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二极管基本参数
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  • 南科功率
  • 型号
  • 齐全
  • 半导体材料
  • 硅Si,磷化镓GaP,磷铟砷化镓GaAsInP,锗Ge,砷As,磷砷化镓GaAsP,铝Al,砷铝化镓GaAlAs,铟In,氮N,磷化铝镓铟AlGaInP,镓Ga,磷P,氮化镓GaN,砷化镓GaAs
  • 封装方式
  • 塑料封装,玻璃封装,厚膜封装,金属外壳封装
二极管企业商机

二极管的伏安特性,外加电压P->N,大于势垒电压,二极管导通;外加电压N->P,大于反向击穿电压,二极管击穿。二极管的相关应用:1整流,整流,就是把交流电变为直流电的过程。利用具有单向导电特性的器件,可以把方向和大小交变的电流变换为直流电。(1)半波整流电路;(2)全波整流电路。需要特别指出的是,二极管作为整流元件,要根据不同的整流方式和负载大小加以选择。如选择不当,则或者不能安全工作,甚至烧了管子;或者大材小用,造成浪费。部分二极管还具有光电转换功能,用于光电器件和光通信。广州单向导电二极管

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下面对二极管伏安特性曲线加以说明:正向特性,二极管两端加正向电压时,就产生正向电流,当正向电压较小时,正向电流极小(几乎为零),这一部分称为死区,相应的A(A′)点的电压称为死区电压或门槛电压(也称阈值电压),硅管约为0.5V,锗管约为0.1V,如图中OA(OA′)段。当正向电压超过门槛电压时,正向电流就会急剧地增大,二极管呈现很小电阻而处于导通状态。这时硅管的正向导通压降约为0.6~0.7V,锗管约为0.2~0.3V,如图中AB(A′B′)段。二极管正向导通时,要特别注意它的正向电流不能超过较大值,否则将烧坏PN结。池州二极管定制价格二极管的反向电压应小于其击穿电压,以防止击穿现象的发生。

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二极管(英语:Diode),是一种具有不对称电导的双电极电子元件。理想的二极管在正向导通时两个电极(阳极和阴极)间拥有零电阻,而反向时则有无穷大电阻,即电流只允许由单一方向流过二极管。肖特基二极管,基本原理是:在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是:开关速度非常快:反向恢复时间trr特别地短。因此,能制作开关二极和低压大电流整流二极管。

光电二极管在电路中一般处于反向工作状态,在没有光照时,反向电阻很大,反向电流被称为暗电流,此时暗电流小,相当于断路;当光照射在PN结上时,光子打在PN附近,使PN结附近产生光生电子和光生空穴对,他们在PN结处的内电场作用下做定向运动,形成光电流,光的照射强度越大,光电流就越大。因此,光电二极管在不受光照射时处于截止状态,在受光照射时处于导通状态,在电路中经常做为一个开关器件使用。如果正接了,那就和普通二极管功能一样了。二极管还可用作开关,通过控制正向或反向电压,实现电路的开闭。

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二极管的参数是正确使用二极管的依据,一般半导体器件手册中都给出不同型号管子参数。使用时,应特别注意不要超过较大整流电流和较高反向工作电压,否则将容易损坏管子。用数字表示同类型器件的不同型号用字母表示器件的类型,P表示普通管用字母表示器件的材料,A表示N型Ge.B表示P型Ge,C表示N型Si,D表示P型Si 2表示二极管,3表示三极管。普通二极管(包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管)是由一个PN结构成的半导体器件,具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值,可以判别出二极管的电极,还可估测出二极管是否损坏。齐纳二极管是一种高频器件,具有低阻抗、低电压下的快速响应。深圳硅管二极管批发

在调试电路时,可以通过测量二极管的电压和电流来判断其工作状态。广州单向导电二极管

二极管的英文是diode。二极管的正.负二个端子,一端称为阳极,一端称为阴极。电流只能从阳极向阴极方向移动。二极管是由半导体组成的器件。半导体无论哪个方向都能流动电流。二极管(英语:Diode),电子元件当中,一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方向流过。许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管(Varicap Diode)则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性,通常称之为“整流(Rectifying)”功能。二极管较普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过(称为顺向偏压),反向时阻断 (称为逆向偏压)。因此,二极管可以想成电子版的逆止阀。然而实际上二极管并不会表现出开与关的方向性,而是较为复杂的非线性电子特征——这是由特定类型的二极管技术决定的。二极管使用上除了用做开关的方式之外还有很多其他的功能。广州单向导电二极管

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