池州锗管二极管

发光二极管，发光二极管名称名称为Light-emitting diode，简称LED。是一种常用的发光器件，通过电子与空穴复合释放能量发光。发光二极管可高效地将电能转化为光能，在现代社会具有普遍的用途，如照明、平板显示、医疗器件等。发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性。在PN结中注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能，发光方向有正向、侧向多种。发光二级管家族THT和SMT封装的种类很多，插针的按照长正短负区分极性，贴片标有阴极线。二极管在逆向电压下要避免击穿，以防损坏器件。池州锗管二极管

半导体二极管的参数介绍如下：1、反向电流IR：指管子末击穿时的反向电流， 其值愈小，则管子的单向导电性愈好。由于温度增加，反向电流会急剧增加，所以在使用二极管时要注意温度的影响。2、正向压降VD：在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8V；锗二极管约0.2～0.3V。3、动态电阻rd：反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。显然，rd与工作电流的大小有关，即：rd=△VD/△ID。4、极间电容CJ：二极管的极间电容包括势垒电容和扩散电容，在高频运用时必须考虑结电容的影响。二极管不同的工作状态，其极间电容产生的影响效果也不同。马鞍山半导体二极管正向偏置时，二极管内部的PN结被击穿，形成低电阻通道。

晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。

肖特基二极管，肖特基二极管也被称为热载流子二极管，英文名称为Schottky Barrier Diode，它是一种具有低正向压降和非常快速的开关动作的半导体二极管。当电流流过肖特基二极管时，肖特基二极管端子上有一个小的电压降。普通二极管的电压压降在0.6V-1.7V之间，而肖特基二极管的电压降通常在0.15V-0.45V之间，这种较低的电压降提供了更好的系统效率和更高的开关速度。在肖特基二极管中，半导体和金属之间形成了一个半导体-金属结，从而形成了肖特基势垒。N型半导体作为阴极，金属侧作为二极管的阳极，这种肖特基势垒导致低正向电压降和非常快速的开关。肖特基二极管具有正向导通压降低、恢复时间快、低接电容、低噪音、高电流密度等优点，在高速开关电路中有普遍的应用。肖特基二极管的原理图和PCB库如下图所示。二极管还可用作信号调节、保护电路中的开关元件。

晶体二极管分类如下：1、台面型二极管，PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形，因而得名。初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此，又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说，似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。2、合金扩散型二极管，它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质，就能与合金一起过扩散，以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容二极管。氮化镓二极管使用于高温、高频、高电压和高功率的应用场合，具有较高的工作效率。中山检波二极管价位

逆向击穿时应避免超过较大额定反向电压，以免损坏器件。池州锗管二极管

发光二极管，施加正向偏置，可以发光的二极管。由发光种类与特性又有红外线二极管、各种颜色的可见光二极管、紫外线二极管等。激光二极管，当LED产生的光是带宽极窄的同调光（Coherent Light）时，则称为激光二极管。光电二极管，光线射入PN结，P区空穴、N区电子大量发生，产生电压（光电效应）。借由测量此电压或电流，可作为光感应器使用。有PN、PIN、肖特基、APD等类型。太阳电池也是利用此种效应。隧道二极管（Tunnel Diode）、江崎二极管（Esaki Diode）、透纳二极管，由日本人江崎玲于奈于1957年发明。是利用量子穿隧效应的作用，会出现在一定偏置范围内正向电压增加时流通的电流量反而减少的“负电阻”的现象。这是较能耐受核辐射的半导体二极管。池州锗管二极管

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