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可控硅模块从内部封装芯片上可以分为可控模块和整流模块两大类；从具体的用途上区分，可以分为：普通晶闸管模块（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模块(MDC)、普通晶闸管、整流管混合模块(MFC)、快速晶闸管、整流管及混合模块（MKC\MZC)、非绝缘型晶闸管、整流管及混合模块（也就是通常所说的电焊机模块MTG\MDG)、三相整流桥输出可控硅模块（MDS)、单相（三相）整流桥模块（MDQ)、单相半控桥（三相全控桥）模块(MTS)以及肖特基模块等。普通可控硅的三个电极可以用万用表欧姆挡R×100挡位来测。山东代理西门康SEMIKRON可控硅哪家好

    双向晶闸管的伏安特性见图3，由于正、反向特性曲线具有对称性，所以它可在任何一个方向导通。从晶闸管的内部分析工作过程：晶闸管是四层三端器件，它有J1、J2、J3三个PN结图一，可以把它中间的NP分成两部分，构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管图二.当晶闸管承受正向阳极电压时，为使晶闸管导通，必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。图2中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。因此，两个互相复合的晶体管电路，当有足够的门极电流Ig流入时，就会形成强烈的正反馈，造成两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2；发射极电流相应为Ia和Ik；电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig从而可以得出晶闸管阳极电流为：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图三所示。当晶闸管承受正向阳极电压，而门极未受电压的情况下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小。 广西代理西门康SEMIKRON可控硅货源充足采用模块封装形式，具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。

    C）的等效电路图来分析。当在阳极和阴极之间加上一个正向电压Ea，又在控制极G和阴极C之间（相当BG1的基一射间）输入一个正的触发信号，BG1将产生基极电流Ib1，经放大，BG1将有一个放大了β1倍的集电极电流IC1。因为BG1集电极与BG2基极相连，IC1又是BG2的基极电流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集电极电流IC2送回BG1的基极放大。如此循环放大，直到BG1、BG2完全导通。实际这一过程是“一触即发”的过程，对可控硅来说，触发信号加入控制极，可控硅立即导通。导通的时间主要决定于可控硅的性能。■可控硅一经触发导通后，由于循环反馈的原因，流入BG1基极的电流已不只是初始的Ib1，而是经过BG1、BG2放大后的电流（β1*β2*Ib1）这一电流远大于Ib1，足以保持BG1的持续导通。此时触发信号即使消失，可控硅仍保持导通状态只有断开电源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集电极电流小于维持导通的最小值时，可控硅方可关断。当然，如果Ea极性反接，BG1、BG2由于受到反向电压作用将处于截止状态。这时，即使输入触发信号，可控硅也不能工作。反过来，Ea接成正向，而触动发信号是负的，可控硅也不能导通。另外，如果不加触发信号，而正向阳极电压大到超过一定值时，可控硅也会导通。

    答；可控硅有两种叫法，精细一点叫晶闸管。常用的电力半导体器件有；普通可控硅（SCR）、门极（GTO）关断可控硅、电力可控硅（GTR）、电力MoS场效应晶体管（MosFET）、绝缘栅双极型晶体管、（lGBT）、Mos栅控可控硅等等。可控硅模块；是根据不同的用途与技术要求，将单向可控进行组合。两只单向可控硅的串联（一只的阳极A与另一只的阴极K相接）这样就组成了一个可控硅模块。常用于大功率三相桥式、单相桥式整流电路之中。两只单相可控硅反向并联（就是一只的阳极A与另一只的阴极K联接，另一端点一只阴极k与一只阳极A相接）组成一只双向可控硅模块。常用于大功率三相或单相交流调压电路中。例如软启动器中改变电压控制电动机启动的电路中。无论是什么结构，它们的控制端都是由阴极K与门极G有二根线引出来控制的。下面简述一下GT0门极可关断可控硅的组成。见下面图门极可关断晶闸管简称可关断晶闸管，用GTO表示。它是一种耐高电压大电流全控器件。它属全控型三端器件。GT0可控硅的基本结构与普通可控硅ScR类似，它的三个极也是阳极A、阴极k、门极G。其内部结构及符号如上图所示。其阳极伏安特性如下图所示。当阳极加有正电压、阴极加有负电压时。 可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍。

    其闸流特性表现为当可控硅加上正向阳极电压的同时又加上适当的正向控制电压时，可控硅就导通；这一导通即使在撤去门极控制电压后仍将维持，一直到加上反向阳极电压或阳极电流小于可控硅自身的维持电流后才关断。普通的可控硅调光器就是利用可控硅的这一特性实现前沿触发相控调压的。在正弦波交流电过零后的某一时刻t1（或某一相位角wt1），在可控硅控制极上加一触发脉冲，使可控硅导通，根据前面介绍过的可控硅开关特性，这一导通将维持到正弦波正半周结束。因此在正弦波的正半周（即0~p区间）中，0~wt1范围可控硅不导通，这一范围称为控制角，常用a表示；而在wt1~p间可控硅导通，这一范围称为导通角，常用j表示。同理在正弦波交流电的负半周，对处于反向联接的另一个可控硅（对两个单向可控硅反并联或双向可控硅而言）在t2时刻（即相位角wt2）施加触发脉冲，使其导通。如此周而复始，对正弦波每半个周期控制其导通，获得相同的导通角。如改变触发脉冲的施加时间（或相位），即改变了导通角j（或控制角a）的大小。导通角越大调光器输出的电压越高，灯就越亮。从上述可控硅调光原理可知，调光器输出的电压波形已经不再是正弦波了，除非调光器处在全导通状态。 按关断速度分类：可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频（快速）可控硅。贵州代理西门康SEMIKRON可控硅代理商

在应用可控硅时，只要在控制极加上很小的电流或电压，就能控制很大的阳极电流或电压。山东代理西门康SEMIKRON可控硅哪家好

    晶闸管等元件通过整流来实现。除此之外整流器件还有很多，如：可关断晶闸管GTO，逆导晶闸管，双向晶闸管，整流模块，功率模块IGBT，SIT，MOSFET等等，这里只探讨晶闸管。晶闸管又名可控硅，通常人们都叫可控硅。是一种功率半导体器件，由于它效率高，控制特性好，寿命长，体积小等优点，自上个世纪六十长代以来，获得了迅猛发展，并已形成了一门单独的学科。“晶闸管交流技术”。晶闸管发展到，在工艺上已经非常成熟，品质更好，成品率大幅提高，并向高压大电流发展。目前国内晶闸管大额定电流可达5000A，国外更大。我国的韶山电力机车上装载的都是我国自行研制的大功率晶闸管。晶闸管的应用：一、可控整流如同二极管整流一样，可以把交流整流为直流，并且在交流电压不变的情况下，方便地控制直流输出电压的大小即可控整流，实现交流——可变直流二、交流调压与调功利用晶闸管的开关特性代替老式的接触调压器、感应调压器和饱和电抗器调压。为了消除晶闸管交流调压产生的高次谐波，出现了一种过零触发，实现负载交流功率的无级调节即晶闸管调功器。交流——可变交流。三、逆变与变频直流输电：将三相高压交流整流为高压直流，由高压直流远距离输送以减少损耗。 山东代理西门康SEMIKRON可控硅哪家好