惠州2L1EAE赛芯代理

140W移动电源方案主要分为分立协议芯片（DS6336）和三合一SoC方案 支持多口充、共享C口等场景，需满足3C认证并集成多重保护机制。支持2C1A三口同时放电；ØC口比较大PD3.1-140W双向充放电；ØA口比较大22.5W放电；ØTFT彩屏实时显示功率及其它参数；Ø支持6串锂电池；Ø支持软硬件方案定制；Ø支持USB口升级程序；Ø支持NTC温度检测；Ø支持过充、过放、过流、过温保护；支持多种快充协议、6串锂电池，软件可根据具体项目修改电池总容量参数正极保护的锂电池保护方案。惠州2L1EAE赛芯代理

XBM4530系列产品内二级保护芯片、置高精度的电压检测电路和延迟电路，是一款用于可充电电池组的二级保护芯片，通过检测电池包中每一节电芯的电压，为电池包提供过充电保护和过放保护1。功能特点高精度电池电压检测功能：过充电检测电压-（步进50mV），精度±25mV；过充电电压0-（步进50mV），精度±50mV；过放电检测电压-（步进100mV），精度±80mV；过放电电压0V-（步进100mV），精度±100mV1。保护延时内置可选：可根据不同应用场景选择合适的保护延时1。内置断线保护功能（可选）：增加了电池使用的安全性1。输出方式可选：有CMOS输出、N沟道开路漏级输出、P沟道开路漏级输出三种方式1。输出逻辑可选：动态输出H、动态输出上海XBM7101赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保多节锂电池保护电路， XBM2138 XBM32XX XBM325X XBM3360。

XBM2138QFA移动电源应用两串锂电池保护芯片介绍35W以内XBM2138QFA2串锂保集成MOS内置均衡：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节：保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能

锂电池保护板分为一级保护和二级保护。一级保护通常指的是主动组件保护，包括保护IC和MOSFET，它能够实时监测电池的电压和充放电电流，并在必要时MOSFET的导通或关断，以防止电池过充、过放、过载及短路。而二级保护则是指使用PTC、MHP、丝等被动组件来进一步增强电池的安全性。这些组件通常是温度敏感的，能够在电池温度异常升高时呈现高阻状态，阻止电流流动，从而避免可能的危险情况当电池温度异常升高时，PTC或MHP会呈现高阻状态，阻碍电池的充放电，从而防止锂电池的起火。这种保护方式被称为二级保护，它是一种被动组件保护，通常作为一级保护电路（IC/Mosfet）的补充。多节锂电保护产品二级保护二级保护是指使用PTC、MHP、等被动组件来保护电池。5串/NTC/MSOP10多节锂电保护产品——二级保护 XBM4530。

PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联，实现几乎是直接翻倍的带载能力，降低内阻，提高效率，但布板清注意：①两个芯片尽量对称，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地，减小布线内阻和加强散热。③，每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻，并且布的离VDD近些，尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些，也无需多粗，但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小，PCB板上，封装焊盘略大一些，避免虚焊。②，走线经过电阻后，先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND，使整个电容环路**小。④芯片的GND（B-）到VM建议预留一个C2（）电容位置，C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD，建议连接芯片的GND（B-）或者悬空。多串锂保应用注意事项布局。苏州6096J9c赛芯方案公司

芯纳科技代理赛芯芯片，XBM5770 型号当前现货，可及时响应客户订单需求。惠州2L1EAE赛芯代理

深圳市芯纳科技作为赛芯 XR4981A 的质量代理商，在智能穿戴设备应用场景中展现出优势。智能穿戴设备对充电 IC 的体积、功耗和稳定性要求极高，赛芯 XR4981A 采用超小封装设计，能完美适配智能手表、手环等紧凑空间，同时低功耗特性可有效延长设备续航时间，满足用户对设备长时间使用的需求。而芯纳科技的代理优势更是为客户提供了坚实保障，作为官方授权代理商，芯纳科技拥有稳定且充足的赛芯 XR4981源，可避免因原厂供货波动导致的断供风险，确保智能穿戴设备厂商的生产计划顺利推进。惠州2L1EAE赛芯代理