浙江陶瓷封装型式

SiP封装工艺介绍，SiP封装技术采取多种裸芯片或模块进行排列组装，若就排列方式进行区分可大体分为平面式2D封装和3D封装的结构。相对于2D封装，采用堆叠的3D封装技术又可以增加使用晶圆或模块的数量，从而在垂直方向上增加了可放置晶圆的层数，进一步增强SiP技术的功能整合能力。而内部接合技术可以是单纯的线键合（Wire Bonding），也可使用覆晶接合（Flip Chip），也可二者混用。目前世界上先进的3D SiP 采用 Interposer（硅基中介层）将裸晶通过TSV（硅穿孔工艺）与基板结合。SiP系统级封装为设备提供了更高的性能和更低的能耗，使电子产品在紧凑设计的同时仍能实现突出的功能。浙江陶瓷封装型式

包装，主要目的是保证运输过程中的产品安全，及长期存放时的产品可靠性。对包装材料的强度、重量、温湿度特性、抗静电性能都有一定的要求。主要材料有Tray盘，抗静电袋，干燥剂、湿度卡，纸箱等。包装完毕后，直接入库或按照要求装箱后直接发货给客户。倒装焊封装工艺工序介绍，焊盘再分布，为了增加引线间距并满足倒装焊工艺的要求，需要对芯片的引线进行再分布。制作凸点，焊盘再分布完成之后，需要在芯片上的焊盘添加凸点，焊料凸点制作技术可采用电镀法、化学镀法、蒸发法、置球法和焊膏印尽4法。目前仍以电镀法较为普遍，其次是焊膏印刷法。山西BGA封装方案汽车电子里的 SiP 应用正在逐渐增加。

无引线缝合（Wireless Bonding）：1、定义，不使用金线连接芯片电极和封装基板的方法。2、分类；3、TAB，① 工艺流程，使用热棒工具，将划片后的芯片Al焊盘（通过电镀工艺形成Au凸点）与TAB引脚（在聚酰亚胺胶带开头处放置的Cu引脚上镀金而成）进行热黏合，使其键合到一起。② 特色，TAB引线有规则地排列在聚酰亚胺带上，以卷轴的形式存放。4、FCB，FCB工艺流程：① 在芯片电极上形成金球凸点；② 将芯片翻转朝下，与高性能LSI专门使用的多层布线封装基板的电极对齐，然后加热连接；③ 注入树脂以填满芯片与封装基板之间的间隙（底部填充）；④ 在芯片背面贴上散热片，在封装基板外部引脚挂上锡球。

系统级封装的优势，SiP和SoC之间的主要区别在于，SoC 将所需的每个组件集成到同一芯片上，而 SiP方法采用异构组件并将它们连接到一个或多个芯片载波封装中。例如，SoC将CPU，GPU，内存接口，HDD和USB连接，RAM / ROM和/或其控制器集成到单个芯片上，然后将其封装到单个芯片中。相比之下，等效的SiP将采用来自不同工艺节点（CMOS，SiGe，功率器件）的单独芯片，将它们连接并组合成单个封装到单个基板（PCB）上。考虑到这一点，很容易看出，与类似的SoC相比，SiP的集成度较低，因此SiP的采用速度很慢。然而，较近，2.5D 和 3D IC、倒装芯片技术和封装技术的进步为使用 SiP 提供的可能性提供了新的视角。有几个主要因素推动了当前用SiP取代SoC的趋势：先进封装对于精度的要求非常高，因为封装中的芯片和其他器件的尺寸越来越小，而封装密度却越来越大。

系统集成封装（System in Package）可将多个集成电路 (IC) 和元器件组合到单个系统或模块化系统中，以实现更高的性能，功能和处理速度，同时大幅降低电子器件内部的空间要求。SiP的基本定义，SiP封装（System In Package系统级封装）是将多种功能芯片，包括处理器、存储器等功能芯片集成在一个封装内，从而实现一个基本完整的功能，与SOC（System On Chip系统级芯片）相对应。不同的是SiP是采用不同功能的芯片在基板上进行并排或叠构后组成功能系统后进行封装。而SOC则是将所需的组件高度集成在一块芯片上进行封装。SiP 实现是系统的集成。上海陶瓷封装定制

SiP封装是将多个半导体及一些必要的辅助零件，做成一个相对单独的产品。浙江陶瓷封装型式

SiP系统级封装作为一种集成封装技术，在满足多种先进应用需求方面发挥着关键作用。以其更小、薄、轻和更多功能的竞争力，为芯片和器件整合提供了新的可能性，目前其主要应用领域为射频／无线应用、移动通信、网络设备、计算机和外设、数码产品、图像、生物和MEMS传感器等。固晶贴片机（Die bonder），是封装过程中的芯片贴装（Die attach）的主要设备。随着SiP系统级封装、3D封装等先进封装的普及，对固晶机设备在性能方面提出了更高的需求。浙江陶瓷封装型式