江门单向导电二极管价位

反向偏置（Reverse Bias），在阳极侧施加相对阴极负的电压，就是反向偏置，所加电压为反向偏置。这种情况下，因为N型区域被注入空穴，P型区域被注入电子，两个区域内的主要载流子都变为不足，因此结合部位的耗尽层变得更宽，内部的静电场也更强，扩散电位也跟着变大。这个扩散电位与外部施加的电压互相抵销，让反向的电流更难以通过。更多的细节请参阅“PN结”条目。实际的元件虽然处于反向偏置状态，也会有微小的反向电流（漏电流、漂移电流）通过。当反向偏置持续增加时，还会发生 隧道击穿 或 雪崩击穿 或 崩溃 ，发生急遽的电流增加。开始产生这种击穿现象的（反向）电压被称为 击穿电压 。超过击穿电压以后反向电流急遽增加的区域被称为 击穿区 （ 崩溃区 ）。在击穿区内，电流在较大的范围内变化而二极管反向压降变化较小。稳压二极管就利用这个区域的动作特性而制成，可以作为电压源使用。二极管可用于电池充电和放电保护，防止过充和过放。江门单向导电二极管价位

二极管是否损坏如何判断：（1）极性的判别，将万用表置于R×100档或R×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个结果后，对调两表笔，再测出一个结果。两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大（为反向电阻），一次测量出的阻值较小（为正向电阻）。在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。温度对二极管的性能有较大的影响，温度升高时，反向电流将呈指数规律增加，如硅二极管温度每增加8℃，反向电流将约增加一倍；锗二极管温度每增加12℃，反向电流大约增加一倍。另外，温度升高时，二极管的正向压降将减小，每增加1℃，正向压降VD大约减小2 mV，即具有负的温度系数。肇庆led发光二极管定制二极管的工作原理基于PN结的特性，当正向偏置时导通，反向偏置时截止。

20世纪初，由于无线电接收器探测器的需要，热离子二极管（真空管）和固态二极管（半导体二极管）大约在相同的时间分别研发。直到20世纪50年代之前，真空管二极管在收音机中都更为常用。这是因为早期的点接触式半导体二极管（猫须探测器）并不稳定，并且那时大多数的收音机放大器都是由真空管制成，二极管可以直接放入其中。而且那时真空管整流器和充气整流器处理一些高电压、高电流整流任务的能力更是远在半导体二极管（如硒整流器）之上。

面接触式二极管。面接触式PN结二极管是由一块半导体晶体制成的。不同的掺杂工艺可以使同一个半导体（如本征硅）的一端成为一个包含负极性载流子（电子）的区域，称作N型半导体；另一端成为一个包含正极性载流子（空穴）的区域，称作P型半导体。两种材料在一起时，电子会从N型一侧流向P型一侧。这一区域电子和空穴相互抵销，造成中间区域载流子不足，形成“耗尽层”。在耗尽层内部存在“内电场”：N型侧带正电，P型侧带负电。两块区域的交界处为PN结，晶体允许电子（外部来看）从N型半导体一端，流向P型半导体一端，但是不能反向流动。二极管有正向导通和反向截止的特性，用于整流、限流、保护和变频等电路中。

在电子工程领域，二极管作为基础的电子元件，其种类繁多，功能各异。其中，稳压二极管和普通二极管因其独特的特性和应用场景而备受关注。本文将详细比较稳压二极管与普通二极管的不同之处，以便读者更好地理解和应用这两种元件。功能区别，稳压二极管，也被称为齐纳二极管，其主要功能是维持电路中的稳定电压值。它利用PN结反向击穿状态，在电流可在很大范围内变化时保持电压基本不变，从而实现稳压功能。这种特性使得稳压二极管在电路中起到了关键的稳定作用，为电子设备提供了可靠的电压支撑。相比之下，普通二极管则主要作为一个开关器件或整流器使用。在正向电压下，普通二极管导通，允许电流通过；而在反向电压下，则截止，阻止电流通过。这种单向导电性使得普通二极管在开关电路和整流电路中发挥着重要作用。二极管的主要作用是将交流信号转换为直流信号，实现电能的转换和控制。江门单向导电二极管价位

二极管具有体积小、成本低的优势，普遍应用于电子产品中。江门单向导电二极管价位

在高电压或大电流的情况下,如果手头没有承受高电压或整定大电滤的整流元件,可以把二极管串联或并联起来使用，二极管并联的情况:两只二极管并联、每只分担电路总电流的一半口三只二极管并联,每只分担电路总电流的三分之一。总之,有几只二极管并联,"流经每只二极管的电流就等于总电流的几分之一。但是,在实际并联运用时",由于各二极管特性不完全一致,不能均分所通过的电流,会使有的管子困负担过重而烧毁。因此需在每只二极管上串联一只阻值相同的小电阻器,使各并联二极管流过的电流接近一致。这种均流电阻R一般选用零点几欧至几十欧的电阻器。电流越大,R应选得越小。江门单向导电二极管价位