激光位移传感器基本参数
  • 品牌
  • 创视智能
  • 型号
  • TS-P
  • 用途类型
  • 激光位移传感器
  • 工作原理
  • 激光式
  • 输出信号
  • 模拟型
  • 材质
  • 金属膜
  • 位移特征
  • 角位移
  • 测量范围
  • 小位移
  • 加工定制
  • 重复精度
  • 5
  • 线性精度
  • 0.02
  • 线性度
  • 0.02% of F.S.
  • 产地
  • 苏州
  • 数量
  • 100
  • 厂家
  • 苏州创视智能技术有限公司
激光位移传感器企业商机

方式[0019]请参照图1所示,本实用新型激光位移传感器检验校准装置100的较佳实施例,包括一可伸缩导轨1、一微调装置2、一传感器夹持装置3、一激光位移传感器4以及一激光红外线接收挡板5;所述微调装置2和传感器夹持装置3设于所述可伸缩导轨1的上端;所述激光位移传感器4夹持在所述传感器夹持装置3上,且使所述激光位移传感器4的激光发射端朝向所述微调装置2;所述激光红外线接收挡板5与所述微调装置2固接,且使所述激光红外线接收挡板5的接收面朝向所述传感器夹持装置3。高精度激光位移传感器具有较高的精确度,能够满足精密测量的需求。宁波激光位移传感器供应链

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本发明涉及光学测量领域,并且特别地,涉及一种激光位移传感器;光学传感器是依据光学原理进行测量的仪器,这类传感器有许多优点,例如,能够实现非接触和非破坏性测量、测量几乎不受干扰、能够实现高速传输以及可遥测、遥控、可实时处理等优点。光学传感器包括很多类型,其中,以激光三角法为基本原理的激光位移传感器是一种利用激光为光源、将CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor,互补金属氧化物半导体)或者CCD(Charge-coupledDevice,电荷耦合元件)传感器作为接收器的精密测量仪器。这种传感器能够在非接触的情况下精确测量被测物体的位置、位移等变化,并且能够被应用于检测物体的位移、厚度、振动、距离、直径等几何量的测量。奉贤区激光位移传感器找哪家激光位移传感器可以实现微米级的位移测量。

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激光位移传感器根据入射光角度的不同可分为直入射式和斜入射式两种[1],本设计采用的是直入射式,其光路结构如图1所示。整套光路可以分为两部分,即整形系统和接收系统[2]。左边部分是光束整形系统,其作用是将激光器发出的光束汇聚在工作范围内,使汇聚的光斑尽量小而均匀。光源为半导体激光器(LD),它经整形系统在测量范围50±10mm内形成均匀的光斑。后面则是光束接收系统,它将物体表面的漫反射光汇聚到光敏探测器上,使其精确成像。图中α为被测面与成像透镜光轴夹角,β为光敏探测器与光轴的夹角,do和di分别表示物距和像距。

传统的接触式平面检测精度低、稳定性差及对对象物检测条件要求苛刻,已逐渐被现代非接触式平面检测所替代。非接触式激光平面检测系统以其高精度、高分辨率及不受对象物材质、颜色或倾斜度的影响等优点,可对任何对象物进行平面检测。介绍系统结构和激光位移传感器的工作机理,并进行平面定性检测和定量检测试验,用OpenGI。绘制及拟合三维曲面。试验结果表明,该系统平面检测结果较好地反映出对象物平面起伏情况,并且达到系统的精度要求。激光位移传感器可以用于测量环境中的污染物浓度。

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所述电子测量仪22包括一电子千分表221以及一千分表夹持装置222,所述电子千分表221使得所述激光位移传感器4的检验精度极大提高;所述电子千分表221夹持在所述千分表夹持装置222上,所述千分表夹持装置222一端抵接于所述延伸部231,另一端抵接于所述横向蜗杆211上,当所述横向蜗杆211进行横向位移时,所述电子千分表221可以精确的测量位移量。所述传感器夹持装置3包括一纵向螺杆31以及一夹持器32;所述夹持器32套设在所述纵向螺杆31上,所述夹持器32可在所述纵向螺杆31上调节高度,所述激光位移传感器4夹持在所述夹持器32上。它具有高度稳定性和可靠性。长宁区激光位移传感器定做

使用激光位移传感器测量目标物时,必须让接收器获得来自目标物的反射光。宁波激光位移传感器供应链

激光位移传感器的测量精度容易受到被测物体表面特征的影响,为了减小测量误差,在整形镜设计中应尽量使出射光斑在有效的测量范围内实现光斑小且均匀。针对传感头小型化设计的要求,半导体激光器体积小、重量轻的优点正好符合这一要求,但其光束质量并不理想,需要对其进行光束整形。半导体激光器快慢轴的光束分布极不对称:快轴发散角较大,半角的典型值为30~40°,光束呈高斯分布,发光范围的半宽度为0.6~0.8μm,慢轴发散角的半角典型值为3~6°,光束分布不规则,发光范围半宽度为50~100μm。因此,在不允许能量损失的情况下,要求整形系统的物方数值孔径(NA)>0.573;但由于光束的快轴能量呈高斯分布,通常取半宽度(FWHM)为20°,此时NA=0.342。系统物距应尽量小一些,但考虑到工艺问题,不宜过小,选定为2.5mm。为了便于设计,将系统倒置,整个系统的主要要求为:工作波长为785±10nm,像方NA=0.342,像距l′=2.5mm,物距l=40~60mm,焦距f=3~4mm。宁波激光位移传感器供应链

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