珠海半导体二极管尺寸

二极管反向区也分两个区域：当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS。当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压。在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。从击穿的机理上看，硅二极管若|VBR|≥7 V时，主要是雪崩击穿；若VBR≤4 V则主要是齐纳击穿，当在4 V～7 V之间两种击穿都有，有可能获得零温度系数点。二极管在电子行业中普遍应用，是现代电子设备不可或缺的组成部分。珠海半导体二极管尺寸

二极管（Diode）具有单向导电性，即只允许电流沿着一个方向流动，而阻挡反向电流流动。二极管是电子电路中较基本的元件之一，普遍应用于各种电子设备中。单向导通性的实验说明：当输入电源电压Vi比稳压二极管的稳定电压VZ低时，稳压二极管没有击穿而处于反向截止区，此时电路回路中只有比较小的反向漏电电流IR（reverse leakage current），这种工作状态不是稳压二极管的正常工作状态，因为输出电压Vo是随输入电压Vi变化的，没有达到输出稳定电压的目的，如下图所示：当输入电源电压Vi比稳压二极管稳定电压ZT高时，稳压二极管被反向电压击穿，此时回路电流急剧增加。惠州光敏二极管定制价格二极管有正负两个端子，包括正向导通和反向截止两种状态。

爱迪生效应，就是真空二极管的原型。爱迪生本人对这个发现并没有太大的兴趣，只是习惯性的注册了一个专业技术，就再也没有关注。后来经过无数科学家的努力发展了很多种类型的真空二极管，比如英国物理学家弗莱明发明的二极管，当时也称为电子管。电子管，当时，电子管技术促进了无线电技术的飞跃发展，但是在后来半导体二极管异军突起，慢慢的电子管退出了历史舞台。二极管的主要功能是单向导电！就像鱼篓盖子一样！只许进，不许出！

变容二极管： 变容二极管是利用PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被普遍地用于参量放大器，电子调谐及倍频器等微波电路中。瞬态电压抑制二极管TVS： 一种固态二极管，专门用于ESD保护。TVS二极管是和被保护电路并联的，当瞬态电压超过电路的正常工作电压时，二极管发生雪崩，为瞬态电流提供通路，使内部电路免遭超额电压的击穿。发光二极管LED： 用磷化镓、磷砷化镓材料制成，体积小，正向驱动发光。工作电压低，工作电流小，发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。二极管的优势在于其体积小、重量轻、功耗低，适用于各种电子设备中。

二极管特性及参数：1、二极管伏安特性，导通后分电压值约为 0.7 V（硅管）或0.3V（锗管）（LED 约为 1-2 V，电流 5-20 mA）。反向不导通，但如果达到反向击穿电压，那将导通（超过反向较大电压可能烧坏）。正向电压很小时不导通（0.5 V 以上时才导通）。2、主要参数：较大整流电流 I_FIF： 表示长期运行允许的较大正向平均电流，超出可能因结温过高烧坏。较高反向工作电压 U_RUR：允许施加的较大反向电压，超出可能击穿。（U_RUR 通常为击穿电压的一半）。反向电流 I_RIR： 未击穿时的反向电流，越小导电性越好。较高工作频率 f_MfM： 上线截止频率。因结电容作用，超出可能不能很好体现的单向导电性。二极管的反向漏电流较小，有助于提高电路的稳定性。珠海家用电器二极管尺寸

正向偏置时，二极管内部的PN结被击穿，形成低电阻通道。珠海半导体二极管尺寸

PIN二极管（P-intrinsic-N Diode），PN之间一层高电阻的半导体层，使少数载流子的积蓄效果增加，逆回复时间也较长。利用正向偏置时高频率信号较容易通过的性质，用于天线的频带切换以及高频率开关。耿效应二极管，应用于低功率微波振荡器。二极真空管，气体放电管整流器，针状电极和平板电极相向接近顶端放电。若把针状电极当做负极，比较低的电压就会开始放电。利用这样的性质来做当作整流器。点接触二极管，用钨之类的金属针状电极与N型半导体的表面接触，此构造的特征是寄生电容非常小。采用于锗质二极管和 耿效应二极管 。矿石收音机中使用的 矿石检波器 （ 日语 ： 鉱石検波器 ） 也是一种点接触二极管。珠海半导体二极管尺寸