河南德国PSP-POLOS光刻机基材厚度可达到0.1毫米至8毫米

在微流体研究领域，德国 Polos 光刻机系列凭借独特优势脱颖而出。其无掩模激光光刻技术，打破传统光刻的局限，无需掩模就能实现高精度图案制作。这使得科研人员在构建微通道网络时，可根据实验需求自由设计，快速完成从图纸到实体的转化。​以药物传输研究为例，利用 Polos 光刻机，能制造出尺寸precise、结构复杂的微通道，模拟人体环境，让药物在微小空间内可控流动，much提升药物传输效率研究的准确性。同时，在细胞培养实验中，该光刻机制作的微流体芯片，为细胞提供稳定且适宜的生长环境，助力细胞生物学研究取得新突破。小空间大作为的 Polos 光刻机，正推动微流体研究不断向前。实时观测系统：120 FPS高清摄像头搭配20x尼康物镜，实现加工过程动态监控。河南德国PSP-POLOS光刻机基材厚度可达到0.1毫米至8毫米

在tumor转移机制研究中，某tumor研究中心利用 Polos 光刻机构建了仿生tumor微环境芯片。通过无掩模激光光刻技术，在 PDMS 基底上制造出三维tumor血管网络与间质纤维化结构，其中血管直径可精确控制在 10-50μm。实验显示，该芯片模拟的tumor微环境中，tumor细胞迁移速度较传统二维培养提升 2.3 倍，且化疗药物渗透效率降低 40%，与临床数据高度吻合。该团队通过软件实时调整通道曲率和细胞外基质密度，成功复现了tumor细胞上皮 - 间质转化（EMT）过程，相关成果发表于《Cancer Research》，并被用于新型抗转移药物的筛选平台开发。河北德国POLOS桌面无掩模光刻机可以自动聚焦波长POLOS µ：超紧凑设计，纳米级精度专攻微流控与细胞芯片。

Polos-BESM支持GDS文件直接导入和多层曝光叠加，简化射频器件（如IDC电容器）制造流程。研究团队利用类似设备成功制备高频电路元件，验证了其在5G通信和物联网硬件中的潜力。其高重复性（0.1 µm）确保科研成果的可转化性，助力国产芯片产业链突破技术封锁56。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。

某生物物理实验室利用 Polos 光刻机开发了基于压阻效应的细胞力传感器。其激光直写技术在硅基底上制造出 5μm 厚的悬臂梁结构，传感器的力分辨率达 10pN，较传统 AFM 提升 10 倍。通过在悬臂梁表面刻制 100nm 的微柱阵列，实现了单个心肌细胞收缩力的实时监测，力信号信噪比提升 60%。该传感器被用于心脏纤维化机制研究，成功捕捉到心肌细胞在病理状态下的力学变化，相关数据为心肌修复药物开发提供了关键依据。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。POLOS µ 光刻机：桌面级设计，2-23μm 可调分辨率，兼容 4 英寸晶圆，微机电系统加工误差 < 5μm。

某分析化学实验室采用 Polos 光刻机开发了集成电化学传感器的微流控芯片。其多材料同步曝光技术在 PDMS 通道底部直接制备出 10μm 宽的金电极，传感器的检测限达 1nM，较传统电化学工作站提升 100 倍。通过软件输入不同图案，可在 24 小时内完成从葡萄糖检测到重金属离子分析的模块切换。该芯片被用于即时检测（POCT）设备，使现场水质监测时间从 2 小时缩短至 10 分钟，相关设备已通过欧盟 CE 认证。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。跨学科应用：覆盖微机械、光子晶体、仿生传感器与纳米材料合成领域。湖北德国BEAM光刻机

POLOS µ 光刻机：微型化机身，纳米级曝光精度，微流体芯片制备周期缩短 40%。河南德国PSP-POLOS光刻机基材厚度可达到0.1毫米至8毫米

针对碳化硅（SiC）功率模块的栅极刻蚀难题，Polos 光刻机的激光直写技术实现了 20nm 的边缘粗糙度控制，较传统光刻胶工艺提升 5 倍。某新能源汽车芯片厂商利用该设备，将 SiC MOSFET 的导通电阻降低 15%，开关损耗减少 20%，推动车载逆变器效率突破 99%。其灵活的图案编辑功能支持快速验证新型栅极结构，使器件研发周期从 12 周压缩至 4 周，助力我国在第三代半导体领域实现弯道超车。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。河南德国PSP-POLOS光刻机基材厚度可达到0.1毫米至8毫米