-60dB以下，使星载处理器在单粒子翻转（SEU）事件率降低至1E-11errors/bit-day。该方案已通过ECSS-Q-ST-60-13C宇航标准认证，成功应用于低轨卫星星务计算机，模块失效率＜50FIT（10亿小时运行故障率）。针对万米级深海探测装备的100MPa超高压环境，中清航科金属-陶瓷复合封装结构。采用氧化锆增韧氧化铝（ZTA）陶瓷环与钛合金壳体真空钎焊，实现漏率＜1×10⁻¹⁰Pa·m³/s的密封。内部压力补偿系统使腔体形变＜0.05%，保障MEMS传感器在110MPa压力下精度保持±0.1%FS。耐腐蚀镀层通过3000小时盐雾试验，已用于全海深声呐阵列封装，在马里亚纳海沟实现连续500小时无故障探测。功率芯片封装热密度高，中清航科液冷集成方案，突破散热效率瓶颈。江苏半导体封装
中清航科深耕芯片封装，以可靠性设计，助力芯片在极端环境工作。qfn20 封装
芯片封装的发展历程：自20世纪80年代起，芯片封装技术历经多代变革。从早期的引脚插入式封装，如DIP（双列直插式封装），发展到表面贴片封装，像QFP（塑料方形扁平封装）、PGA（针栅阵列封装）等。而后，BGA（球栅阵列封装）、MCP（多芯片模块）、SIP（系统级封装）等先进封装形式不断涌现。中清航科紧跟芯片封装技术发展潮流，不断升级自身技术工艺，在各个发展阶段都积累了丰富经验，能为客户提供符合不同时期技术标准和市场需求的封装服务。qfn20 封装
