马鞍山变容二极管

Zener二极管：Zener二极管是一种具有特殊稳压特性的二极管，可以在一定范围内稳定地维持电压输出，普遍应用于电源稳压器、电路保护器等领域。总之，二极管在电子领域中应用非常普遍，不同类型的二极管在不同的电路中都有不同的作用和功能。肖特基二极管： 基本原理是在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是开关速度非常快，反向恢复时间trr特别地短。因此，能制作开关二极管和低压大电流整流二极管。在设计电路时，应充分考虑二极管的温度特性和工作条件，以确保其正常工作。马鞍山变容二极管

二极管的正向特性，当外加正向电压时，随着电压U的逐渐增加，电流I也增加。但在开始的一段，由于外加电压很低。外电场不能克服PN结的内电场，半导体中的多数载流子不能顺利通过阻挡层，所以这时的正向电流极小（该段所对应的电压称为死区电压，硅管的死区电压约为0～0.5伏，锗管的死区电压约为0～0.2伏）。当外加电压超过死区电压以后，外电场强于PN结的内电场，多数载流子大量通过阻挡层，使正向电流随电压很快增长。即：当V＞0，二极管处于正向特性区域。正向区又分为两段：当0＜V＜Vth时，正向电流为零，Vth称为死区电压或开启电压。当V＞Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。深圳点接触型二极管厂家在使用二极管时，需注意其正向电压和反向击穿电压的限制，以免损坏器件。

对单颗LED 的驱动，此电路通过单片机I/O 口直接驱动LED。当I/O 口输出高电平时，LED 两端等电位，无电流，LED 熄灭；当I/O 口输出低电平时，电流从电源经R1、LED1、I/O 口流进单片机，LED 亮。LED 的亮度与流经它的电流大小成正比，而电流大小由R1 阻值决定。此驱动方式可称为灌电流驱动。此电路通过单片机I/O 口直接驱动LED。当I/O 口输出低电平时，LED 两端等电位，无电流，LED 熄灭；当I/O 口输出高电平时，电流从单片机I/O 经R2、LED2 流到地，LED 亮。LED 的亮度与流经它的电流大小成正比，而电流大小由R2 阻值决定。此驱动方式可称为拉电流驱动。

晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。二极管的主要作用是将交流信号转换为直流信号，实现电能的转换和控制。

工作原理：晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。硅二极管和锗二极管的工作温度范围和耐压能力不同，需要根据具体要求选择。稳压二极管制造

二极管的体积小、重量轻，便于集成和安装。马鞍山变容二极管

在高电压或大电流的情况下,如果手头没有承受高电压或整定大电滤的整流元件,可以把二极管串联或并联起来使用，二极管并联的情况:两只二极管并联、每只分担电路总电流的一半口三只二极管并联,每只分担电路总电流的三分之一。总之,有几只二极管并联,"流经每只二极管的电流就等于总电流的几分之一。但是,在实际并联运用时",由于各二极管特性不完全一致,不能均分所通过的电流,会使有的管子困负担过重而烧毁。因此需在每只二极管上串联一只阻值相同的小电阻器,使各并联二极管流过的电流接近一致。这种均流电阻R一般选用零点几欧至几十欧的电阻器。电流越大,R应选得越小。马鞍山变容二极管

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