PVT法通过感应加热碳化硅粉料，在密闭生长腔室内高温低压下使其升华产生反应气体，通过固—气反应产生碳化硅单晶反应源，在生长腔室顶部设置碳化硅籽晶，气相组分在籽晶表面原子沉积，生长为碳化硅单晶。HT-CVD法在2000-2500℃下，使用高纯度气体在高温区形成碳化硅气态前驱物，带入低温区沉积形成碳化硅晶体。LPE法基于“溶解—析出”原理，通过碳在1400℃至1800℃高温纯硅溶液中的溶解和从过饱和溶液中析出碳化硅晶体来实现生长，需助熔剂提高碳溶解度。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等一应俱全的产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！2025年3月10-12日，让我们相聚中國國際先進陶瓷展览会，共同探索先進陶瓷行业的万千可能！2025年3月10至12日中国上海市国际先进陶瓷高峰论坛
碳化硅下游应用场景众多，包括新能源车、充电桩、光伏、储能、轨道交通、智能电网、航空航天等，而下游的需求放量情况会影响碳化硅的市场规模体量，比如新能源车的产销量、充电桩的配套数量、光伏的装机量等。虽然碳化硅衬底和器件工艺逐渐成熟，价格有所下降，但碳化硅功率器件价格仍远高于硅基器件。下游应用领域需平衡碳化硅器件高价格与性能优势带来的综合成本，短期内将限制碳化硅器件在功率器件领域的渗透率，大规模应用仍存挑战。若下游存在放量不及预期的情况，将对上游碳化硅企业研发、生产造成不利影响。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等一应俱全的产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！2025年3月10至12日中国上海市国际先进陶瓷高峰论坛先進制造业新发展格局“第十七届中國國際先進陶瓷展览会：2025年3月10-12日上海世博展览馆！
先進陶瓷又称高性能陶瓷、精细陶瓷、高技术陶瓷等，是指采用高纯度、超细人工合成或精选的无机化合物为原料，具有优异的力学、声、光、热、电、生物等特性的陶瓷。先進陶瓷在原料、工艺方面有别于传统陶瓷，特定的精细结构使其具有gao强、高硬、耐磨、耐腐蚀、耐高温、绝缘、超导、生物相容等一系列優点，被广泛应用于國防、化工、冶金、电子、机械、航空、航天、生物医学等领域。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！五展联动；第17届中國國際粉末冶金及硬质合金展览会（PMCHINA）、2025上海國際线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会（MMICCHINA)、2025上海國際增材制造应用技术展览会（AMCHINA)和2025上海國際粉体加工与处理展览会（POWDEXCHINA）同期同地举办。五展联动，串联相关产业链，吸引更多的观众群体，形成既汇聚更多参展企业同台竞技，又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。诚邀您莅临参观！
碳化硅外延制作方法包括化学气相沉积法（CVD）、分子束外延法（MBE）、液相外延法（LPE）、脉冲激光淀积和升华法（PLD）等。其中CVD法较为普及，该方法能精确控制生长条件，包括气体源流量、温度和压力，从而精确控制外延层的厚度、掺杂浓度和类型，重复性良好，设备适中，为目前主流技术。液相外延法和分子束外延法虽理论上可行，但外延制作的质量、效率和成本均不如CVD法，不适合商业化应用。碳化硅外延设备的密闭性、气压、气体通入时间、配比和沉积温度均需精确控制。器件耐压提升，厚度和掺杂浓度均匀性的控制难度增加；外延层厚度增加，控制均匀性和缺陷密度的难度增加。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！敬请关注中國國際先進陶瓷展览会，品牌精英齐聚盛会，倾情见证行业新辉煌，2025年3月10日上海见！
按化学成分可分为：氧化物陶瓷、氮化物陶瓷、碳化物陶瓷、硼化物陶瓷、硅化物陶瓷、复合瓷、金属陶瓷和纤维增强陶瓷等3.1.1氧化物陶瓷(A2O3、ZrO2、MgO等)3.1.2氮化物陶瓷(Si3N4TN、BN等)3.1.3碳化物陶瓷(SiC、BC、WC等)3.1.4硼化物陶瓷(TB2、ZrB2等)3.1.5硅化物陶瓷、复合瓷、金属陶瓷和纤维增强陶瓷等。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！五展联动；第17届中國國際粉末冶金及硬质合金展览会（PM CHINA）、2025上海國際线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造应用技术展览会（AM CHINA)和2025上海國際粉体加工与处理展览会（POWDEX CHINA）同期同地举办。五展联动，串联相关产业链，吸引更多的观众群体，形成既汇聚更多参展企业同台竞技，又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！“中國國際先進陶瓷展览会”2025年3月10日上海世博展览馆。云集行业杰出企业的商贸平台，共襄行业盛会！3月10日至12日中国上海市国际先进陶瓷与粉末冶金展览会
“中國國際先進陶瓷展览会”汇聚国内外優秀企业和业界精英；展会将于2025年3月10日上海世博展览馆开幕！2025年3月10至12日中国上海市国际先进陶瓷高峰论坛
刻蚀技术是SiC器件研制的关键，刻蚀精度、损伤和表面残留物对器件性能至关重要。目前，SiC刻蚀多采用干法刻蚀，其中电感耦合等离子体（ICP）刻蚀因其低压高密度的特点，具有刻蚀速率高、器件损伤小、操作简单等優点，而广泛应用。此外，刻蚀中的掩膜材料、蚀刻选择、混合气体、侧壁控zhi、蚀刻速率和侧壁粗糙度等需针对SiC材料特性开发。刻蚀环节主要挑战包括实现更小尺寸器件结构、提高深宽比和形貌圆滑度，以及从浅沟槽向深沟槽的转变等。主流的SiCICP刻蚀设备厂商包括德国Plasma-Therm及Sentech、瑞士TEL、美国AMAT、英国牛津仪器、日本Samco及爱发科，及我国北方华创、中國电科48所、中微半导体、中科院微电子所、珠海恒格微电子、稷以科技等。北方华创在SiC器件领域具备完整的刻蚀解决方案，其SiC器件刻蚀机出货量的市占率较高。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。诚邀您莅临参观！2025年3月10至12日中国上海市国际先进陶瓷高峰论坛
