针对TMR传感器灵敏度，中清航科开发磁屏蔽封装。坡莫合金屏蔽罩使外部场干扰＜0.1mT，分辨率达50nT。电流传感器精度达±0.5%，用于新能源汽车BMS系统。中清航科微型热电发生器实现15%转换效率。Bi₂Te₃薄膜与铜柱互联结构使输出功率密度达3mW/cm²（ΔT=50℃）。物联网设备实现供能。中清航科FeRAM封装解决数据保持难题。锆钛酸铅薄膜与耐高温电极使10¹²次读写后数据保持率＞99%。125℃环境下数据保存超10年，适用于工业控制存储。中清航科芯片封装方案，适配物联网设备，兼顾低功耗与小型化。上海金属封装管壳
随着摩尔定律逼近物理极限，先进封装成为提升芯片性能的关键路径。中清航科在Fan-Out晶圆级封装（FOWLP）领域实现突破，通过重构晶圆级互连架构，使I/O密度提升40%，助力5G射频模块厚度缩减至0.3mm。其开发的激光解键合技术将良率稳定在99.2%以上，为毫米波通信设备提供可靠封装方案。面对异构集成需求激增，中清航科推出3DSiP立体封装平台。该方案采用TSV硅通孔技术与微凸点键合工艺，实现CPU、HBM内存及AI加速器的垂直堆叠。在数据中心GPU领域，其散热增强型封装结构使热阻降低35%，功率密度提升至8W/mm²，满足超算芯片的严苛要求。上海fanout封装先进封装需多学科协同，中清航科跨领域团队，攻克材料与结构难题。
散热能力强：COB产品是把灯封装在PCB板上，通过PCB板上的铜箔快速将灯芯的热量传出，而且PCB板的铜箔厚度都有严格的工艺要求，加上沉金工艺，几乎不会造成严重的光衰减。所以很少死灯，比较大延长了LED显示屏的寿命。耐磨、易清洁：表面光滑而坚硬，耐撞耐磨;没有面罩，有灰尘用水或布即可清洁。全天候优良特性：采用三重防护处理，防水、潮、腐、尘、静电、氧化、紫外效果突出;满足全天候工作条件，零下30度到零上80度的温差环境仍可正常使用。
常见芯片封装类型-DIP：DIP即双列直插式封装，是较为早期且常见的封装形式。它的绝大多数中小规模集成电路芯片采用这种形式，引脚数一般不超过100个。采用DIP封装的芯片有两排引脚，可插入具有DIP结构的芯片插座，也能直接焊接在有对应焊孔的电路板上。其优点是适合PCB上穿孔焊接，操作方便；缺点是封装面积与芯片面积比值大，体积较大。中清航科在DIP封装业务上技术成熟，能以高效、稳定的生产流程，为对成本控制有要求且对芯片体积无严苛限制的客户，提供质优的DIP封装产品。超算芯片多芯片协同，中清航科先进封装，降低芯片间数据传输延迟。
先进芯片封装技术-2.5D/3D封装：2.5D封装技术可将多种类型芯片放入单个封装，通过硅中介层实现信号横向传送，提升封装尺寸和性能，需用到硅通孔（TSV）、重布线层（RDL）、微型凸块等主要技术。3D封装则是在垂直方向叠放两个以上芯片，直接在芯片上打孔和布线连接上下层芯片堆叠，集成度更高。中清航科在2.5D/3D封装技术方面持续创新，已成功应用于高性能计算、人工智能等领域，帮助客户实现芯片性能的跨越式提升。有相关需求欢迎随时联系。芯片封装引脚密度攀升，中清航科微焊技术，确保细如发丝的连接可靠。上海金属封装管壳
芯片封装良率影响成本，中清航科工艺改进，将良率提升至行业前列。上海金属封装管壳
中清航科深紫外LED封装攻克出光效率瓶颈。采用氮化铝陶瓷基板搭配高反射镜面腔体，使280nmUVC光电转换效率达12%。在杀菌模组应用中，光功率密度提升至80mW/cm²，寿命突破10,000小时。基于MEMS压电薄膜异质集成技术，中清航科实现声学传感器免ASIC封装。直接输出数字信号的压电微桥结构，使麦克风信噪比达74dB。尺寸缩小至1.2×0.8mm²，助力TWS耳机减重30%。中清航科太赫兹频段封装突破300GHz屏障。采用石英波导过渡结构，在0.34THz频点插损＜3dB。其天线封装（AiP）方案使安检成像分辨率达2mm，已用于人体安检仪量产。上海金属封装管壳
