河北晶圆加热盘供应商

针对半导体晶圆研磨后的应力释放需求，国瑞热控**加热盘以温和温控助力晶圆性能稳定。采用铝合金基体与柔性导热垫层复合结构，导热垫层硬度 Shore A 30，可贴合研磨后晶圆表面微小凹凸，确保热量均匀传递。温度调节范围 30℃-150℃，控温精度 ±0.8℃，支持阶梯式升温（每阶段升温 5℃-10℃，保温 10-30 分钟），缓慢释放晶圆内部机械应力。配备氮气保护系统，避免加热过程中晶圆表面氧化，且加热盘表面粗糙度 Ra 小于 0.05μm，无颗粒划伤晶圆风险。与硅产业集团、中环股份等晶圆厂商合作，使研磨后晶圆翘曲度降低 20% 以上，提升后续光刻、刻蚀工艺的良率。密封式设计可选，防潮防尘耐腐蚀，适用复杂环境。河北晶圆加热盘供应商

国瑞热控针对硒化铟等二维半导体材料制备需求，开发**加热盘适配 “固 - 液 - 固” 相变生长工艺。采用高纯不锈钢基体加工密封腔体，内置铟原子蒸发温控模块，可精细控制铟蒸汽分压，确保硒与铟原子比稳定在 1:1。加热面温度均匀性控制在 ±0.5℃，升温速率可低至 0.5℃/ 分钟，为非晶薄膜向高质量晶体转化提供稳定热环境。设备支持 5 厘米直径晶圆级制备，配合惰性气体保护系统，避免材料氧化，与北京大学等科研团队合作验证，助力高性能晶体管阵列构建，其电学性能指标可达 3 纳米硅基芯片的 3 倍。中国台湾涂胶显影加热盘厂家低热容设计，升温降温迅捷，适合快速变温工艺。

为降低半导体加热盘的热量损耗，国瑞热控研发**隔热组件，通过多层复合结构设计实现高效保温。组件内层采用耐高温隔热棉，热导率* 0.03W/(m・K)，可有效阻隔加热盘向设备腔体的热量传递；外层选用金属防护壳，兼具结构强度与抗腐蚀性能，适配半导体洁净车间环境。隔热组件与加热盘精细贴合，安装拆卸便捷，不影响加热盘的正常维护与更换。通过隔热组件应用，可使加热盘热量利用率提升 15% 以上，降低设备整体能耗，同时减少设备腔体温升，延长周边部件使用寿命。适配国瑞全系列半导体加热盘，且可根据客户现有加热盘尺寸定制，为半导体生产线的能耗优化提供实用解决方案。

国瑞热控 12 英寸半导体加热盘专为先进制程量产需求设计，采用氮化铝陶瓷与高纯铜复合基材，通过多道精密研磨工艺，使加热面平面度误差控制在 0.015mm 以内，完美贴合大尺寸晶圆的均匀受热需求。内部采用分区式加热元件布局，划分 8 个**温控区域，配合高精度铂电阻传感器，实现 ±0.8℃的控温精度，满足 7nm 至 14nm 制程对温度均匀性的严苛要求。设备支持真空吸附与静电卡盘双重固定方式，适配不同类型的反应腔结构，升温速率达 20℃/ 分钟，工作温度范围覆盖室温至 600℃，可兼容 PVD、CVD、刻蚀等多道关键工艺。通过与中芯国际、长江存储等企业的深度合作，已实现与国产 12 英寸晶圆生产线的无缝对接，为先进制程规模化生产提供稳定温控支撑。热解决方案伙伴，深入探讨共同优化工艺热管理。

面向先进封装 Chiplet 技术需求，国瑞热控**加热盘以高精度温控支撑芯片互联工艺。采用铝合金与陶瓷复合基材，加热面平面度误差小于 0.02mm，确保多芯片堆叠时受热均匀。内部采用微米级加热丝布线，实现 1mm×1mm 精细温控分区，温度调节范围覆盖室温至 300℃，控温精度 ±0.3℃，适配混合键合、倒装焊等工艺环节。配备压力与温度协同控制系统，在键合过程中同步调节温度与压力参数，减少界面缺陷。与长电科技、通富微电等企业适配，支持 2.5D/3D 封装架构，为 AI 服务器等高算力场景提供高密度集成解决方案。表面特殊处理，耐腐蚀易清洁，适用化学食品领域。湖南高精度均温加热盘

独特加热元件设计，热效率大幅提升，节能环保同时保证长期稳定运行。河北晶圆加热盘供应商

针对半导体制造中的高真空工艺需求，国瑞热控开发**真空密封组件，确保加热盘在真空环境下稳定运行。组件采用氟橡胶与金属骨架复合结构，耐温范围覆盖 - 50℃至 200℃，可长期在 10⁻⁵Pa 真空环境下使用无泄漏。密封件与加热盘接口精细匹配，通过多道密封设计提升真空密封性，避免反应腔体内真空度下降影响工艺质量。组件安装过程简单，无需特殊工具，且具备良好的耐磨性与抗老化性能，使用寿命超 5000 次拆装循环。适配 CVD、PVD 等真空工艺用加热盘，与国产真空设备厂商的反应腔体兼容，为半导体制造中的高真空环境提供可靠密封保障，助力提升工艺稳定性与产品良率。河北晶圆加热盘供应商

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