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二极管基本参数
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  • 半导体材料
  • 硅Si,磷化镓GaP,磷铟砷化镓GaAsInP,锗Ge,砷As,磷砷化镓GaAsP,铝Al,砷铝化镓GaAlAs,铟In,氮N,磷化铝镓铟AlGaInP,镓Ga,磷P,氮化镓GaN,砷化镓GaAs
  • 封装方式
  • 塑料封装,玻璃封装,厚膜封装,金属外壳封装
二极管企业商机

二极管是由管芯、管壳和两个电极构成。管芯就是一个PN结,在PN结的两端各引出一个引线,并用塑料、玻璃或金属材料作为封装外壳,就构成了晶体二极管,如下图所示。P区的引出的电极称为正极或阳极,N区的引出的电极称为负极或阴极。二极管的伏安特性,半导体二极管的主要是PN结,它的特性就是PN结的特性——单向导电性。常利用伏安特性曲线来形象地描述二极管的单向导电性。若以电压为横坐标,电流为纵坐标,用作图法把电压、电流的对应值用平滑的曲线连接起来,就构成二极管的伏安特性曲线,如下图所示(图中虚线为锗管的伏安特性,实线为硅管的伏安特性)。二极管是一种电子器件,具有正向导、反向截止的特性。宁波二极管参数

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二极管应用:1.整流,整流二极管主要用于整流电路,即把交流电变换成脉动的直流电。整流二极管都是面结型,因此结电容较大,使其工作频率较低,一般为3kHZ以下。2.开关,二极管在正向电压作用下电阻很小,处于导通状态,相当于一只接通的开关;在反向电压作用下,电阻很大,处于截止状态,如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性,可以组成各种逻辑电路。3.限幅,二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7V,锗管为0.3V)。利用这一特性,在电路中作为限幅元件,可以把信号幅度限制在一定范围内。中山阻尼二极管价格二极管还可用于光电转换,将光信号转换为电信号。

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半导体二极管的参数介绍如下:1、反向电流IR:指管子末击穿时的反向电流, 其值愈小,则管子的单向导电性愈好。由于温度增加,反向电流会急剧增加,所以在使用二极管时要注意温度的影响。2、正向压降VD:在规定的正向电流下,二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下,约0.6~0.8V;锗二极管约0.2~0.3V。3、动态电阻rd:反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。显然,rd与工作电流的大小有关,即:rd=△VD/△ID。4、极间电容CJ:二极管的极间电容包括势垒电容和扩散电容,在高频运用时必须考虑结电容的影响。二极管不同的工作状态,其极间电容产生的影响效果也不同。

快恢复二极管英文名称为Fast Recovery Diodes,简称FRD,是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管,主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同,它属于PIN结型二极管,即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I,构成PIN硅片。因基区很薄,反向恢复电荷很小,所以快恢复二极管的反向恢复时间较短,正向压降较低,反向击穿电压(耐压值)较高。快恢复二极管的外形和普通二极管相同,原理图和PCB库的参照整流二极管。使用时应注意极性,接法错误会导致器件损坏。

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续流,续流二极管通常是指反向并联在电感线圈,继电器,可控硅等储能元件两端,在 电路中电压或电流出现突变时,对电路中其它元件起保护作用的二极管.续流二极管由于在电路中起到续流的作用而得名,一般选择快速恢复二极管或者肖特基二极管来作为续流二极管。以电感线圈为例,当线圈中有电流通过时,其两端会有感应电动势产生。当电流消失时,其感应电动势会对电路中的元件产生反向电压。当反向电压高于元件的反向击穿电压时,会把元件如三极管等烧坏。如果在线圈两端反向并联一个二极管(有时候会串接一个电阻),当流过线圈中的电流消失时,线圈产生的感应电动势就会通过二极管和线圈构成的回路消耗掉,从而保证电路中的其它元件的安全。在选择二极管时,应根据实际需求和工作环境进行综合考虑。佛山检波二极管厂家供应

二极管是一种具有非对称导电性质的半导体器件。宁波二极管参数

二极管反向区也分两个区域:当VBR<V<0时,反向电流很小,且基本不随反向电压的变化而变化,此时的反向电流也称反向饱和电流IS。当V≥VBR时,反向电流急剧增加,VBR称为反向击穿电压。在反向区,硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡,反向饱和电流也很小;锗二极管的反向击穿特性比较软,过渡比较圆滑,反向饱和电流较大。从击穿的机理上看,硅二极管若|VBR|≥7 V时,主要是雪崩击穿;若VBR≤4 V则主要是齐纳击穿,当在4 V~7 V之间两种击穿都有,有可能获得零温度系数点。宁波二极管参数

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