江西代理Infineon英飞凌二极管销售

    尽管有些真正的结近似这种理想情况，大多数结是弯曲的。曲率加强了电场，降低了击穿电压。曲率半径越小，击穿电压越低。这个效应对薄结的击穿电压由很大的影响。大多数肖特基二极管在金属-硅交界面边缘有一个很明显的断层。电场强化能极大的降低肖特基二极管的测量击穿电压，除非有特别的措施能削弱Schottkybarrier边缘的电场。齐纳二极管怎么使用稳压二极管要工作有两个条件：1、反向加在稳压二极管上的电压要大于稳压管的稳压值。2、通过稳压管的电流要达到其工作条件（也就是反向电流要足够大，一般至少是几个mA）。稳压二极管稳压电路图由硅稳压管组成的简单稳压电路如图5-l9（a）所示。硅稳压管DW与负载Rfz，并联，R1为限流电阻。这个电路是怎样进行稳压的呢？若电网电压升高，整流电路的输出电压Usr也随之升高，引起负载电压Usc升高。由于稳压管DW与负载Rfz并联，Usc只要有根少一点增长，就会使流过稳压管的电流急剧增加，使得I1也增大，限流电阻R1上的电压降增大，从而抵消了Usr的升高，保持负载电压Usc基本不变。反之，若电网电压降低，引起Usr下降，造成Usc也下降，则稳压管中的电流急剧减小，使得I1减小，R1上的压降也减小，从而抵消了Usr的下降。 在PN结外加正向电压V，在这个外加电场的作用下，PN结的平衡状态被打破。江西代理Infineon英飞凌二极管销售

    [7]二极管双向触发二极管将万用表置于相应的直流电压挡，测试电压由兆欧表提供。[8]测试时，摇动兆欧表，万同样的方法测出VBR值。将VBO与VBR进行比较，两者的值之差越小，说明被测双向触发二极管的对称性越好。[8]二极管瞬态电压抑制二极管用万用表测量管子的好坏对于单要极型的TVS，按照测量普通二极管的方法，可测出其正、反向电阻，一般正向电阻为4kΩ左右，反向电阻为无穷大。[8]对于双向极型的瞬态电压抑制二极管，任意调换红、黑表笔测量其两引脚间的电阻值均应为无穷大，否则，说明管子性能不良或已经损坏。[8]二极管高频变阻二极管识别正、负极高频变阻二极管与普通二极管在外观上的区别是其色标颜色不同，普通二极管的色标颜色一般为黑色，而高频变阻二极管的色标颜色则为浅色。其极性规律与普通二极管相似，即带绿色环的一端为负极，不带绿色环一端为正极。[8]二极管变容二极管将万用表红、黑表笔怎样对调测量，变容二极管的两引脚间的电阻值均应为无穷大。如果在测量中，发现万用表指针向右有轻微摆动或阻值为零，说明被测变容二极管有漏电故障或已经击穿坏。[8]二极管单色发光二极管在万用表外部附接一节能，将万用表置R×10或R×100挡。 安徽进口Infineon英飞凌二极管厂家供应二极管有两个电极，正极，又叫阳极；负极，又叫阴极。

    空穴为少数载流子。[6]因此，在本征半导体的两个不同区域掺入三价和PN结五价杂质元素，便形成了P型区和N型区，根据N型半导体和P型半导体的特性，可知在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差异，电子和空穴都要从浓度高的区域向浓度低的区域扩散，它们的扩散使原来交界处的电中性被破坏。[6]二极管PN结单向导电性在PN结外加正向电压V，在这个外加电场的作用下，PN结的平衡状态被打破，P区中的空穴和N区的电子都要PN结移动，空穴和PN结P区的负离子中和，电子和PN结N区的正离子中和，这样就使PN结变窄。随着外加电场的增加，扩散运动进一步增强，漂移运动减弱。当外加电压超过门槛电压，PN结相当于一个阻值很小的电阻，也就是PN结导通。[6]二极管主要分类编辑二极管点接触型二极管点接触型二极管的PN结接触面积小，不能通过较大的正向电流和承受较高的反向电压，但它的高频性能好，适宜在高频检波电路和开关电路中使用[5]。二极管面接触型二极管面接触型二极管的PN结接触面积大，可以通过较大的电流，也能承受较高的反向电压，适宜在整流电路中使用[5]。二极管平面型二极管平面型二极管在脉冲数字电路中作开关管使用时PN结面积小，用于大功率整流时PN结面积较大[5]。

    二极管的反向饱和电流受温度影响很大。[4]一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。[4]二极管击穿特性外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。[5]反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。[5]另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子。 当不存在外加电压时，由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等处电平衡状态。

二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件[1]。它具有单向导电性能，即给二极管阳极和阴极加上正向电压时，二极管导通。当给阳极和阴极加上反向电压时，二极管截止。因此，二极管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开[2]。二极管是早诞生的半导体器件之一，其应用非常广。特别是在各种电子电路中，利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接，构成不同功能的电路，可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能[3]。无论是在常见的收音机电路还是在其他的家用电器产品或工业控制电路中，都可以找到二极管的踪迹[3]。中文名二极管外文名Diode特性单向导电性应用家用电器、工业控制电路等类别半导体器件组成材料硅、硒、锗等目录1结构组成2工作原理▪PN结形成原理▪PN结单向导电性3主要分类▪点接触型二极管▪面接触型二极管▪平面型二极管▪稳压管▪光电二极管▪发光二极管4特性参数▪伏安特性▪正向特性▪反向特性▪击穿特性▪反向电流▪动态电阻▪电压温度系数▪高工作频率▪大整流电流▪高反向工作电压5检测方法▪小功率晶体二极管▪双向触发二极管▪瞬态电压抑制二极管▪高频变阻二极管▪变容二极管▪单色。在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。辽宁进口Infineon英飞凌二极管代理商

光电二极管又称光敏二极管。它的管壳上备有一个玻璃窗口，以便于接受光照。江西代理Infineon英飞凌二极管销售

    还有节能、驱动和控制简易、无需维护等特点。发光二极管替代霓虹灯将是照明设备发展的必然结果。二极管压降是什么意思二极管的管压降就其本质而言还是一个电阻，只是导通的时候电阻很小，不导通的时候接近无穷大，而导通时候的电阻会分担一定的电压，所以叫管压降。二极管的压降是，低于这个电压二极管是不会导通的，高于这个电压，则会导通。在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。使二极管能够导通的正向低电压，小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约～V；锗二极管约～V。大功率的硅二极管的正向压降往往达到1V。二极管压降多少一般来说由于硅管的伏安特性曲线在，也就是说继续增加正向电压会产生很大的电流，换句话说在，随着电流的增加，电压的增加幅度很小，仍然可以认为压降还是。因为有，不可以等同于导线，二极管两端电压就是压降，当二极管导通时这个电压约为，当然不是0。当电流不变化时，可以等同于电阻，其阻值就是，但是把它视作一个。从特性曲线来看，正向电压大于，若继续增加电压，电流会急剧增加，实际应用中因为限流电阻的存在这个电流不可能很大。若一个二极管D一个电阻R和一个电源U串联的话，电流的计算方法是（）/R。 江西代理Infineon英飞凌二极管销售