企业商机
二极管基本参数
  • 品牌
  • 南科功率
  • 型号
  • 齐全
  • 半导体材料
  • 硅Si,磷化镓GaP,磷铟砷化镓GaAsInP,锗Ge,砷As,磷砷化镓GaAsP,铝Al,砷铝化镓GaAlAs,铟In,氮N,磷化铝镓铟AlGaInP,镓Ga,磷P,氮化镓GaN,砷化镓GaAs
  • 封装方式
  • 塑料封装,玻璃封装,厚膜封装,金属外壳封装
二极管企业商机

交流二极管(DIAC)、突波保护二极管、双向触发二极管,当施加超过规定电压(Break Over电压,VBO)的电压会开始导通使得端子之间的电压降低的双方向元件。用于电路的突波保护上。另,虽被称为二极管,实际的构造、动作原理都应归类为闸流管/可控硅整流器的复杂分类中。非线性电阻器,若超过一定电压,电阻就会降低。是保护电路受到突波电压伤害的双向元件。通常由二氧化锌的烧结体颗粒制成,当作非线性电阻使用。虽然一般认为它的作用应是由内部众多金属氧化物颗粒间的肖特基接面二极管效应而产生,但对外并不呈现二极管的特性,因此平常并不列在二极管分类之中。二极管作为电子元器件的重要一员,其发展和应用推动了电子技术的进步。江门平面型二极管市场价格

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变容二极管: 变容二极管是利用PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件,被普遍地用于参量放大器,电子调谐及倍频器等微波电路中。瞬态电压抑制二极管TVS: 一种固态二极管,专门用于ESD保护。TVS二极管是和被保护电路并联的,当瞬态电压超过电路的正常工作电压时,二极管发生雪崩,为瞬态电流提供通路,使内部电路免遭超额电压的击穿。发光二极管LED: 用磷化镓、磷砷化镓材料制成,体积小,正向驱动发光。工作电压低,工作电流小,发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。肇庆锗管二极管作用二极管在保护电路中扮演着重要角色,能有效防止电路过压或过流。

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在1882年的时候,他们突然想了一个办法,将一片铜片放在灯丝和玻璃之间,以为能阻止灯丝的老化。很遗憾,这个办法不行。他们接下来在这个铜片上施加一定的电压希望能够改善灯丝的寿命,可是这样做依然无济于事。虽然,提高灯丝寿命的实验失败了,但是在这个过程中,他们发现了匪夷所思的事情那就是灯丝和铜片之间会有电流流过,而且加反向电压的时候没有电流流过!可是,铜片和灯丝之间没有任何接触,二者之间是真空!后来,人们把这种效应叫爱迪生效应。

快恢复二极管英文名称为Fast Recovery Diodes,简称FRD,是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管,主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同,它属于PIN结型二极管,即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I,构成PIN硅片。因基区很薄,反向恢复电荷很小,所以快恢复二极管的反向恢复时间较短,正向压降较低,反向击穿电压(耐压值)较高。快恢复二极管的外形和普通二极管相同,原理图和PCB库的参照整流二极管。在选型二极管时,需考虑反向击穿电压、反向恢复时间和较大耗散功率等参数。

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二极管特性及参数:1、二极管伏安特性,导通后分电压值约为 0.7 V(硅管)或0.3V(锗管)(LED 约为 1-2 V,电流 5-20 mA)。反向不导通,但如果达到反向击穿电压,那将导通(超过反向较大电压可能烧坏)。正向电压很小时不导通(0.5 V 以上时才导通)。2、主要参数:较大整流电流 I_FIF: 表示长期运行允许的较大正向平均电流,超出可能因结温过高烧坏。较高反向工作电压 U_RUR:允许施加的较大反向电压,超出可能击穿。(U_RUR 通常为击穿电压的一半)。反向电流 I_RIR: 未击穿时的反向电流,越小导电性越好。较高工作频率 f_MfM: 上线截止频率。因结电容作用,超出可能不能很好体现的单向导电性。二极管可用于电池充电和放电保护,防止过充和过放。肇庆单向导电二极管定制

二极管的导通特性与P-N结有关。江门平面型二极管市场价格

接面电压,当二极管的P-N结处于正向偏置时,必须有相当的电压被用来贯通耗尽区,导致形成一反向的电压源,此电压源的电压就称为障壁电压,硅二极管的障壁电压约0.6V~0.7V,锗二极管的障壁电压约0.3~0.4V。种类:依照材料及发展年代分类:二极真空管;锗二极管;硒二极管;硅二极管;砷化镓二极管。依照应用及特性分类:PN结二极管(PN Diode),施加正向偏置,利用半导体中PN接合的整流性质,是较基本的半导体二极管,常见应用于整流方面以及与电感并联保护其他元件用。细节请参照PN结的条目。江门平面型二极管市场价格

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