在电子束曝光的三维结构制备研究中，科研团队探索了灰度曝光技术的应用。灰度曝光通过控制不同区域的电子束剂量，可在抗蚀剂中形成连续变化的高度分布，进而通过刻蚀得到三维微结构。团队利用该技术在氮化物半导体表面制备了具有渐变折射率的光波导结构，测试结果显示这种结构能有效降低光传输损耗。这项技术突破拓展了电子束曝光在复杂三维器件制备中的应用，为集成光学器件的研发提供了新的工艺选择。针对电子束曝光在第三代半导体中试中的成本控制问题，科研团队进行了有益探索。电子束曝光能制备超高深宽比X射线光学元件以突破成像分辨率极限。天津AR/VR电子束曝光价格
研究所利用多平台协同优势，研究电子束曝光图形在后续工艺中的转移完整性。电子束曝光形成的抗蚀剂图形需要通过刻蚀工艺转移到半导体材料中，团队将曝光系统与电感耦合等离子体刻蚀设备结合，研究不同刻蚀气体比例对图形转移精度的影响。通过材料分析平台的扫描电镜观察，发现曝光图形的线宽偏差会在刻蚀过程中产生一定程度的放大，据此建立了曝光线宽与刻蚀结果的校正模型。这项研究为从设计图形到器件结构的精细转化提供了技术支撑，提高了器件制备的可预测性。安徽纳米器件电子束曝光加工平台电子束曝光推动自发光量子点显示的色彩转换层高效集成。
将电子束曝光技术与深紫外发光二极管的光子晶体结构制备相结合，是研究所的另一项应用探索。光子晶体可调控光的传播方向，提升器件的光提取效率，科研团队通过电子束曝光在器件表面制备亚波长周期结构，研究周期参数对光提取效率的影响。利用光学测试平台，对比不同光子晶体图形下器件的发光强度，发现特定周期的结构能使深紫外光的出光效率提升一定比例。这项工作展示了电子束曝光在光学功能结构制备中的独特优势，为提升光电子器件性能提供了新途径。
广东省科学院半导体研究所依托其微纳加工平台的先进设备，在电子束曝光技术研发中持续发力。该平台配备的高精度电子束曝光系统，具备纳米级分辨率，可满足第三代半导体材料微纳结构制备的需求。科研团队针对氮化物半导体材料的特性，研究电子束能量与曝光剂量对图形转移精度的影响，通过调整加速电压与束流参数，在 2-6 英寸晶圆上实现了亚微米级图形的稳定制备。借助设备总值逾亿元的科研平台，团队能够对曝光后的图形进行精细表征，为工艺优化提供数据支撑，目前已在深紫外发光二极管的电极图形制备中积累了多项实用技术参数。电子束刻合为虚拟现实系统提供高灵敏触觉传感器集成方案。
在电子束曝光与离子注入工艺的结合研究中，科研团队探索了高精度掺杂区域的制备技术。离子注入的掺杂区域需要与器件图形精确匹配，团队通过电子束曝光制备掩模图形，控制离子注入的区域与深度，研究不同掺杂浓度对器件电学性能的影响。在 IGZO 薄膜晶体管的研究中，优化后的曝光与注入工艺使器件的沟道导电性调控精度得到提升，为器件性能的精细化调节提供了可能。这项研究展示了电子束曝光在半导体掺杂工艺中的关键作用。通过汇总不同科研机构的工艺数据，分析电子束曝光关键参数的合理范围，为制定行业标准提供参考。在内部研究中，团队已建立一套针对第三代半导体材料的电子束曝光在超高密度存储领域实现纳米全息结构的精确编码。安徽纳米器件电子束曝光加工平台
电子束曝光在MEMS器件加工中实现微谐振结构的亚纳米级精度控制。天津AR/VR电子束曝光价格
围绕电子束曝光的套刻精度控制，科研团队开展了系统研究。在多层结构器件的制备中，各层图形的对准精度直接影响器件性能，团队通过改进晶圆定位系统与标记识别算法，将套刻误差控制在较小范围内。依托材料外延平台的表征设备，可精确测量不同层间图形的相对位移，为套刻参数的优化提供量化依据。在第三代半导体功率器件的研发中，该技术确保了源漏电极与沟道区域的精细对准，有效降低了器件的接触电阻，相关工艺参数已纳入中试生产规范。天津AR/VR电子束曝光价格
