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    二极管（Diode）电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过。许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（VaricapDiode）则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极管普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为正向偏置），反向时阻断（称为反向偏置）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。然而实际上二极管并不会表现出如此完美的开与关的方向性，而是较为复杂的非线性电子特征——这是由特定类型的二极管技术决定的。二极管使用上除了用做开关的方式之外还有很多其他的功能。二极管按材料分为硅二极管、锗二极管、砷二极管等；按结构不同分为点接触二极管和面接触二极管；按用途分为整流二极管、检波二极管、稳压二极管、变容二极管、发光二极管、光电二极管等。不管构成二极管的材料如何，结构如何，特性如何，二极管均具有单向导电性和非线性的特点。二极管是由半导体材料制成的，所谓半导体材料是指它的导电能力介于导体和绝缘体之间的一类特殊材料，半导体锗和半导体硅都属于这种材料。如图所示为二极管的外形、内部结构示意和符号。 二极管可以想成电子版的逆止阀。进口艾赛斯IXYS二极管模块厂家电话

载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结长久性损坏。[5]二极管反向电流反向电流是指二极管在常温（25℃）和高反向电压作用过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250μA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500μA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25℃时反向电流为5μA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160μA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。[4]二极管动态电阻二极管特性曲线静态工作点附近电压的变化与相应电流的变化量之比。[4]二极管电压温度系数电压温度系数指温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量。[4]二极管高工作频率高工作频率是二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样，其结电容由势垒电容组成。重庆哪里有艾赛斯IXYS二极管模块代理商在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性。

外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。[5]当外加的反向电压高到一定程度时，PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。PN结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。[5]二极管PN结形成原理P型半导体是在本征半导体（一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体）掺入少量三价元素杂质，如硼等。P型和N型半导体因硼原子只有三个价电子，它与周围的硅原子形成共价键，因缺少一个电子，在晶体中便产生一个空位，当相邻共价键上的电子获得能量时就有可能填补这个空位，使硼原子成了不能移动的负离子，而原来的硅原子的共价键则因缺少一个电子，形成了空穴，但整个半导体仍呈中性。这种P型半导体中以空穴导电为主，空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子。[6]N型半导体形成的原理和P型原理相似。在本征半导体中掺入五价原子，如磷等。掺入后，它与硅原子形成共价键，产生了自由电子。在N型半导体中，电子为多数载流子。

3）从分流支路电路分析中要明白一点：从级录音放大器输出的信号，如果从VD1支路分流得多，那么流入第二级录音放大器的录音信号就小，反之则大。4）VD1存在导通与截止两种情况，在VD1截止时对录音信号无分流作用，在导通时则对录音信号进行分流。5）在VD1正极上接有电阻R1，它给VD1一个控制电压，显然这个电压控制着VD1导通或截止。所以，R1送来的电压是分析VD1导通、截止的关键所在。分析这个电路大的困难是在VD1导通后，利用了二极管导通后其正向电阻与导通电流之间的关系特性进行电路分析，即二极管的正向电流愈大，其正向电阻愈小，流过VD1的电流愈大，其正极与负极之间的电阻愈小，反之则大。3．控制电路的一般分析方法说明对于控制电路的分析通常要分成多种情况，例如将控制信号分成大、中、小等几种情况。就这一电路而言，控制电压Ui对二极管VD1的控制要分成下列几种情况。1）电路中没有录音信号时，直流控制电压Ui为0，二极管VD1截止，VD1对电路工作无影响，级录音放大器输出的信号可以全部加到第二级录音放大器中。2）当电路中的录音信号较小时，直流控制电压Ui较小，没有大于二极管VD1的导通电压，所以不足以使二极管VD1导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。

此时二极管VD1对级录音放大器输出的信号也没有分流作用。3）当电路中的录音信号比较大时，直流控制电压Ui较大，使二极管VD1导通，录音信号愈大，直流控制电压Ui愈大，VD1导通程度愈深，VD1的内阻愈小。4）VD1导通后，VD1的内阻下降，级录音放大器输出的录音信号中的一部分通过电容C1和导通的二极管VD1被分流到地端，VD1导通愈深，它的内阻愈小，对级录音放大器输出信号的对地分流量愈大，实现自动电平控制。5）二极管VD1的导通程度受直流控制电压Ui控制，而直流控制电压Ui随着电路中录音信号大小的变化而变化，所以二极管VD1的内阻变化实际上受录音信号大小控制。4．故障检测方法和电路故障分析对于这一电路中的二极管故障检测好的方法是进行代替检查，因为二极管如果性能不好也会影响到电路的控制效果。当二极管VD1开路时，不存在控制作用，这时大信号录音时会出现声音一会儿大一会儿小的起伏状失真，在录音信号很小时录音能够正常。当二极管VD1击穿时，也不存在控制作用，这时录音声音很小，因为录音信号被击穿的二极管VD1分流到地了。二极管限幅电路及故障处理二极管基本的工作状态是导通和截止两种，利用这一特性可以构成限幅电路。甲半导体二极管，常用的类型的，是一个晶体具有连接到两个电气端子的pn结的半导体材料。海南哪里有艾赛斯IXYS二极管模块哪家好

早期的二极管包含“猫须晶体（“Cat‘sWhisker”Crystals）”以及真空管（英国称为“热游离阀。进口艾赛斯IXYS二极管模块厂家电话

    可得如下图(b)所示二极管反向电流、电压关系特性。在上图(b)所示反向特性中，当反向电压不超过一定范围(曲线OB段)时，反向电流十分微小并随电压增加而基本不变。小功率硅二极管的反向电流一般小于0．1m左右，通常可以忽略不计。当反向电压增加到一定数值时，反向电流将急剧增加，称为反向击穿，此时的电压称为反向击穿电压。普通二极管被击穿后，PN结不能恢复原有的性能，造成长久性损坏。综上所述，二极管具有在正向偏置电压下导通，反向偏置电压下截止的特性，这个特性称为单向导电性。[编辑]二极管的主要参数二极管的参数是评价二极管性能的重要指标，是正确选择和使用二极管的依据，主要参数有：(1)大整流电流IFM指二极管长期工作时，允许通过二极管的大正向电流的平均值。当实际电流超过该值时，二极管会因过热而损坏。(2)高反向工作电压URM指保证二极管不被击穿所允许施加的大反向电压。实际使用中二极管反向电压不应超过此电压值，以防发生反向击穿。(3)反向电流IR指二极管加反向电压而未击穿时的反向电流。如果该值较大，是不能正常使用的。反向电流愈小，二极管单向导电性愈好。 进口艾赛斯IXYS二极管模块厂家电话