高性能SIR测试系统市场价格

可穿戴设备的“微功耗**” AI眼镜、智能手表等可穿戴设备依赖电池供电，对SoC功耗极其敏感。一颗芯片若待机漏电超标，可能导致设备“一天三充”。杭州国磊GT600的PPMU可精确测量nA级静态电流（Iddq），相当于每秒流过数亿个电子的微小电流，能识别芯片内部的“隐形漏电点”。通过FVMI模式，杭州国磊GT600可在不同电压下测试芯片功耗，验证其电源门控（Power Gating）与休眠唤醒机制是否有效。其高精度测量能力确保只有“省电体质”的芯片进入量产。同时，杭州国磊GT600支持混合信号测试，可验证传感器融合、语音唤醒等低功耗功能。在追求“轻薄长续航”的可穿戴市场，杭州国磊GT600以“微电流级”检测能力，为国产芯片的用户体验提供底层保障。国磊GT600SoC测试机通过电源上电时序测试利用SMU监控多电源域的电压建立顺序，防止闩锁效应。高性能SIR测试系统市场价格

数据中心芯片的“能效裁判” 在“双碳”目标下，数据中心能耗成为焦点，芯片能效比（Performance per Watt）成为**指标。杭州国磊GT600通过PPMU精确测量AI加速芯片、服务器CPU的静态与动态功耗，结合FVMI（强制电压测电流）模式，绘制完整的功耗-性能曲线，帮助设计团队优化电压频率调节（DVFS）策略。其FIMV模式还可检测芯片在高负载下的电压跌落，防止因供电不稳导致死机。杭州国磊GT600支持长时间稳定性测试，模拟数据中心7x24小时运行场景，筛选出“耐力型”芯片。512站点并行测试大幅降低单颗芯片测试时间与成本，适配万片级量产需求。杭州国磊GT600不仅是性能的验证者，更是能效的“精算师”，助力国产芯片在绿色计算时代赢得市场。GEN测试系统工艺国磊GT600SoC测试机512Sites高并行测试架构，提升集成了HBM的AI/GPU芯片的测试吞吐量。

支撑国产芯片全流程自主验证 从设计到量产，芯片必须经过严格的功能与参数测试。若测试设备受制于人，不仅存在数据安全风险（如测试程序、芯片特性被第三方获取），还可能因设备兼容性问题拖慢研发节奏。国磊（Guolei）GT600采用开放式GTFY软件架构，支持C++编程、自定义测试流程，并兼容STDF、CSV等标准格式，使国产CPU、GPU、AI加速器、车规MCU等关键芯片可在完全自主可控的平台上完成工程验证与量产测试，确保“设计—制造—测试”全链条安全闭环。加速国产芯片生态成熟与迭代 供应链安全不仅在于“有无”，更在于“效率”与“响应速度”。国磊作为本土企业，可提供快速的技术支持、定制化开发和本地化服务。例如，某智能驾驶芯片厂商在流片后发现高速接口时序异常，国磊工程师可在48小时内协同优化TMU测试程序，而依赖国外设备则可能需数周等待远程支持。这种敏捷响应能力极大缩短了国产芯片的调试周期，加速产品上市，提升整个生态的竞争力与韧性。

    低温CMOS芯片的常温预筛与参数表征许多用于量子计算的控制芯片需在毫开尔文温度下工作，但其制造仍基于标准CMOS工艺。在封装并送入稀释制冷机前，必须通过常温下的严格电性测试进行预筛选。杭州国磊（Guolei）GT600支持每引脚PPMU（参数测量单元）和可编程浮动电源（），能精确测量微弱电流、漏电及阈值电压漂移等关键参数，有效剔除早期失效器件，避免昂贵的低温测试资源浪费。量子测控SoC的量产验证平台随着量子计算机向百比特以上规模演进，集成化“量子测控SoC”成为趋势（如Intel的HorseRidge芯片）。这类芯片集成了多通道微波信号调制、频率合成、反馈控制等功能，结构复杂度接近**AI或通信SoC。GT600的512~2048通道并行测试能力、128M向量深度及400MHz测试速率，完全可满足此类**SoC在工程验证与小批量量产阶段的功能覆盖与性能分bin需求。 实时电流监测与快速数据采集，完整掌握电化学反应过程。

国磊（Guolei）的SoC测试机（如GT600）虽然主要面向高性能系统级芯片（SoC）的数字、模拟及混合信号测试，但其技术能力与MEMS（微机电系统）领域存在多维度、深层次的联系。尽管MEMS器件本身结构特殊（包含机械微结构、传感器/执行器等），但在实际应用中，绝大多数MEMS芯片都需与**ASIC或SoC集成封装（如惯性测量单元IMU、麦克风、压力传感器等），而这些配套电路的测试正是国磊SoC测试机的**应用场景。MEMS-ASIC协同封装的测试需求，现代MEMS产品极少以“裸传感器”形式存在，通常采用MEMS+ASIC的异质集成方案。例如，加速度计/陀螺仪中的MEMS结构负责感知物理量，而配套的ASIC则完成信号调理、模数转换、温度补偿和数字接口输出。这类ASIC往往具备高精度模拟前端（如低噪声放大器、Σ-Δ ADC）、可编程增益控制和I²C/SPI数字接口，属于典型的混合信号SoC。 国磊GT600配备24位高精度AWG/Digitizer板卡、PPMU每引脚参数测量单元及TMU时间测量功能，可***验证此类MEMS配套ASIC的线性度、噪声性能、时序响应和电源抑制比，确保传感器整体精度与可靠性。国磊GT600在电源门控测试中，通过其高精度测量能力与灵活测试架构，适配成熟到先进节点的工艺制程。盐城导电阳极丝测试系统参考价

先进节点（如28nm及以下）漏电更敏感，国磊GT600的PPMU可测nA级电流，满足FinFET等工艺的低功耗验证需求。高性能SIR测试系统市场价格

杭州国磊GT600 SoC测试机凭借其面向AI芯片特性的高性能参数和灵活架构，精细契合当前人工智能产业爆发式发展的**需求。高测试速率（100/400 MHz）——支撑AI芯片高速接口验证，AI芯片（如GPU、NPU、AI加速器）普遍集成HBM3/HBM3E、PCIe Gen5、SerDes等高速接口，数据传输速率高达数Gbps。400 MHz测试速率可完整覆盖AI SoC中高速I/O的功能与时序验证，确保在真实工作频率下稳定运行。随着大模型训练对带宽需求激增，国产AI芯片亟需高效验证平台，GT600成为打通“设计—验证—量产”闭环的关键工具。高性能SIR测试系统市场价格