中山锗管二极管参数

静电放电（ESD）二极管，静电放电的英文全称为Electro-Static Discharge，简称ESD，ESD二极管是一种具有两个电极的半导体器件，当加在两极间的电压达到一定值时，在其间产生电场使电子移动而形成电流。当ESD二极管的两只引脚之间加有交变电压时，则其集电极和发射结之间的电容量就会发生变化；如果此时给该二极管加上反向偏置电压或输入一个低电平的信号脉冲，则它的输出端将会出现很大的电流。这就是所谓的“漏极开路”现象（简称“开路”）。二极管有正向导通和反向截止的特性，用于整流、限流、保护和变频等电路中。中山锗管二极管参数

二极管的伏安特性，外加电压P->N，大于势垒电压，二极管导通；外加电压N->P，大于反向击穿电压，二极管击穿。二极管的相关应用：1整流，整流,就是把交流电变为直流电的过程。利用具有单向导电特性的器件,可以把方向和大小交变的电流变换为直流电。（1）半波整流电路；（2）全波整流电路。需要特别指出的是，二极管作为整流元件,要根据不同的整流方式和负载大小加以选择。如选择不当,则或者不能安全工作,甚至烧了管子;或者大材小用,造成浪费。广州面接触型二极管价位二极管的温度也会影响其性能，应注意避免过热。

二极管概述，二极管，（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。晶体二极管的主要是PN结，关于PN结首先要了解三个概念。本征半导体：指不含任何掺杂元素的半导体，如纯硅晶片或纯锗晶片。P型半导体：掺杂了产生空穴的含较低电价杂质的半导体，如在本征半导体中Si(4+)中掺入Al(3+)的半导体。N型半导体：掺杂了产生空穴的含较低电价杂质的半导体，如在本征半导体中硅Si(4+)中掺入磷P(5+)的半导体。由P型半导体和N型半导体相接触时，就产生一个独特的PN结界面，在界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。

变容二极管：变容二极管英文名称为Varactor Diodes，又称可变电抗二极管，是利用PN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的。反偏电压增大时结电容减小、反之结电容增大，变容二极管的电容量一般较小，其较大值为几十pF到几百pF，较大电容与较小电容之比约为5:1。它主要在高频电路中用作自动调谐、调频、调相等、例如在电视接收机的调谐回路中作可变电容。变容二极管的外形与普通二极管相同，原理图的封装在K极会有两根竖线的标记。逆向击穿时应避免超过较大额定反向电压，以免损坏器件。

变容二极管： 变容二极管是利用PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被普遍地用于参量放大器，电子调谐及倍频器等微波电路中。瞬态电压抑制二极管TVS： 一种固态二极管，专门用于ESD保护。TVS二极管是和被保护电路并联的，当瞬态电压超过电路的正常工作电压时，二极管发生雪崩，为瞬态电流提供通路，使内部电路免遭超额电压的击穿。发光二极管LED： 用磷化镓、磷砷化镓材料制成，体积小，正向驱动发光。工作电压低，工作电流小，发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。二极管工作在导通和截止状态时呈现不同的电阻特性。佛山单向导电二极管厂家精选

二极管的工作稳定性和可靠性受到制工艺和材料质量的影响。中山锗管二极管参数

二极管的电压与电流不是线性关系，所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。二极管工作原理（正向导电，反向不导电），晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成了空间电荷层，并且建有自建电场，当不存在外加电压时，因为p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当产生正向电压偏置时，外界电场与自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流（也就是导电的原因）。 当产生反向电压偏置时，外界电场与自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围中与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0（这也就是不导电的原因）。中山锗管二极管参数