企业商机
剥离液基本参数
  • 品牌
  • 博洋化学
  • 纯度级别
  • 超纯/高纯
  • 类型
  • 醇,醚
  • 产品性状
  • 液态
剥离液企业商机

每一所述第二子管道502与所述公共子管道501连通,所述公共子管道501与所述下一级腔室102连通。其中,阀门开关60设置在每一子管道301上。在一些实施例中,阀门开关60设置在每一***子管道401及每一所述第二子管道502上。在一些实施例中,阀门开关60设置在每一第二子管道502上。具体的,阀门开关60的设置位置可以设置在连接过滤器30的任意管道上,在此不做赘述。在一些实施例中,请参阅图4,图4为本申请实施例提供的剥离液机台100的第四种结构示意图。第二管道50包括多个第三子管道503,每一所述第三子管道503与一子过滤器连通301,且每一所述第三子管道503与所述下一级腔室连通102。其中,阀门开关60设置在每一第三子管道503上。本申请实施例提供的剥离液机台,包括:依次顺序排列的多级腔室、每一级所述腔室对应连接一存储箱;过滤器,所述过滤器的一端设置通过管道与当前级腔室对应的存储箱连接,所述过滤器的另一端通过第二管道与下一级腔室连接;其中,至少在管道或所述第二管道上设置有阀门开关。通过阀门开关控制连接每一级腔室的过滤器相互独立,从而在过滤器被阻塞时通过阀门开关将被堵塞的过滤器取下并不影响整体的剥离进程,提高生产效率。剥离液的发展趋势如何。南京哪家蚀刻液剥离液

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其包含含有钾盐的第1液、和含有溶纤剂的第2液。再者,本发明涉及印刷布线板、半导体基板、平板显示器或引线框的制造方法,其特征在于,在包括从施加有抗蚀剂的基材除去抗蚀剂的工序的印刷布线板、半导体基板、平板显示器或引线框的制造方法中,使用上述抗蚀剂的剥离液进行抗蚀剂的除去。发明效果本发明的抗蚀剂的剥离液即使是微细的布线间的抗蚀剂也能细小地粉碎。因此,本发明的抗蚀剂的剥离液适合于包括从施加有抗蚀剂的基材除去抗蚀剂的工序的印刷布线板、半导体基板、平板显示器或引线框的制造方法。具体实施方式本发明的抗蚀剂的剥离液(以下,称为“本发明剥离液”)含有氢氧化钾和溶纤剂。本发明剥离液中的钾盐没有特别限定,例如,可以举出氢氧化钾、碳酸钾等。需要说明的是,钾盐中不含相当于后述的硅酸盐的硅酸钾。这些之中推荐氢氧化钾。另外,本发明剥离液中的钾盐的含量没有特别限定,例如,推荐,更推荐,特别推荐。本发明剥离液中使用的溶纤剂是指乙二醇的醚类,例如,可以举出异丙基溶纤剂、丁基溶纤剂、二甲基溶纤剂、苯基丁基溶纤剂、甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、苯基溶纤剂、苄基溶纤剂、卡必醇溶纤剂、二乙基溶纤剂等。这些之中推荐异丙基溶纤剂。另外。东莞剥离液配方技术剥离液的特性是什么?

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在生产方面,剥离液的纯度对于应用领域有所限制,高纯度剥离液生产工艺复杂,且对于生产设备、生产环境控制均有较高的要求,整体技术门槛较高。在资金方面,为取得竞争优势,剥离液生产企业需要在研发、技术、设备方面投入大量资金,因此为实现剥离液产业化生产所需的资金门槛相对较高。新思界产业分析人士表示,剥离液作为半导体制造的关键性湿电子化学品,在半导体产业快速发展背景下,剥离液市场需求攀升。就总体来看,剥离液虽然是一种关键化工原料,但由于需求量较少,因此市场规模偏小,生产企业由大型湿电子化学品主导,新进入企业难以寻求发展机遇。

