企业商机
三极管基本参数
  • 品牌
  • 南科功率
  • 型号
  • 齐全
  • 应用范围
  • 功率,复合,差分,放大,振荡,达林顿,高反压,带阻尼,开关,微波,磁敏,光敏
  • 材料
  • 锗(Ge),硅(Si)
三极管企业商机

三极管的两个PN结,类似于两个共阴或共阳的二极管。与晶闸管和MOS管相比,三极管的特点是具有放大功能,而晶闸管和MOS管则没有这种功能。三极管的工作原理。三极管的工作原理基于小电流控制大电流的原则,其工作机制像一个可控制的阀门。根据不同的工作状态和连接方式,三极管主要可以分为三种类型:共基极(CB)、共集电极(CC)和共发射极(CE)。共基极(CB):基极端子在输入和输出端子之间是公共的。共集电极(CC):集电极端子在输入和输出端子之间是公共的。共发射极(CE):发射极端子在输入和输出端子之间是公共的。三极管是一种半导体器件,包括晶体管和双极型三极管。南京氧化物三极管厂家供应

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半导体三极管的好坏检测:a.先选量程:R﹡100或R﹡1K档位;b.测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值。红表笔接基极,黑表笔接发射极,所测得阻值为发射极正向电阻值,若将黑表笔接集电极(红表笔不动),所测得阻值便是集电极的正向电阻值,正向电阻值愈小愈好。c.测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的反向电阻值。将黑表笔接基极,红表笔分别接发射极与集电极,所测得阻值分别为发射极和集电极的反向电阻,反向电阻愈小愈好。d.测量NPN型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值的方法和测量PNP型半导体三极管的方法相反。池州三极管定制使用时需注意极性和极限参数,以免损坏器件影响路性能。

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三极管工作原理,三极管按材料差异可以分为:锗管三极管和硅管三极管两种,每一种有NPN和PNP两种结构形式,现在市面上使用较为普遍的为:锗PNP和硅NPN两种三极管,那么什么是三极管呢?N表示在高纯度硅中加入适当磷,在电压刺激下三极管产生自由电子导电,p指的是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电。这两种三极管除电源极性存在差异外,其工作原理都是相同的,对于NPN三极管,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,集电区与基区形成的PN结称之为集电结。

交流参数:a.交流电流放大系数β(或hFE)交流电流放大系数是指采用共发射极接法时,集电极输出电流的变化量ΔIC与基极输入电流的变化量ΔIB之比。b.截止频率fβ、fα晶体管的频率参数描述晶体管的电流放大系数对高频信号的适应能力。根据fβ的定义,所谓共射截止频率,并非说明此时晶体管已经完全失去放大作用,而只是共射电流放大系数的幅频特性下降了3dB。c.特征频率因为信号频率ƒ上升时,晶体管的β就下降,当β下降到1时,所对应的信号频率称为共发射极特征频率,是表征晶体管高频特性的重要参数。三极管在开关电路中能实现放大和控制电流的作用。

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三极管一个重要参数就是电流放大系数β。当三极管的基极B上加一个微小的电流时,在集电极C上可以得到一个是基极电流β倍的电流,即集电极电流。集电极电流随基极电流的变化而变化,并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化,这就是三极管的放大作用。电流控制:NPN型三极管: 用基极B流向发射极E的电流IB,控制集电极C流向发射极E的电流IC。发射极E电位较低,正常放大时通常VC>VB>VE。PNP型三极管: 用发射极E流向基极B的电流IB,控制发射极E流向集电极C的电流IC。发射极E电位较高,正常放大时通常VC。三极管的正偏和反偏都是根据三极管的PN结来区分的,如果PN电压为正,则正偏,反之反偏。使用三极管时应注意极性正确,避免损坏器件和电路。池州三极管定制

有源区间石墨烯晶体管(AGFET)是一种新型三极管,具有高灵敏度和高频特性。南京氧化物三极管厂家供应

三极管是一种控制元件,主要用来控制电流的大小,以共发射极接法为例(信号从基极输入,从集电极输出,发射极接地),当基极电压UB有一个微小的变化时,基极电流IB也会随之有一小的变化,受基极电流IB的控制,集电极电流IC会有一个很大的变化,基极电流IB越大,集电极电流IC也越大,反之,基极电流越小,集电极电流也越小,即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多,这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β(β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量),三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。南京氧化物三极管厂家供应

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