辽宁德国桌面无掩模光刻机让你随意进行纳米图案化

Polos光刻机在微机械加工中表现outstanding。其亚微米分辨率可制造80 µm直径的开环谐振器和2 µm叉指电极，适用于传感器与执行器开发。结合双光子聚合技术（如Nanoscribe系统），用户还能扩展至3D微纳结构打印，为微型机器人及光学元件提供多尺度制造方案。无掩模光刻技术可以随意进行纳米级图案化，无需使用速度慢且昂贵的光罩。这种便利对于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上没有任何妥协的情况下，将该技术带到了桌面上，进一步提升了其优势。无掩模技术优势：摒弃传统掩模，图案实时调整，研发成本降低 70%，小批量生产经济性突出。辽宁德国桌面无掩模光刻机让你随意进行纳米图案化

无掩模激光光刻：科研效率的revolution性提升！Polos-BESM系列采用无掩模激光直写技术，用户可通过软件直接输入任意图案，省去传统光刻中掩膜制备的高昂成本与时间。其405 nm紫外光源和亚微米分辨率（most小线宽0.8 µm）支持5英寸晶圆的高精度加工，特别适合实验室快速原型开发。闭环自动对焦系统（1秒完成）和半自动多层对准功能，remarkable提升微流体芯片和MEMS器件的研发效率62。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。河南光刻机MAX基材尺寸4英寸到6英寸空间友好设计：占地面积小于 1.2㎡，小型实验室也能部署高精度光刻系统。

某能源研究团队采用 Polos 光刻机制造了压电式微型能量收集器。其激光直写技术在 PZT 薄膜上刻制出 50μm 的叉指电极，器件的能量转换效率达 35%，在 10Hz 振动下可输出 50μW/cm² 的功率。通过自定义电极间距和厚度，该收集器可适配不同频率的环境振动，在智能穿戴设备中实现了运动能量的实时采集与存储。其轻量化设计（体积 < 1mm³）还被用于物联网传感器节点，使传感器续航时间从 3 个月延长至 2 年。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。

无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。Polos-BESM 光刻机：无掩模激光直写，50nm 精度，支持金属 / 聚合物同步加工，适配第三代半导体器件研发。

SPS POLOS µ以桌面化设计降低设备投入成本，无需掩膜制备费用。其光束引擎通过压电驱动快速扫描，单次写入区域达400 µm，支持光刻胶如AZ5214E的高效曝光。研究案例显示，该设备成功制备了间距3 µm的微图案阵列和叉指电容器，助力纳米材料与柔性电子器件的快速原型验证。无掩模光刻技术可以随意进行纳米级图案化，无需使用速度慢且昂贵的光罩。这种便利对于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上没有任何妥协的情况下，将该技术带到了桌面上，进一步提升了其优势。固态电池：锂金属界面阻抗降至 50Ω・cm²，电池循环寿命提升 3 倍。河南光刻机MAX基材尺寸4英寸到6英寸

POLOS µ：超紧凑设计，纳米级精度专攻微流控与细胞芯片。辽宁德国桌面无掩模光刻机让你随意进行纳米图案化

针对碳化硅（SiC）功率模块的栅极刻蚀难题，Polos 光刻机的激光直写技术实现了 20nm 的边缘粗糙度控制，较传统光刻胶工艺提升 5 倍。某新能源汽车芯片厂商利用该设备，将 SiC MOSFET 的导通电阻降低 15%，开关损耗减少 20%，推动车载逆变器效率突破 99%。其灵活的图案编辑功能支持快速验证新型栅极结构，使器件研发周期从 12 周压缩至 4 周，助力我国在第三代半导体领域实现弯道超车。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。辽宁德国桌面无掩模光刻机让你随意进行纳米图案化