本申请涉及半导体工艺技术领域,具体涉及一种剥离液机台及其工作方法。背景技术:剥离(lift-off)工艺通常用于薄膜晶体管(thinfilmtransistor)制程中的光罩缩减,lift-off先形成光阻并图案化,再在光阻上成膜,移除光阻的同时,沉积在光阻上的膜层也被剥离,从而完成膜层的图形化,通过该制程可以实现两次光刻合并为一次以达到光罩缩减的目的。现有技术中,由于光阻上沉积了薄膜(该薄膜材料可以为金属,ito(氧化铟锡)等用于制备tft的膜层),在剥离光阻的同时薄膜碎屑被带入剥离液(stripper)中,大量的薄膜碎屑将会导致剥离液机台中的过滤器(filter)堵塞,从而导致机台无法使用,并且需要停止所有剥离液机台的工作,待将filter清理后再次启动,降低了生产效率。技术实现要素:本申请实施例提供一种剥离液机台及其工作方法,可以提高生产效率。本申请实施例提供一种剥离液机台,包括:依次顺序排列的多级腔室、每一级所述腔室对应连接一存储箱;过滤器,所述过滤器的一端设置通过管道与当前级腔室对应的存储箱连接,所述过滤器的另一端通过第二管道与下一级腔室连接;其中,至少在所述管道或所述第二管道上设置有阀门开关。在一些实施例中。ITO剥离液的配方是什么?

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具体实施方式现有技术中剥离液废液中含有光刻胶树脂、水和某些金属杂质,而剥离液废液的处理主要是通过焚烧或者低水平回收,其大量的使用但不能够有效地回收,或者回收后需要通过大量的时间分析其含量以及花大量时间进行再生处理,影响了剥离液废液的利用率。本发明对于已知的剥离液的含量以及比例有预先的了解,通过预先制定添加剂的方法,将添加剂以及某些原材料加入后重新制备剥离液新液。本发明中对于回收的剥离液废液的进一步处理加工,是采用现有技术中加压、蒸馏等方式,可以是采用阶段性变压精馏塔进行加压、蒸馏处理。表1:已知的剥离液新液的组分:表二:添加剂的组分组分比例:纯化液体的组分表四:制备剥离液新液在对纯化液体进行加工处理,重新制备剥离液新液的过程中,需要预先制备添加剂,该添加剂中不含有酰胺化合物,而通过表四中可以得出,制备过程中在纯化液体中加入添加剂以及nmf或bdg重新得出与表1组分相同的剥离液新液,该剥离液新液能够达到表1中剥离液新液相同的成分以及相同或大致相同的技术效果。对所公开的实施例的上述说明,使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的。华星光电用的哪家的剥离液?东莞剥离液配方技术

什么样的剥离液可以保护底部金属?南京哪家蚀刻液剥离液

图3是一现有技术光刻胶剥离去除示意图二,其离子注入步骤。图4是一现有技术光刻胶剥离去除示意图三,其显示离子注入后光刻胶形成了主要光刻胶层和第二光刻胶层。图5是一现有技术光刻胶剥离去除示意图四,其显示光刻胶膨胀。图6是一现有技术光刻胶剥离去除示意图五,其显示光刻胶炸裂到临近光刻胶。图7是一现有技术光刻胶剥离去除示意图六,其显示光刻胶去除残留。图8是本发明光刻胶剥离去除示意图一,其显示首先剥离去除主要光刻胶层。图9是本发明光刻胶剥离去除示意图二,其显示逐步剥离去除第二光刻胶层的中间过程。图10是本发明光刻胶剥离去除示意图三,其显示完全去除光刻胶后的衬底。图11是采用现有技术剥离去除光刻胶残留缺陷示意图。图12是采用本发明剥离去除光刻胶残留缺陷示意图。具体实施方式以下通过特定的具体实施例说明本发明的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所公开的内容充分地了解本发明的其他优点与技术效果。本发明还可以通过不同的具体实施方式加以实施或应用,本说明书中的各项细节也可以基于不同观点加以应用,在没有背离发明总的设计思路下进行各种修饰或改变。需说明的是,在不的情况下,以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。南京哪家蚀刻液剥离液

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