围绕电子束曝光在半导体激光器腔面结构制备中的应用，研究所进行了专项攻关。激光器腔面的平整度与垂直度直接影响其出光效率与寿命，科研团队通过控制电子束曝光的剂量分布，在腔面区域制备高精度掩模，再结合干法刻蚀工艺实现陡峭的腔面结构。利用光学测试平台，对比不同腔面结构的激光器性能，发现优化后的腔面使器件的阈值电流降低，斜率效率有所提升。这项研究充分发挥了电子束曝光的纳米级加工优势，为高性能半导体激光器的制备提供了工艺支持，相关成果已应用于多个研发项目。电子束曝光与电镜联用实现纳米器件的原位加工、表征一体化平台。河北光栅电子束曝光代工
科研团队在电子束曝光的抗蚀剂选择与处理工艺上进行了细致研究。不同抗蚀剂对电子束的灵敏度与分辨率存在差异，团队针对第三代半导体材料的刻蚀需求，测试了多种正性与负性抗蚀剂的性能，筛选出适合氮化物刻蚀的抗蚀剂类型。通过优化抗蚀剂的涂胶厚度与前烘温度，减少了曝光过程中的气泡缺陷，提升了图形的完整性。在中试规模的实验中，这些抗蚀剂处理工艺使 6 英寸晶圆的图形合格率得到一定提升，为电子束曝光技术的稳定应用奠定了基础。黑龙江T型栅电子束曝光加工电子束曝光助力该所在深紫外发光二极管领域突破微纳制备瓶颈。
研究所将电子束曝光技术应用于生物传感器的微纳电极制备中，探索其在跨学科领域的应用。生物传感器的电极尺寸与间距会影响检测灵敏度，科研团队通过电子束曝光制备纳米级间隙的电极对，研究间隙尺寸与生物分子检测信号的关系。利用电化学测试平台，对比不同电极结构的检测限与响应时间，发现纳米间隙电极能明显提升对特定生物分子的检测灵敏度。这项研究展示了电子束曝光技术在交叉学科研究中的应用潜力，为生物医学检测器件的发展提供了新思路。围绕电子束曝光的能量分布模拟与优化，科研团队开展了理论与实验相结合的研究。通过蒙特卡洛方法模拟电子束在抗蚀剂与半导体材料中的散射过程，预测不同能量下的电子束射程与能量沉积分布，指导曝光参数的设置。
电子束曝光推动全息存储技术突破物理极限，通过在光敏材料表面构建三维体相位光栅实现信息编码。特殊设计的纳米级像素单元可同时记录振幅与相位信息，支持多层次数据叠加。自修复型抗蚀剂保障存储单元10年稳定性，在银行级冷数据存储系统中实现单盘1.6PB容量。读写头集成动态变焦功能，数据传输速率较蓝光提升100倍，为数字文化遗产长久保存提供技术基石。电子束曝光革新海水淡化膜设计范式，基于氧化石墨烯的分形纳米通道优化水分子传输路径。仿生叶脉式支撑结构增强膜片机械强度，盐离子截留率突破99.97%。自清洁表面特性实现抗生物污染功能，在海洋漂浮式平台连续运行5000小时通量衰减低于5%。该技术使单吨淡水能耗降至2kWh，为干旱地区提供可持续水资源解决方案。电子束曝光在单分子测序领域实现原子级精度的生物纳米孔制造。
现代科研平台将电子束曝光模块集成于扫描电子显微镜（SEM），实现原位加工与表征。典型应用包括在TEM铜网制作10μm支撑膜窗口或在AFM探针沉积300纳米铂层。利用二次电子成像和能谱（EDS）联用，电子束曝光支持实时闭环操作（如加工后成分分析），提升跨尺度研究效率5倍以上。其真空兼容性和定位精度使纳米实验室成为材料科学关键工具。在电子束曝光的矢量扫描模式下，剂量控制是主要参数（剂量=束流×驻留时间/步进）。典型配置如100kV加速电压下500pA束流对应3纳米束斑，剂量范围100-2000μC/cm²。采用动态剂量调制和邻近效应矫正（如灰度曝光），可将线边缘粗糙度降至1nmRMS。套刻误差依赖激光干涉仪实时定位技术，精度达±35nm/100mm，确保图形保真度。电子束曝光为神经形态芯片提供高密度、低功耗纳米忆阻单元阵列。黑龙江T型栅电子束曝光加工
电子束曝光实现太赫兹波段的电磁隐身超材料智能设计制造。河北光栅电子束曝光代工
将模拟结果与实际曝光图形对比，不断修正模型参数，使模拟预测的线宽与实际结果的偏差缩小到一定范围。这种理论指导实验的研究模式，提高了电子束曝光工艺优化的效率与精细度。科研人员探索了电子束曝光与原子层沉积技术的协同应用，用于制备高精度的纳米薄膜结构。原子层沉积能实现单原子层精度的薄膜生长，而电子束曝光可定义图形区域，两者结合可制备复杂的三维纳米结构。团队通过电子束曝光在衬底上定义图形，再利用原子层沉积在图形区域生长功能性薄膜，研究沉积温度与曝光图形的匹配性。在氮化物半导体表面制备的纳米尺度绝缘层，其厚度均匀性与图形一致性均达到较高水平，为纳米电子器件的制备提供了新方法。河北光栅电子束曝光代工
